• 一文了解薄膜制備(MOCVD 磁控濺射 PECVD)技術(shù)
    這一篇將會介紹幾種薄膜制備方法,在半導(dǎo)體加工工藝中,被提及最多就是光刻和刻蝕,其次就是外延(薄膜)工藝了。為什么芯片制造需要薄膜工藝呢?
    一文了解薄膜制備(MOCVD 磁控濺射 PECVD)技術(shù)
  • 聊聊芯片Debug模塊及其應(yīng)用
    在芯片設(shè)計(jì)中,通常都會增加一些debug(調(diào)試)電路邏輯,方便定位軟硬件問題。增加這些debug電路的基本要求對系統(tǒng)原有的正常操作無影響,否則可能會出現(xiàn)heisenbug。因此,debug邏輯電路通常用額外的專用資源去實(shí)現(xiàn),debug面積占用超過總芯片面積5%的芯片也不在少數(shù)。
    聊聊芯片Debug模塊及其應(yīng)用
  • 電鍍機(jī)的陽極是什么材質(zhì)?
    什么是可溶性陽極與非可溶性陽極?學(xué)員問:電鍍的陽極有什么講究?什么是可溶性陽極和非可溶性陽極?什么是可溶性陽極與非可溶性陽極?
    電鍍機(jī)的陽極是什么材質(zhì)?
  • 貼片(Die Attach)
    貼片,又叫Die Attach,是半導(dǎo)體封裝流程中的一個關(guān)鍵步驟。它的作用是:?將切割下來的芯片(裸晶粒)牢固地粘貼在封裝基底上,例如引線框架(leadframe)、陶瓷基板或芯片載板(substrate)上。
    貼片(Die Attach)
  • 在光刻工藝中,什么是 Leveling ?
    在半導(dǎo)體光刻工藝?yán)铮T多環(huán)節(jié)都對芯片制造的精度與質(zhì)量有著舉足輕重的影響,其中 Leveling(找平)這一關(guān)鍵步驟在確保晶圓表面平整度方面扮演著不可或缺的角色。
    在光刻工藝中,什么是 Leveling ?
  • 阿姆達(dá)爾定律的演進(jìn):古斯塔夫森定律
    在上一篇文章《受用一生的定理:阿姆達(dá)爾定律》中提到的阿姆達(dá)爾定律前提是假設(shè)問題的規(guī)模保持不變,并且給定一臺速度更快的機(jī)器,目標(biāo)是更快地解決問題。然而,在大多數(shù)情況下,這并不完全正確。當(dāng)有一臺更快的機(jī)器時(shí),我們可能會希望增加解決問題的規(guī)?;蛱岣呓鉀Q方案的準(zhǔn)確性。
    阿姆達(dá)爾定律的演進(jìn):古斯塔夫森定律
  • 晶圓電鍍原理
    之前我們寫過,晶圓電鍍在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用,見文章:哪些制程會用到電鍍工序?電鍍是一個很重要的金屬化工藝,今天我們就以微型電鍍設(shè)備為例,來詳細(xì)說說晶圓電鍍的原理。
    晶圓電鍍原理
  • 在濕法工藝中,為什么TMAH刻蝕Si能夠形成Σ形狀
    TMAH,即四甲基氨基氫氧化物(Tetramethylammonium hydroxide),是一種典型的有機(jī)胺鹽堿性物質(zhì),在半導(dǎo)體、光學(xué)、化學(xué)等眾多領(lǐng)域中占據(jù)著重要地位,尤其是在半導(dǎo)體濕法工藝中。
    在濕法工藝中,為什么TMAH刻蝕Si能夠形成Σ形狀
  • 芯片封裝中的打線鍵合(Wire Bonding)
    一、什么是打線鍵合(Wire Bonding)?打線鍵合就是將芯片上的電信號從芯片內(nèi)部“引出來”的關(guān)鍵步驟。我們要用極細(xì)的金屬線(多為金線、鋁線或銅線)將芯片的焊盤(bond pad)和支架(如引線框架或基板)之間做電連接。
    芯片封裝中的打線鍵合(Wire Bonding)
  • 什么是晶圓貼膜(Wafer Mount)?
    一、什么是貼膜(Wafer Mount)?貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓(Wafer)固定在一層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍(lán)色,業(yè)內(nèi)常稱為“藍(lán)膜”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割(劃片)工藝做準(zhǔn)備。
    什么是晶圓貼膜(Wafer Mount)?
  • LTspice中的 .tf 仿真命令
    本文介紹了LTspice仿真軟件中的.tf命令,該命令可用于計(jì)算直流小信號傳遞函數(shù)、輸入輸出阻抗等參數(shù)。通過一個單管共射放大電路的實(shí)例,展示了如何利用.tf命令分析三極管在不同偏置電壓下的放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗特性。仿真結(jié)果表明:當(dāng)基極電壓超過0.7V時(shí)輸入阻抗驟降至1kΩ;輸出阻抗在導(dǎo)通區(qū)下降,飽和區(qū)急劇降低;放大倍數(shù)在0.72V偏置時(shí)達(dá)到峰值-362。文章還演示了如何結(jié)合.step命令分析不同工作點(diǎn)下的傳遞函數(shù)特性,為電路設(shè)計(jì)提供了實(shí)用分析方法。 (全文148字,包含關(guān)鍵參數(shù)和核心結(jié)論)
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    06/01 08:55
    LTspice中的 .tf 仿真命令
  • PECVD 生成 SiO? 的反應(yīng)方程式
    在PECVD工藝中,沉積氧化硅薄膜以SiH?基與TEOS基兩種工藝路線為主。IMD Oxide(USG)這部分主要沉積未摻雜的SiO?,也叫USG(Undoped Silicate Glass),常用于IMD(Inter-Metal Dielectric)。
    1129
    05/31 08:25
    PECVD 生成 SiO? 的反應(yīng)方程式
  • 在晶圓流片過程中,什么是ECO?
    在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域,ECO(Engineering Change Order,工程變更指令) 是一個關(guān)鍵概念,下面從定義、作用、實(shí)施流程及實(shí)際應(yīng)用等方面詳細(xì)介紹:
    在晶圓流片過程中,什么是ECO?
  • 塑封成型(Molding)
    一、塑封成型是什么?一句話理解:塑封成型(Molding)就是用高溫把一團(tuán)“熱塑性樹脂材料”壓進(jìn)模具里,把芯片、鍵合金線和支架整個嚴(yán)嚴(yán)實(shí)實(shí)包起來,形成我們最終看到的黑色“IC封裝殼”。
    1866
    05/30 09:15
    塑封成型(Molding)

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