知識(shí)星球(星球名:芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū),點(diǎn)擊加入)里的學(xué)員問(wèn):為什么都說(shuō)TSV填孔工藝難?難在哪里?TSV電鍍填孔基本情況?
1,高深寬比:TSV深可達(dá)50–150 μm,孔徑卻只有5–10 μm,深寬比>10:1。
2,孔內(nèi)壁復(fù)雜:內(nèi)壁存在臺(tái)階,由于采用博世工藝,會(huì)產(chǎn)生扇貝形狀。
TSV電鍍的難點(diǎn)?孔內(nèi)不能完全填實(shí),有空洞TSV出現(xiàn)空洞的主要原因?
1,電流密度集中在孔口 → 孔口銅生長(zhǎng)快 → 孔口金屬接觸,封口,形成空洞
2,孔內(nèi)電鍍液交互困難,舊的電鍍液無(wú)法及時(shí)排出,新的電鍍液又無(wú)法到達(dá)沉積界面,導(dǎo)致深孔內(nèi)電鍍質(zhì)量電鍍速率都比較差一些電鍍液添加劑的沉積原理?
抑制劑(Suppressor):抑制表面銅沉積,孔口的銅沉積,孔壁的銅沉積
加速劑(Accelerator):加速底部銅向上生長(zhǎng)沉積
整平劑(Leveler):使晶圓沉積的銅厚度一致,降低粗糙度
目前我們有cmp,光刻,鍍膜,鍵合,量檢測(cè)的技術(shù)群,如需進(jìn)群,請(qǐng)加Tom微,防失聯(lián):
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