芯耀
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一、什么是芯片“減薄”？
“減薄”，也叫?Back Grinding（BG），是將晶圓（Wafer）背面研磨至目標(biāo)厚度的工藝步驟。這個(gè)過程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前（即晶圓仍然整體時(shí)），是連接芯片制造和封裝之間的橋梁。
為什么要減?。?/h4>
芯片制造完成后，晶圓厚度一般較大（約700-800微米）。如果不減?。?/p>
在封裝過程中占用體積大，不利于芯片輕薄化、小型化；
封裝完成后不能滿足終端產(chǎn)品對厚度或熱性能的要求；
多芯片疊層封裝（如3D封裝）將變得困難。
所以，減薄的目的就是讓芯片更薄、更適應(yīng)封裝和系統(tǒng)集成的需求。
二、減薄工藝分為哪幾步？
1.?粗磨（Coarse Grind）
目的：快速將晶圓從原始厚度削減到接近目標(biāo)厚度，比如從775μm減到300μm；
特點(diǎn)：采用較粗的研磨輪，去除效率高，但研磨過程中會(huì)在晶圓背面形成明顯的應(yīng)力層或損傷層；
潛在風(fēng)險(xiǎn)：應(yīng)力積累、硅粉殘留導(dǎo)致后續(xù)破片。
2.?細(xì)磨（Fine Grind）
目的：進(jìn)一步減薄至最終目標(biāo)厚度（如100-300μm），同時(shí)去除粗磨過程中形成的損傷層（約1~2μm）；
工具：使用粒徑更小、精度更高的研磨輪；
關(guān)鍵點(diǎn)：保證晶圓表面平整性，并盡可能少引入新?lián)p傷。
3.?清洗（Cleaning）
必須步驟：在粗磨、細(xì)磨過程中會(huì)產(chǎn)生大量硅粉，若不及時(shí)清洗，會(huì)殘留在晶圓表面或邊緣；
使用材料：高純水（DI水）+表面活性劑，去除殘留物，防止后續(xù)封裝時(shí)污染或損壞芯片；
目標(biāo)：確保晶圓潔凈，提高后段良率。
三、減薄過程中的挑戰(zhàn)和控制重點(diǎn)
晶圓破片風(fēng)險(xiǎn)
晶圓越薄，越脆，易碎；
必須控制研磨均勻性、壓力、溫度及設(shè)備平整度，避免在研磨中產(chǎn)生“隱裂”。
翹曲問題（Wafer Warpage）
減薄后，晶圓可能因?yàn)閼?yīng)力不均而翹曲，影響貼膜、切割和封裝；
工藝需優(yōu)化后段支撐或臨時(shí)粘貼材料。
良率控制
研磨造成的微裂紋若未完全去除，芯片在后續(xù)切割或裝配中可能碎裂，影響良率。
四、減薄后的后續(xù)動(dòng)作
在減薄完成后：
晶圓通常會(huì)被貼膜（Back Grinding Tape）保護(hù)；
之后進(jìn)入切割（Dicing）階段，將晶圓分割成一個(gè)個(gè)單顆芯片；
然后進(jìn)入封裝（如BGA、QFN、WLCSP等）。
五、舉個(gè)例子說明
比如我們做一款手機(jī)SoC芯片：
設(shè)計(jì)要求厚度控制在0.3mm以內(nèi)；
芯片電路完成后晶圓厚度約為775μm；
通過粗磨減至350μm，再細(xì)磨至280μm；
清洗干凈后進(jìn)入后續(xù)切割和封裝。
六、總結(jié)
封裝中的“減薄”并非簡單的削薄過程，而是一個(gè)?涉及機(jī)械、材料、熱力學(xué)等多個(gè)學(xué)科的復(fù)雜工藝。其成敗直接影響芯片的機(jī)械穩(wěn)定性、可靠性與最終產(chǎn)品的尺寸設(shè)計(jì)。一個(gè)高質(zhì)量的減薄過程是實(shí)現(xiàn)高良率、高可靠性的高端芯片封裝的基礎(chǔ)。
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