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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)上包括NMOS、PMOS等。

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)上包括NMOS、PMOS等。收起

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  • 車(chē)輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢(shì)篇
    作者：安森美 向軟件定義汽車(chē) (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車(chē)制造商不斷創(chuàng)新，在區(qū)域控制器中集成受保護(hù)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。電子保險(xiǎn)絲和 SmartFET 可為負(fù)載、傳感器和執(zhí)行器提供保護(hù)，從而提高功能安全性，更好地應(yīng)對(duì)功能故障情況。不同于傳統(tǒng)的域架構(gòu)，區(qū)域控制架構(gòu)采用集中控制和計(jì)算的方式，將分散在各個(gè) ECU 上的軟件統(tǒng)一交由強(qiáng)大的中央計(jì)算機(jī)處理，從而為下游的電子控制和配電提供了更高的靈活性。 系統(tǒng)描述 電動(dòng)
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  • 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成
    在晶圓代工領(lǐng)域，有一家與晶合集成類(lèi)似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時(shí)間，公司成了為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導(dǎo)體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域，形成了覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已
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    06/04 10:01
    晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成
  • ROHM開(kāi)發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，開(kāi)發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護(hù)的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用的理想之選。 RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計(jì)該尺寸產(chǎn)品未來(lái)需求將不斷增長(zhǎng)，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更寬SOA范圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms
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  • Vishay 新款具有領(lǐng)先導(dǎo)通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性
    這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側(cè)翼，從而改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款采用無(wú)引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)導(dǎo)通電阻的新款80 V TrenchFET? Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業(yè)應(yīng)用
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  • 利用理想二極管，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的電源
    作者：Frederik Dostal，電源管理專(zhuān)家 摘要 穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個(gè)電源。使用多個(gè)不同電源為器件供電時(shí)，需要部署若干開(kāi)關(guān)以將電源相互分隔開(kāi)，以防損壞。對(duì)此，固然可在電源路徑中使用多個(gè)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類(lèi)理想二極管的優(yōu)勢(shì)。文中將展示兩個(gè)版本的理想二極管：一個(gè)是無(wú)需根據(jù)電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個(gè)版本則更加簡(jiǎn)單，始終由更高的
    利用理想二極管，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的電源
  • AMEYA360 ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET 助力快速充電應(yīng)用
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另外，通過(guò)在一個(gè)器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保
    708
    05/20 16:23
  • MDDG03R04Q,低內(nèi)阻大電流 服務(wù)器和新能源的好幫手
    在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N溝道增強(qiáng)型MOS）憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。 一、產(chǎn)品概述：PowerTrench工藝與屏蔽柵技術(shù)的融合 ? MDDG03R04Q采用MDD的Trenc
  • 元器件交易動(dòng)態(tài)周報(bào)-本土汽車(chē)、消費(fèi)電子的強(qiáng)勁表現(xiàn)帶動(dòng)功率器件需求上升
    核心觀點(diǎn)： 2025年4月，中國(guó)汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)增長(zhǎng)強(qiáng)勁，推動(dòng)功率器件需求提升，尤其車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化空間大。二季度消費(fèi)電子旺季，且國(guó)補(bǔ)政策影響下，需求穩(wěn)定。交貨周期方面，主流廠商的低壓與高壓Mosfets、IGBTs交貨周期多呈上升態(tài)勢(shì)，行業(yè)供應(yīng)偏緊。價(jià)格上，二極管價(jià)格微增，Mosfets價(jià)格下降，但整體行業(yè)呈現(xiàn)量增價(jià)穩(wěn)趨勢(shì)。 三大維度解讀功率器件最新供需動(dòng)態(tài)： 市場(chǎng)需求分析 圖 | 二極管四方維商品動(dòng)
    1924
    05/19 10:00
    元器件交易動(dòng)態(tài)周報(bào)-本土汽車(chē)、消費(fèi)電子的強(qiáng)勁表現(xiàn)帶動(dòng)功率器件需求上升
  • 確?？煽啃裕?碳化硅產(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
    作者：Catherine De Keukeleire，安森美寬禁帶可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān) 從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē) (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。 第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。 與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC
    確?？煽啃裕?碳化硅產(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
  • ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET，助力快速充電應(yīng)用
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另外，通過(guò)在一個(gè)器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保
    ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET，助力快速充電應(yīng)用
  • 硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
    隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅IGBT和碳化硅MOSFET作為主要功率開(kāi)關(guān)器件，在電力變換、驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域都扮演著重要角色。兩者在性能、功耗、效率等方面有著不同特點(diǎn)，本文將探討硅IGBT和碳化硅MOSFET的特性，并對(duì)它們的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)對(duì)比分析。
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    05/30 14:29
  • MOSFET的寄生電容及其溫度特性介紹
    金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是現(xiàn)代電子器件中廣泛應(yīng)用的一種重要元件，常見(jiàn)于集成電路和功率電子領(lǐng)域。在實(shí)際應(yīng)用中，MOSFET的性能受到多種因素的影響，其中寄生電容和溫度特性是兩個(gè)重要的參數(shù)。

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