SiC

• 透視7家SiC/IGBT上市企業(yè)薪酬秘密

  前段時間，眾多與碳化硅相關(guān)的功率半導(dǎo)體上市企業(yè)發(fā)布了2024年財報，在這些上市企業(yè)中，各自的薪酬水平如何？他們之間的薪酬有何差異？基于此，本期“產(chǎn)業(yè)透視”選取了7家在A股上市的SiC/IGBT相關(guān)器件/模塊企業(yè)，分別是士蘭微、芯聯(lián)集成、中車時代半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、華潤微、宏微科技、揚杰科技，將從人均薪酬、研發(fā)人員薪酬、銷售人員薪酬和高管薪酬等維度入手，對其人員結(jié)構(gòu)和職工薪酬進(jìn)行分析。

  行家說三代半

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  06/05 09:15

  SiC IGBT

  
• 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動電源設(shè)計創(chuàng)新

  當(dāng)今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?GaN 可實現(xiàn)高頻開關(guān)，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術(shù)相比，GaN 還可降低開關(guān)、柵極驅(qū)動和反向恢復(fù)損耗，從而提高電源設(shè)計效率。 您可以使用 650V GaN FET 進(jìn)行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換，或使用 100V 或 200V GaN FE

  與非網(wǎng)編輯

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  06/04 11:10

  SiC GaN

  
• 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成

  在晶圓代工領(lǐng)域，有一家與晶合集成類似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時間，公司成了為國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導(dǎo)體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域，形成了覆蓋設(shè)計、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已

  王兵

  3183

  06/04 10:01

  SiC MOSFET

  
• 12英寸SiC再添新玩家，8吋襯底已量產(chǎn)

  5月31日，合盛硅業(yè)在官微宣布，其下屬單位寧波合盛新材料有限公司成功研發(fā)12英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動切、磨、拋等加工技術(shù)的研究。據(jù)了解，合盛新材料基于自主設(shè)計的SiC單晶生長爐以及多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新坩堝設(shè)計，使用多孔與涂層石墨技術(shù)，實現(xiàn)超大晶體所需的高通量生長。

  行家說三代半

  554

  06/04 09:09

  SiC 碳化硅

  

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