MOSFET

• 車輛區(qū)域控制架構關鍵技術——趨勢篇

  作者：安森美 向軟件定義汽車 (SDV) 的轉型促使汽車制造商不斷創(chuàng)新，在區(qū)域控制器中集成受保護的半導體開關。電子保險絲和 SmartFET 可為負載、傳感器和執(zhí)行器提供保護，從而提高功能安全性，更好地應對功能故障情況。不同于傳統(tǒng)的域架構，區(qū)域控制架構采用集中控制和計算的方式，將分散在各個 ECU 上的軟件統(tǒng)一交由強大的中央計算機處理，從而為下游的電子控制和配電提供了更高的靈活性。 系統(tǒng)描述 電動

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  22小時前

  MOSFET 安森美

  
• 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成

  在晶圓代工領域，有一家與晶合集成類似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時間，公司成了為國內規(guī)模最大、技術最先進的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術和產品布局聚焦功率半導體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領域，形成了覆蓋設計、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球專屬晶圓代工排行榜》，公司已

  王兵

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  06/04 10:01

  SiC MOSFET

  
• ROHM開發(fā)出適用于AI服務器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

  全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業(yè)設備電源等應用的理想之選。 RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產品。另外，新產品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms

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  06/03 14:18

  MOSFET ROHM

  
• Vishay 新款具有領先導通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性

  這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側翼，從而改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款采用無引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內先進導通電阻的新款80 V TrenchFET? Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業(yè)應用

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  05/30 17:30

  電阻 MOSFET

  
• 硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點

  隨著電力電子技術的不斷發(fā)展，硅IGBT和碳化硅MOSFET作為主要功率開關器件，在電力變換、驅動等領域都扮演著重要角色。兩者在性能、功耗、效率等方面有著不同特點，本文將探討硅IGBT和碳化硅MOSFET的特性，并對它們的優(yōu)缺點進行詳細對比分析。

  eefocus_3901714

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  05/30 14:29

  MOSFET IGBT

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