• 什么是晶圓貼膜（Wafer Mount）？
    一、什么是貼膜（Wafer Mount）？貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱為“藍(lán)膜”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。
    什么是晶圓貼膜（Wafer Mount）？
  • LTspice中的 .tf 仿真命令
    本文介紹了LTspice仿真軟件中的.tf命令，該命令可用于計算直流小信號傳遞函數(shù)、輸入輸出阻抗等參數(shù)。通過一個單管共射放大電路的實例，展示了如何利用.tf命令分析三極管在不同偏置電壓下的放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗特性。仿真結(jié)果表明：當(dāng)基極電壓超過0.7V時輸入阻抗驟降至1kΩ；輸出阻抗在導(dǎo)通區(qū)下降，飽和區(qū)急劇降低；放大倍數(shù)在0.72V偏置時達(dá)到峰值-362。文章還演示了如何結(jié)合.step命令分析不同工作點下的傳遞函數(shù)特性，為電路設(shè)計提供了實用分析方法。 （全文148字，包含關(guān)鍵參數(shù)和核心結(jié)論）
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    06/01 08:55
    LTspice中的 .tf 仿真命令
  • PECVD 生成 SiO? 的反應(yīng)方程式
    在PECVD工藝中，沉積氧化硅薄膜以SiH?基與TEOS基兩種工藝路線為主。IMD Oxide（USG）這部分主要沉積未摻雜的SiO?，也叫USG（Undoped Silicate Glass），常用于IMD（Inter-Metal Dielectric）。
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    05/31 08:25
    PECVD 生成 SiO? 的反應(yīng)方程式
  • 在晶圓流片過程中，什么是ECO？
    在芯片設(shè)計領(lǐng)域，ECO（Engineering Change Order，工程變更指令） 是一個關(guān)鍵概念，下面從定義、作用、實施流程及實際應(yīng)用等方面詳細(xì)介紹：
    在晶圓流片過程中，什么是ECO？
  • 塑封成型（Molding）
    一、塑封成型是什么？一句話理解：塑封成型（Molding）就是用高溫把一團“熱塑性樹脂材料”壓進模具里，把芯片、鍵合金線和支架整個嚴(yán)嚴(yán)實實包起來，形成我們最終看到的黑色“IC封裝殼”。
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    05/30 09:15
    塑封成型（Molding）
  • 碳(C)離子注入在 CMOS 器件中有什么作用?？
    在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中，CMOS 工藝是實現(xiàn)低功耗、高集成度芯片的核心技術(shù)。隨著芯片尺寸向納米級縮小，離子注入技術(shù)作為精確調(diào)控半導(dǎo)體電學(xué)性能的關(guān)鍵手段，其重要性愈發(fā)凸顯。其中，碳離子注入憑借獨特的物理化學(xué)特性，在改善材料性能、優(yōu)化器件參數(shù)等方面展現(xiàn)出不可替代的作用。
    碳(C)離子注入在 CMOS 器件中有什么作用?？
  • 三極管經(jīng)典電路詳解：反相、同相與濾波功能全分析（附圖詳解）
    在模擬電路設(shè)計中，三極管依然是基礎(chǔ)又強大的器件。通過簡單的搭建方式，我們不僅能實現(xiàn)信號的放大、邏輯轉(zhuǎn)換，還能附帶“濾波”功能。本文通過幾個經(jīng)典電路圖，詳細(xì)講解三極管的反向、同相邏輯轉(zhuǎn)換以及濾波特性，并通過N型、P型三極管組合對比分析，解答設(shè)計中的常見疑惑。
    三極管經(jīng)典電路詳解：反相、同相與濾波功能全分析（附圖詳解）
  • 在芯片電路中，什么是電荷泵(charge pump)？
    電荷泵(charge pump)，也稱為 開關(guān)電容式電壓變換器，是一種利用“快速”（flying）或“泵送”電容（非電感或變壓器）來儲能的DC-DC變換器。 電荷泵能使輸入電壓升高或降低，也可以用于產(chǎn)生負(fù)電壓。 其內(nèi)部的FET開關(guān)陣列以一定方式控制快速電容器的充電或放電，從而使輸入電壓以一定因數(shù)（比如1/2，2或3）倍增或降低，最終得到所需要的輸出電壓。
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    05/28 17:40
    在芯片電路中，什么是電荷泵(charge pump)？
  • ABF膜介紹
    什么是ABF膜？ABF，全名Ajinomoto Build-up Film，是由日本味之素（Ajinomoto）公司開發(fā)的一種 電子級樹脂基膜材料，主要用于?IC封裝基板中的絕緣層與構(gòu)建層。
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    05/28 16:34
    ABF
    ABF膜介紹
  • 劃片（Wafer Saw）
    一、什么是劃片（Wafer Saw）？劃片，是指將一整片晶圓（Wafer）上已加工好的成百上千顆芯片（Die），按照既定的劃線，將它們切割成獨立顆粒狀芯片的過程。簡單來說，就是把一整塊“蛋糕”精準(zhǔn)地切成一小塊一小塊，方便后續(xù)逐顆封裝。
    劃片（Wafer Saw）
  • 在半導(dǎo)體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
    在半導(dǎo)體制造工藝?yán)?，金屬層的電化學(xué)鍍（ECP）是構(gòu)建芯片內(nèi)部復(fù)雜電路互連的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而在 ECP 工藝完成后，一項不可或缺的后續(xù)操作便是洗邊。這一操作看似簡單，實則對芯片制造的整體質(zhì)量、性能以及生產(chǎn)效率有著多方面的深刻影響。
    在半導(dǎo)體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
  • 柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計中的重要作用
    碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應(yīng)當(dāng)保證設(shè)計靈活性，以滿足不同的任務(wù)需求，無需大量設(shè)計工作和設(shè)計布局變化。
    573
    05/27 11:30
    柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計中的重要作用
  • 高溫IC設(shè)計必懂基礎(chǔ)知識：高結(jié)溫帶來的5大挑戰(zhàn)
    這份白皮書致力于探討高溫對集成電路的影響，并提供適用于高功率的設(shè)計技術(shù)以應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。第一篇文章介紹了工作溫度，包括環(huán)境溫度和結(jié)溫等。本文將繼續(xù)介紹高結(jié)溫帶來的挑戰(zhàn)。
    高溫IC設(shè)計必懂基礎(chǔ)知識：高結(jié)溫帶來的5大挑戰(zhàn)
  • 晶圓減?。˙ack Grind）是什么？減薄工藝分幾步？
    一、什么是芯片“減薄”？“減薄”，也叫?Back Grinding（BG），是將晶圓（Wafer）背面研磨至目標(biāo)厚度的工藝步驟。這個過程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前（即晶圓仍然整體時），是連接芯片制造和封裝之間的橋梁。
    晶圓減薄（Back Grind）是什么？減薄工藝分幾步？
  • 什么是混合鍵合？
    混合鍵合（Hybrid Bonding）結(jié)合了電介質(zhì)-電介質(zhì)鍵合和金屬-金屬鍵合，無需使用焊料或其它粘合劑即可實現(xiàn)晶圓與晶圓、芯片與晶圓或芯片與芯片的互連。它不像傳統(tǒng)熱壓鍵合（如TCB）那樣依賴焊料，也不同于直接分子鍵合不帶金屬。
    什么是混合鍵合？
  • 為什么Backside clean(晶背清洗)在光刻工藝中那么重要？
    隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點向先進制程持續(xù)推進，芯片最小特征尺寸不斷微縮，器件集成度呈指數(shù)級增長，曝光設(shè)備的焦深已成為制約工藝發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。在此技術(shù)背景下，有效管控晶圓背面缺陷引發(fā)的光刻熱點問題，成為保障芯片制造良率的核心技術(shù)挑戰(zhàn)。
    為什么Backside clean(晶背清洗)在光刻工藝中那么重要？
  • 晶圓電鍍，電鑄，電解有什么區(qū)別？
    學(xué)員問：電鍍和電鑄一直分不清，請問有什么區(qū)別嗎？晶圓制程哪些工序會用到電鍍？
    晶圓電鍍，電鑄，電解有什么區(qū)別？
  • 歐姆接觸與肖特基接觸的本質(zhì)區(qū)別：物理機制與應(yīng)用解析
    在半導(dǎo)體器件中，金屬與半導(dǎo)體的界面接觸類型直接決定器件的電學(xué)行為。歐姆接觸和肖特基接觸因物理機制、特性及應(yīng)用場景的顯著差異，成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心基礎(chǔ)概念。本文從理論原理、特性對比及實際應(yīng)用三方面解析兩者的本質(zhì)區(qū)別。
    歐姆接觸與肖特基接觸的本質(zhì)區(qū)別：物理機制與應(yīng)用解析
  • 芯片設(shè)計時序優(yōu)化 -- register slice
    在芯片設(shè)計中，經(jīng)常會遇到時序違例的問題，通常的解決方式就是插入寄存器，也就是打拍。但對于握手信號來說（例如AXI總線中的ready和valid信號），直接打拍會導(dǎo)致valid和ready不滿足正確的握手關(guān)系，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)漏采樣或者重復(fù)采樣。
    芯片設(shè)計時序優(yōu)化 -- register slice
  • 為什么光刻區(qū)又叫黃光區(qū)？有什么含義？
    走進半導(dǎo)體工廠的無塵間光刻區(qū)，泛黃的燈光總會給人留下深刻印象。這抹看似普通的黃色光芒，實則是半導(dǎo)體制造中集光化學(xué)原理、材料特性與人體工程學(xué)于一體的精密設(shè)計。那些在新建實驗室中為節(jié)省成本而隨意安裝黃燈管的做法，恰恰忽視了這一照明選擇背后的多重技術(shù)約束。
    為什么光刻區(qū)又叫黃光區(qū)？有什么含義？

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