IGBT

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(Giant Transistor,GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(Giant Transistor,GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳收起

查看更多
  • 透視7家SiC/IGBT上市企業(yè)薪酬秘密
    前段時間,眾多與碳化硅相關(guān)的功率半導(dǎo)體上市企業(yè)發(fā)布了2024年財報,在這些上市企業(yè)中,各自的薪酬水平如何?他們之間的薪酬有何差異?基于此,本期“產(chǎn)業(yè)透視”選取了7家在A股上市的SiC/IGBT相關(guān)器件/模塊企業(yè),分別是士蘭微、芯聯(lián)集成、中車時代半導(dǎo)體、斯達半導(dǎo)體、華潤微、宏微科技、揚杰科技,將從人均薪酬、研發(fā)人員薪酬、銷售人員薪酬和高管薪酬等維度入手,對其人員結(jié)構(gòu)和職工薪酬進行分析。
    1702
    06/05 09:15
    透視7家SiC/IGBT上市企業(yè)薪酬秘密
  • 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成
    在晶圓代工領(lǐng)域,有一家與晶合集成類似,成立不久但發(fā)展迅速的廠商,僅用7年時間,公司成了為國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進的MEMS晶圓代工廠,位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導(dǎo)體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域,形成了覆蓋設(shè)計、制造、封裝的全鏈條能力,它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》,公司已
    3864
    06/04 10:01
    晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成
  • 意法半導(dǎo)體在 2025 年東南亞國際半導(dǎo)體展會展示邊緣人工智能和自動化解決方案
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 參加了 5 月 20 日至 22 日的2025年東南亞半導(dǎo)體展會(展位號 L1901)。 在展會上,意法半導(dǎo)體展出了 10 多款激動人心的展品,包括能夠識別手勢的邊緣人工智能傳感器、個人電子及家電無線連接解決方案?,以及與益登科技(EDOM)合作開發(fā)的汽車動力電池
  • PPS注塑IGBT功率模塊外殼高性能解決方案
    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的“CPU”,是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷瑥V泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、電動汽車及新能源裝備等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。其外殼材料需具備耐高低溫、尺寸穩(wěn)定、耐漏電起痕等苛刻性能,以確保模塊在復(fù)雜環(huán)境下的可靠運行。聚苯硫醚(PPS)憑借優(yōu)異的性能,通過注塑成型工藝為IGBT外殼提供了高性能解決方案。 一、PPS注塑IGBT功率模塊外殼具有以下應(yīng)用優(yōu)勢 電氣性能優(yōu)異
  • 固晶錫膏如何征服高功率封裝 一文破解高密度封裝的散熱密碼
    固晶錫膏是專為芯片固晶設(shè)計的錫基焊料,通過冶金結(jié)合實現(xiàn)高強度、高導(dǎo)熱連接,對比傳統(tǒng)銀膠與普通錫膏,具備超高導(dǎo)熱(60-70W/m?K)、高強度(剪切強度40MPa+)、精密填充(間隙5-50μm)等優(yōu)勢。分高溫型(SnAgCu)、中溫型(SnBi)、高導(dǎo)型,適用于功率半導(dǎo)體、LED 顯示、汽車電子、先進封裝等場景,解決高功率散熱、振動耐受、精密間隙填充等難題。選型需結(jié)合芯片耐溫、間隙精度、環(huán)境要求,以金屬級連接提升器件可靠性與性能上限,成為高端封裝的關(guān)鍵材料。
  • 意法半導(dǎo)體車規(guī)柵極驅(qū)動器提升電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的可擴展性和性能
    意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規(guī)柵極驅(qū)動器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器,集成可設(shè)置的安全保護和豐富的診斷功能,確保電驅(qū)系統(tǒng)通過ISO 26262 ASIL D認(rèn)證。STGAP4S驅(qū)動器集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和反激式電源控制器,功能豐富,取得了功能安全標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,適用于設(shè)計可擴展的電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)。 STGAP4S的設(shè)計靈活性歸功于輸出電路,該電路允許將高
    意法半導(dǎo)體車規(guī)柵極驅(qū)動器提升電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的可擴展性和性能
  • igbt怎么測量好壞
    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種高壓高功率半導(dǎo)體器件,常用于功率電子領(lǐng)域。以下是幾種常用的方法來測試IGBT的好壞: 1. 二極管測試 使用萬用表的二極管測試功能來檢查IGBT內(nèi)部的二極管是否正常。通常,IGBT包含一個集成的反并聯(lián)二極管,可以檢查二極管的正向?qū)ê头聪蜃钄嗲闆r。 2. 靜態(tài)參數(shù)測試 測量IGBT的門極-源極電阻(Rg-on)、漏極-源極電阻(Rg-off)以及漏極-漏極電阻(
    38
    06/04 17:20
  • igbt模塊的作用和功能有哪些
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了晶體管和場效應(yīng)晶體管的優(yōu)點,常用于功率電子設(shè)備中。以下是IGBT模塊的主要作用和功能: 1. 功率開關(guān): IGBT 模塊可以在高壓高頻率下實現(xiàn)快速開關(guān),用于控制大功率的電流。 2. 控制電流和電壓: IGBT 模塊能夠控制和調(diào)節(jié)電流和電壓,用于精確控制各種電力設(shè)備和系統(tǒng)。 3. 可逆性和可
  • 硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點
    隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,硅IGBT和碳化硅MOSFET作為主要功率開關(guān)器件,在電力變換、驅(qū)動等領(lǐng)域都扮演著重要角色。兩者在性能、功耗、效率等方面有著不同特點,本文將探討硅IGBT和碳化硅MOSFET的特性,并對它們的優(yōu)缺點進行詳細(xì)對比分析。
    336
    05/30 14:29

正在努力加載...