IGBT

• 透視7家SiC/IGBT上市企業(yè)薪酬秘密

  前段時(shí)間，眾多與碳化硅相關(guān)的功率半導(dǎo)體上市企業(yè)發(fā)布了2024年財(cái)報(bào)，在這些上市企業(yè)中，各自的薪酬水平如何？他們之間的薪酬有何差異？基于此，本期“產(chǎn)業(yè)透視”選取了7家在A股上市的SiC/IGBT相關(guān)器件/模塊企業(yè)，分別是士蘭微、芯聯(lián)集成、中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、華潤(rùn)微、宏微科技、揚(yáng)杰科技，將從人均薪酬、研發(fā)人員薪酬、銷(xiāo)售人員薪酬和高管薪酬等維度入手，對(duì)其人員結(jié)構(gòu)和職工薪酬進(jìn)行分析。

  行家說(shuō)三代半

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  06/05 09:15

  SiC IGBT

  
• 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成

  在晶圓代工領(lǐng)域，有一家與晶合集成類(lèi)似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時(shí)間，公司成了為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導(dǎo)體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域，形成了覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已

  王兵

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  06/04 10:01

  SiC MOSFET

  
• 意法半導(dǎo)體在 2025 年?yáng)|南亞國(guó)際半導(dǎo)體展會(huì)展示邊緣人工智能和自動(dòng)化解決方案

  服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM) 參加了 5 月 20 日至 22 日的2025年?yáng)|南亞半導(dǎo)體展會(huì)（展位號(hào) L1901）。 在展會(huì)上，意法半導(dǎo)體展出了 10 多款激動(dòng)人心的展品，包括能夠識(shí)別手勢(shì)的邊緣人工智能傳感器、個(gè)人電子及家電無(wú)線連接解決方案?，以及與益登科技(EDOM)合作開(kāi)發(fā)的汽車(chē)動(dòng)力電池

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  05/30 17:28

  意法半導(dǎo)體 IGBT
• PPS注塑IGBT功率模塊外殼高性能解決方案

  IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的“CPU”，是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē)及新能源裝備等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。其外殼材料需具備耐高低溫、尺寸穩(wěn)定、耐漏電起痕等苛刻性能，以確保模塊在復(fù)雜環(huán)境下的可靠運(yùn)行。聚苯硫醚（PPS）憑借優(yōu)異的性能，通過(guò)注塑成型工藝為IGBT外殼提供了高性能解決方案。 一、PPS注塑IGBT功率模塊外殼具有以下應(yīng)用優(yōu)勢(shì) 電氣性能優(yōu)異

  常州瑞璐塑業(yè)

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  05/20 09:26

  IGBT 功率模塊
• 固晶錫膏如何征服高功率封裝 一文破解高密度封裝的散熱密碼

  固晶錫膏是專(zhuān)為芯片固晶設(shè)計(jì)的錫基焊料，通過(guò)冶金結(jié)合實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱連接，對(duì)比傳統(tǒng)銀膠與普通錫膏，具備超高導(dǎo)熱（60-70W/m?K）、高強(qiáng)度（剪切強(qiáng)度40MPa+）、精密填充（間隙5-50μm）等優(yōu)勢(shì)。分高溫型（SnAgCu）、中溫型（SnBi）、高導(dǎo)型，適用于功率半導(dǎo)體、LED 顯示、汽車(chē)電子、先進(jìn)封裝等場(chǎng)景，解決高功率散熱、振動(dòng)耐受、精密間隙填充等難題。選型需結(jié)合芯片耐溫、間隙精度、環(huán)境要求，以金屬級(jí)連接提升器件可靠性與性能上限，成為高端封裝的關(guān)鍵材料。

  傲牛科技

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  05/16 15:36

  汽車(chē)電子 IGBT
• 意法半導(dǎo)體車(chē)規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器提升電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)的可擴(kuò)展性和性能

  意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車(chē)規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設(shè)置的安全保護(hù)和豐富的診斷功能，確保電驅(qū)系統(tǒng)通過(guò)ISO 26262 ASIL D認(rèn)證。STGAP4S驅(qū)動(dòng)器集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 和反激式電源控制器，功能豐富，取得了功能安全標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，適用于設(shè)計(jì)可擴(kuò)展的電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)。 STGAP4S的設(shè)計(jì)靈活性歸功于輸出電路，該電路允許將高

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  05/12 18:12

  意法半導(dǎo)體 IGBT

  
• 芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長(zhǎng) 營(yíng)收同比超28%增長(zhǎng)

  百尺竿頭更進(jìn)一步，中流擊水正當(dāng)其時(shí)。 4月28日晚，芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年及2025年第一季度業(yè)績(jī)公告。2024年，公司各季度營(yíng)收節(jié)節(jié)攀升，以"新能源+智能化"雙引擎驅(qū)動(dòng)業(yè)務(wù)發(fā)展，在行業(yè)波動(dòng)中交出逆勢(shì)增長(zhǎng)答卷： 實(shí)現(xiàn)營(yíng)收65.09億，其中主營(yíng)收入62.76億元，同比增長(zhǎng)27.8% 歸母凈利潤(rùn)大幅減虧超50%，毛利率首次轉(zhuǎn)正達(dá)1.03% EBITDA（息稅折舊攤銷(xiāo)前利潤(rùn)）21.45億元，同比增長(zhǎng)

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  04/29 07:17

  晶圓代工 IGBT

  
• 黑龍江IGBT項(xiàng)目即將投產(chǎn)，年產(chǎn)能500萬(wàn)個(gè)

  4月21日，“大慶政事”報(bào)道了黑龍江功率模塊項(xiàng)目的建設(shè)進(jìn)展，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，年產(chǎn)能將達(dá)500萬(wàn)個(gè)。該報(bào)道提到，匯芯功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)制造項(xiàng)目是由廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司全資子公司——黑龍江匯芯半導(dǎo)體有限公司投資建設(shè)，該項(xiàng)目力爭(zhēng)5月底達(dá)到試生產(chǎn)條件，預(yù)計(jì)6月份實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，屆時(shí)，全球首條智能功率模塊AI示范封測(cè)線將投產(chǎn)。

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/25 14:07

  IGBT 功率模塊

  
• 南京IGBT/SiC功率模塊項(xiàng)目投產(chǎn)，年產(chǎn)250萬(wàn)只

  4月23日，丹佛斯動(dòng)力系統(tǒng)官方宣布，他們的南京功率模塊園區(qū)正式啟用,總投資超8億元，可年產(chǎn)IGBT/SiC功率模塊250萬(wàn)只，電機(jī)及電驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品10萬(wàn)套。

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/25 08:50

  IGBT SiC功率模塊

  
• 這家IGBT企業(yè)營(yíng)收達(dá)22億，增長(zhǎng)120%

  據(jù)“揚(yáng)州日?qǐng)?bào)”4月16日?qǐng)?bào)道，過(guò)去幾年揚(yáng)州市簽約落戶、開(kāi)工建設(shè)的一批制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目，已經(jīng)或即將成長(zhǎng)為工業(yè)經(jīng)濟(jì)的壓艙石，其中，比亞迪半導(dǎo)體在揚(yáng)州建設(shè)的功率半導(dǎo)體模組及晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目碩果累累。

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/17 14:31

  碳化硅 IGBT
• 走進(jìn)英飛凌無(wú)錫工廠，見(jiàn)證30年成長(zhǎng)路

  1995年，英飛凌（原西門(mén)子半導(dǎo)體事業(yè)部）進(jìn)入中國(guó)，在無(wú)錫建立了第一家工廠，開(kāi)啟在華發(fā)展的篇章。 1999年，西門(mén)子將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)剝離成立英飛凌科技（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“英飛凌”），彼時(shí)這家公司僅擁有5 萬(wàn)名員工，主要生產(chǎn)消費(fèi)電子芯片，無(wú)錫工廠也因此同步更名為英飛凌無(wú)錫。 2001年，英飛凌無(wú)錫工廠率先引入分立器件和智能卡芯片生產(chǎn)線，奠定了領(lǐng)先制造工藝的基礎(chǔ)。 2013年，啟動(dòng)智能工廠建設(shè)，開(kāi)啟數(shù)字化轉(zhuǎn)型之路 2015年，英飛凌半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司正式成立，加速在華智能制造步伐。 從2018年至今，英飛凌無(wú)錫工廠不斷豐富本土生產(chǎn)的產(chǎn)品組合，同時(shí)提升相關(guān)制造能力和工藝水平。

  夏珍

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  04/14 11:24

  與非觀察 英飛凌

  
• 新品 | IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產(chǎn)品

  英飛凌在此發(fā)布TRENCHSTOP? IGBT7 EconoDUAL? 3系列產(chǎn)品拓展，帶焊接針和帶預(yù)涂導(dǎo)熱材料版本(TIM)。

  英飛凌

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  04/10 08:36

  IGBT

  
• 2家IGBT/碳化硅企業(yè)爆單：增長(zhǎng)170%；單季600萬(wàn)顆

  新能源汽車(chē)和清潔能源市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)升溫。智新半導(dǎo)體和瀚薪科技作為行業(yè)內(nèi)的佼佼者，近期頻頻傳來(lái)訂單增長(zhǎng)的喜訊：

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/09 09:35

  碳化硅 IGBT

  
• 安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本

  安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM) 有助于實(shí)現(xiàn)能效和性能領(lǐng)先行業(yè)的更緊湊變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng) 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場(chǎng)截止（FS7） IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝

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  03/18 15:07

  安森美 IGBT

  
• CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車(chē)逆變器市場(chǎng)

  無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場(chǎng)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT

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  03/11 08:37

  GaN IGBT

  
• 東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

  東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開(kāi)始支持批量供貨。 在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì)產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出

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  03/06 09:07

  MOSFET IGBT

  
• 目標(biāo)20億！4家IGBT/SiC企業(yè)今年?duì)I收將大漲

  2025年開(kāi)年以來(lái)，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)呈現(xiàn)強(qiáng)勁發(fā)展勢(shì)頭。重慶平偉實(shí)業(yè)、樂(lè)山希爾電子、威海新佳電子及安徽陶芯科半導(dǎo)體等企業(yè)通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張和海外市場(chǎng)拓展，加速?zèng)_刺一季度“開(kāi)門(mén)紅”。其中：

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

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  02/26 09:03

  SiC IGBT

  
• 這家IGBT/SiC企業(yè)被收購(gòu)！營(yíng)收超6200萬(wàn)元

  近日，長(zhǎng)城汽車(chē)間接收購(gòu)了一家功率半導(dǎo)體企業(yè)80%股權(quán)。2月21日，長(zhǎng)城汽車(chē)發(fā)布公告稱(chēng)，其間接全資子公司諾博汽車(chē)科技有限公司與穩(wěn)晟科技(天津)有限公司簽訂股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，諾博科技擬使用自有資金人民幣379.215777萬(wàn)元收購(gòu)穩(wěn)晟科技持有的無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司80%的股權(quán)。

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

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  02/25 10:15

  SiC IGBT

  
• IGBT7模塊如何連續(xù)工作在175℃

  近幾年主流芯片制造廠商，包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問(wèn)世了第七代芯片，在芯片大小，芯片厚度，飽和壓降，開(kāi)關(guān)損耗等權(quán)衡之間進(jìn)行了升級(jí)。其中，最高工作結(jié)溫被提及的次數(shù)略多。

  Disciple

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  01/21 11:23

  IGBT IGBT模塊
• IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)指南，拿下！

  大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。

  安森美半導(dǎo)體

  2588

  01/21 11:00

  IGBT 并聯(lián)

  

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