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DDR2/DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯(lián)合委員會)進行開發(fā)的新生代內存技術標準,它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內存卻擁有兩倍以上一代DDR內存預讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預取)。換句話說,DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式,而不同于廣泛應用的TSOP/TSOP-Ⅱ封裝形式,F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎?;叵肫餌DR的發(fā)展歷程,從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術,第一代DDR的發(fā)展也走到了技
DDR2/DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯(lián)合委員會)進行開發(fā)的新生代內存技術標準,它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但DDR2內存卻擁有兩倍以上一代DDR內存預讀取能力(即:4bit數(shù)據(jù)讀預?。?。換句話說,DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式,而不同于廣泛應用的TSOP/TSOP-Ⅱ封裝形式,F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎?;叵肫餌DR的發(fā)展歷程,從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術,第一代DDR的發(fā)展也走到了技收起
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