芯耀
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在晶圓代工領域，有一家與晶合集成類似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時間，公司成了為國內規(guī)模最大、技術最先進的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術和產品布局聚焦功率半導體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領域，形成了覆蓋設計、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯集成。
根據 Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球專屬晶圓代工排行榜》，公司已邁入晶圓代工“第一梯隊”，躋身2024年全球專屬晶圓代工榜單前十，中國大陸第四。在模組封裝方面，根據蓋世汽車研究院發(fā)布的 2024 年功率器件（驅動）供應商裝機量數據，公司在國內新能源乘用車終端銷量排行榜位列第三。
一、公司介紹
1.1、發(fā)展歷程
芯聯集成電路制造股份有限公司成立于2018年3月, 注冊資本70.537億元人民幣，總部位于浙江紹興。芯聯集成主要從事 MEMS、IGBT、MOSFET、模擬IC、MCU 的研發(fā)、生產、銷售，為汽車、新能源、工控、家電等領域提供一站式芯片系統(tǒng)代工方案。
公司在成立之初便決定進軍車載功率器件，通過與海外頭部客戶的合作，公司建立了嚴格的車載芯片生產制造產線和工藝標準，之后公司 IGBT 芯片進入量產，彼時恰逢國內新能源產業(yè)快速發(fā)展，公司功率器件收入快速提升。目前公司是中國 IGBT 芯片規(guī)模最大的制造基地之一，IGBT、MOS、MEMS 為主的 8 英寸硅基芯片和模組也構成了公司發(fā)展的基本盤。2024年，公司商業(yè)模式實現了從晶圓代工到系統(tǒng)代工的創(chuàng)新轉變，模組封裝收入已實現 6.02 億元，同比增長54.54%，25Q1這一成長趨勢仍在延續(xù)。
SiC業(yè)務方面，公司出貨量穩(wěn)居亞洲市場前列，全面布局 650V 到 2000V SiC 工藝平臺，2024年，公司實現碳化硅收入超 10 億元，同比增長超 100%，實現中國首條、全球第二條 8英寸SiC工程批通線，并預計2025年下半年量產。
模擬IC業(yè)務方面，公司擁有多個G0等級的車規(guī)級工藝平臺，是國內在該領域布局最完整的企業(yè)之一。2024 年，公司模擬IC業(yè)務收入同比增長超8倍，公司還推出了 55nm MCU 平臺，并在40nm MCU平臺研發(fā)驗證中取得積極進展。車規(guī)級高壓模擬 IC 國產化率非常低，國產替代空間十分廣闊。
1.2、股東背景
公司由紹興市越城區(qū)集成電路產業(yè)基金(越城基金)及中芯控股于2018年合資設立，目前越城基金、中芯控股分別擁有公司16.30%、14.06%股份，為公司第一、二大股東。公司在技術、人員兩大方面得到中芯國際較好支持，MEMS、功率器件相關的573項專利及31項非專利技術均來自于中芯國際授權，公司董事趙奇、劉煊杰、資深副總經理肖方、副總經理張霞、嚴飛等管理層均來自中芯國際。
1.2、工藝平臺
公司產品主要包括 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 為主的功率芯片、BCD 工藝為主的模擬 IC 芯片、MEMS 為主的傳感信號鏈，以及相應的模組封裝等。
圖|公司產品演進
來源：公司官網
1.2.1、MEMS
芯聯集成團隊已經在MEMS領域耕耘了已有十多年，擁有豐富的研發(fā)和大規(guī)模量產經驗。 技術路線主要分為兩類：第一種為器件直接接觸外部環(huán)境的開放式結構，例如MEMS麥克風、壓力傳感器、超聲波傳感器等； 第二種為器件密閉在封蓋中的封閉式結構，例如振蕩器、加速度計、陀螺儀等。
芯聯集成MEMS工藝平臺布局完整，技術先進，具備CMOS-MEMS單芯片集成和晶圓級封裝能力，可以為客戶提供定制化工藝研發(fā)和大規(guī)模量產解決方案。
圖|公司MEMS工業(yè)技術及特點
來源:與非研究院整理
1.2.2、MOSFET和IGBT
芯聯集成提供完整的MOSFET工藝平臺，包括溝槽式MOSFET、分柵式MOSFET以及超結MOSFET，包括先進的背面工藝以及特殊金屬沉積工藝等。
公司立足于場截止型（Field Stop）IGBT結構，采用業(yè)界先進的背面加工工藝，包括背面減薄工藝、離子注入、激光退火及特殊金屬沉積工藝等。600V~1200V等器件工藝均已實現大規(guī)模量產，技術參數可達到業(yè)界領先水平，同時提供快恢復二極管的代工服務。
場截止型（Field Stop）IGBT結構，先進的背面加工工藝，和靈活的金屬層次選擇，可以為客戶提供定制化工藝研發(fā)和大規(guī)模量產解決方案。
圖|公司功率工業(yè)技術及特點
來源:與非研究院整理
1.2.3、BCD
芯聯集成車規(guī)級BCD技術工藝平臺，為汽車、新能源、高端工控、物聯網等應用，提供完整高壓、大電流與高密度技術的模擬和電源方案。電壓范圍為5V-150V，和250V-650V，工藝節(jié)點為0.35μm和0.18μm。
圖|公司BCD工業(yè)技術及特點
來源:與非研究院整理
1.3、產能情況
圖|公司產線
來源：公司公告
產能占比
截止2024年底，公司硅基產能（8英寸+12 英寸）占比 91.4%，其中2023年已完成2條8英寸，產能17萬片/月，其中IGBT 產品月產8萬片、MOSFET產品月產7萬片、MEMS產品月產1.5萬片、HVIC（8英寸）產品月產0.5萬片。
2024年完成1條12英寸產線，目前產能3萬片/月。
SiC 產能占比 8.6%（8 英寸工程批階段），預計2026年通過改造現有產線，形成1.5萬片/月的8英寸SiC 產能。
圖|公司產能情況
來源：公司公告
未來擴張計劃
12 英寸產線：2025-2027 年逐步釋放剩余 7 萬片/月產能，總投資超 140 億元，目標成為國內最大模擬芯片研發(fā)和生產基地。
SiC 戰(zhàn)略：加速8英寸產線驗證，推動車規(guī)級SiC模組與IGBT的協同生產，計劃 2026 年 SiC 收入占比提升至20% 以上。
芯聯集成憑借 8 英寸成熟產線的穩(wěn)定輸出、12 英寸新產線的快速爬坡及 SiC 技術的突破，已形成 “硅基 + 化合物半導體” 雙輪驅動的產能布局。未來將以車規(guī)級芯片為核心，持續(xù)加大 AI、新能源領域的產能傾斜，目標成為全球領先的數?；旌舷到y(tǒng)代工平臺。
二、財務分析
2.1、營收和利潤情況
圖|營收及增長率變化
來源：與非研究院整理
2019-2024年，公司營收呈現爆發(fā)式增長由2.70億元提升至65.09億元，2025Q1為17.34億元。2020-2025Q1增速分別為174%、173.82%、127.59%、15.59%、22.25%、17.34%。
從應用領域來看，2024年公司車載領域收入占比51.78%，同比增加9.43億元，同比增長 40.87%；高端消費領域收入占比30.61%，同比增加7.64 億元，同比增長66.02%。
圖|扣非凈利潤及增長率變化
來源：與非研究院整理
2019-2023年扣非凈利潤持續(xù)下降，由-7.9億元降低至-22.62億元，2024年收窄至-14.10億元，2025Q1為-2.30億元。公司主要虧損原因是因為大規(guī)模的生產型投入造成的折舊攤銷影響。
2023年剔除折舊及攤銷費用34.51億元后，公司全年實現EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）9.25億元，與上年同期相比增加1.16億元，同比增長14.29%。同時，2023年度經營性凈現金流為26.14億元, 與上年同期相比增加12.80億元，同比增長95.93%。
2024年歸屬于母公司所有者的凈利潤同比大幅減虧超50.87%，剔除年度折舊及攤銷費用 40.38 億元后，公司2024 年實現EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）21.46 億元，與上年同期相比增加12.20億元，同比增長131.86%
2.2、產品結構
圖|營收結構
來源：與非研究院整理
2019-2024年晶圓代工占比分別為89.51%、84.52%、91.20%、77.22%、83.99%、85.96%；封裝測試占比逐漸提高，由3.25%提升至9.24%；其他業(yè)務2022年占比最高達14.07%，2024年降低至3.58%；研發(fā)服務由2020年11.13%降低至2024年1.21%。
2023年公司晶圓代工收入占比91.07%，同比增長25.73%；模組封裝收入占比 7.93%，同比增長32.89%。
圖|代工營收產品拆分
來源：與非研究院整理
2019-2022年主營產品收入為功率器件，占比分別為65.63%、53.32%、71.50%、70.16%；MEMS產品占比分別為23.88%、31.20%、19.69%、7.06%。
圖|內外銷結構
來源：與非研究院整理
營收結構中，2019-2024年內銷占比分別為87.21%、80.66%、92.79%、77.40%、81.70%、88.33%；外銷占比分別為9.66%、17.54%、6.24%、8.54%、10.53%、8.09%；其他業(yè)務占比非標為2.82%、1.80%、0.97%、14.07%、7.77%、3.58%。
2.3、毛利率和凈利率
圖|毛利率和凈利率變化
來源：與非研究院整理
2019-2024年毛利率和凈利率從深度虧損逐步收窄，2024 年首次實現毛利率轉正，全年公司毛利率為 1.03%。2025Q1持續(xù)擴大，毛利率為3.67%，毛利端改善顯著，經營效率提升。
盡管凈利率為負，但虧損幅度整體呈收窄趨勢，2023 年的波動未改變長期向好方向，凈利率隨毛利改善逐步修復，盈利質量持續(xù)優(yōu)化。
隨著公司 8 英寸晶圓一期生產線關鍵生產設備逐步退出折舊周期，其相應的折舊攤銷等固定成本將明顯減少。與此同時，公司新增產線的固定資產投資及其折舊攤銷費用亦呈現逐步減緩的態(tài)勢，公司的整體折舊攤銷負擔將步入下降通道。由此，公司的毛利率和盈利能力預計將持續(xù)提升，為公司未來的財務表現和市場競爭力帶來積極影響。
圖|營收結構毛利率變化%
來源：與非研究院整理
2019-2022年晶圓代工業(yè)務毛利率深度虧損，由-199.47%逐年收窄至接近盈虧-0.09%，2023 年短期波動-7.60%，2024 年首次盈利0.48%，標志核心業(yè)務盈利能力修復，從虧損泥潭中突圍。
2019-2021年封裝測試毛利率分別為-61.59%、-77.82%、-75.54%，2022 年收窄至-10.98%，2023 年反彈至-15.93%，受行業(yè)周期影響，2024 年虧損進一步收窄至-3.16%，雖未盈利，但改善趨勢明確，需持續(xù)優(yōu)化業(yè)務。
其他業(yè)務2019-2021 年其他業(yè)務毛利率呈現高盈利，分別為20.90%、18.11%、20.04%，2022 年下滑至3.79%，2023 年回升至9.50%，2024 年飆升至 25.49%（創(chuàng)近年新高），成為重要利潤支柱，多元化業(yè)務（如新興應用、配套服務）的高附加值拓展成效顯著。
2.4、研發(fā)投入情況
圖|研發(fā)投入及占比%
來源：與非研究院整理
2020-2024年，公司研發(fā)投入持續(xù)增長，由2.62億元提升至18.42億元，2025Q1為4.58億元，研發(fā)投入占營收比重分別為35.46%、30.69%、18.22%、28.72%、28.30%、26.30%，維持在較高水平。
圖|研發(fā)人員數量及占比%
來源：與非研究院整理
2020-2024年研發(fā)人員數量由214人提升至943人，研發(fā)人員占比分別為15.92%、13.23%、11.27%、15.00%、19.00%。
公司發(fā)布了 2024 年限制性股票激勵計劃（草案），首次授予部分涉及 的激勵對象共計 763 人，激勵對象主要為公司核心技術人員、中高層管理人員、核心技術（業(yè)務）骨干。
2023年對12英寸硅基晶圓產品、SiC產品加大研發(fā)力度，公司專利獲得數也較去年有了大幅增長：報告期內公司新增獲得專利102項，其中發(fā)明專利35項，實用新型專利63項。公司及下屬子公司共獲得各類獎項15項，含國家級2項，省級5項。
2024 年公司堅持高水平技術研發(fā)投入、引進高端人才并配備國際先進資源，在晶圓制造及模組封裝領域發(fā)力，成功推出大量新產品并獲多個重大客戶定點：汽車電子方面，電動化領域功率半導體等進入規(guī)模量產，高壓BCD SOI 集成方案獲車企定點，智能化領域激光雷達核心芯片等規(guī)模量產、多傳感器項目進入智能汽車終端；人工智能方面，AI 服務器等應用的電源管理芯片大規(guī)模量產，機器人領域MEMS傳感器及功率類芯片代工產品成功量產；工業(yè)控制方面，風光儲充相關儲能模塊、光伏模塊及大電流分立器件，智能電網領域超高壓 IGBT 產品順利量產，傳統(tǒng)工控領域新型工業(yè)變頻模塊系列即將量產；消費電子方面，傳感器和鋰電池保護芯片占據市場和技術領先位置，低壓 40V BCD 及數?；旌霞夹g平臺實現規(guī)模量產并進入多個手機終端應用。
三、總結
芯聯集成成立僅7年時間，憑借原中芯在?MEMS 及功率器件業(yè)務深厚技術積累，不斷發(fā)力車規(guī)級IGBT芯片覆蓋650V-1200V、1700VSiC MOSFET、及車規(guī)級BCD技術工藝平臺，持續(xù)拓展模擬IC產品如電源管理芯片、數?；旌闲盘栃酒阮I域。在產能持續(xù)擴張的同時，營收和利潤實現了大幅度的提升，毛利率也出現了轉正，一躍成為全球領先的集成電路晶圓代工企業(yè)，發(fā)展勢頭非常迅猛。
公司持續(xù)聚焦國內優(yōu)勢行業(yè)風光儲、消費電子、汽車電子方向，加速 8 英寸 SiC MOSFET 量產，推進 55nm/40nm MCU、高壓 BCD 工藝平臺升級，布局AI服務器電源、機器人芯片等新興領域，為未來持續(xù)發(fā)展奠定基石。
