碳化硅

• 12英寸SiC再添新玩家，8吋襯底已量產(chǎn)

  5月31日，合盛硅業(yè)在官微宣布，其下屬單位寧波合盛新材料有限公司成功研發(fā)12英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動(dòng)切、磨、拋等加工技術(shù)的研究。據(jù)了解，合盛新材料基于自主設(shè)計(jì)的SiC單晶生長(zhǎng)爐以及多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新坩堝設(shè)計(jì)，使用多孔與涂層石墨技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超大晶體所需的高通量生長(zhǎng)。

  行家說(shuō)三代半

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  06/04 09:09

  SiC 碳化硅

  
• 昔日巨頭破產(chǎn)在即，這個(gè)半導(dǎo)體賽道還是一門好生意嗎？

  近期，有消息稱美國(guó)芯片制造商Wolfspeed公司正準(zhǔn)備在數(shù)周內(nèi)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，該公司正艱難應(yīng)對(duì)其債務(wù)危機(jī)。雖是昔日全球碳化硅行業(yè)的頭部企業(yè)，但這些年Wolfspeed公司已逐漸掉隊(duì)，跟不上英飛凌、安森美以及國(guó)內(nèi)諸多友商的腳步。其在本月早些時(shí)候已表達(dá)了對(duì)自身持續(xù)經(jīng)營(yíng)能力的擔(dān)憂，并預(yù)測(cè)其年收入將低于預(yù)期。

  芯師爺

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  05/29 08:55

  碳化硅 碳化硅襯底

  
• 基本半導(dǎo)體提交上市申請(qǐng)，碳化硅模塊營(yíng)收年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)434.3%

  5月27日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司正式向港交所提交了A1申請(qǐng)表，開(kāi)啟赴港上市之路，有望成為中國(guó)碳化硅芯片上市第一股。中信證券、國(guó)金證券、中銀國(guó)際擔(dān)任聯(lián)席保薦人。

  行家說(shuō)三代半

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  05/28 10:06

  碳化硅 基本半導(dǎo)體

  
• 新型功率器件的老化特性：HTOL高溫工況老化測(cè)試

  隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。 目前，針對(duì)功率器件的老化測(cè)試主要包括多種不同的測(cè)試方式。其中，JEDEC制定的老化測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循環(huán)測(cè)試）主要針對(duì)傳統(tǒng)的硅基功率器件

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  493

  05/27 09:11

  碳化硅 功率器件

  
• 碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

  在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開(kāi)這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見(jiàn)：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。

  英飛凌

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  05/27 08:49

  碳化硅 SiC MOSFET
• Wolfspeed怎樣從“碳化硅標(biāo)桿”走到破產(chǎn)邊緣？

  據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》援引知情人士消息稱，半導(dǎo)體供應(yīng)商Wolfspeed準(zhǔn)備在未來(lái)幾周內(nèi)申請(qǐng)破產(chǎn)，目前該公司正面臨巨額債務(wù)問(wèn)題。報(bào)道稱，在拒絕債權(quán)人提出的多項(xiàng)庭外債務(wù)重組方案后，Wolfspeed正尋求依據(jù)美國(guó)《破產(chǎn)法》第11章申請(qǐng)破產(chǎn)，此舉將獲得多數(shù)債權(quán)人的支持。

  TechSugar

  969

  05/22 09:20

  碳化硅 Wolfspeed

  
• 英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

  SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四個(gè)支柱簡(jiǎn)單講，就是技術(shù)，質(zhì)量，產(chǎn)量和產(chǎn)品。垂直結(jié)構(gòu)的功率MOSFET（如CoolSiC?器件）通過(guò)體二極管提供反向?qū)窂?，可以用作變流器中的續(xù)流二極管。由于SiC的寬帶隙，該二極管的轉(zhuǎn)折電壓VT約為3V，相對(duì)較高。這意味著完全依賴其續(xù)流，連續(xù)工作將導(dǎo)致高導(dǎo)通損耗。

  英飛凌

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  05/20 15:14

  碳化硅 分立器件
• 確?？煽啃裕?碳化硅產(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造

  作者：Catherine De Keukeleire，安森美寬禁帶可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān) 從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。 第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。 與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC

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  05/16 16:44

  碳化硅 MOSFET

  
• 英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述（一）

  今天繼IGBT后，我們有了SiC MOSFET這一革命性的技術(shù)，也有了創(chuàng)新的產(chǎn)品，我們思考一下、預(yù)測(cè)一下碳化硅的潛力有多大，碳化硅能夠改變什么。

  英飛凌

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  05/13 10:50

  碳化硅 SiC技術(shù)
• 超15億！2個(gè)SiC項(xiàng)目開(kāi)工/即將投產(chǎn)

  近日，國(guó)內(nèi)外又新增2個(gè)碳化硅項(xiàng)目動(dòng)態(tài)：揚(yáng)杰科技：SiC車規(guī)級(jí)模塊項(xiàng)目總投資10億，已正式開(kāi)工；EYEQ Lab：8英寸SiC晶圓廠今年9月投產(chǎn)，年產(chǎn)能為14.4萬(wàn)片。

  行家說(shuō)三代半

  533

  05/13 08:40

  SiC 碳化硅

  
• 3家SiC企業(yè)推進(jìn)8英寸量產(chǎn)進(jìn)程

  近期，國(guó)內(nèi)有3家碳化硅企業(yè)透露了8英寸進(jìn)展，量產(chǎn)化進(jìn)程明顯加快：重投天科：6-8英寸碳化硅襯底和外延已推向市場(chǎng)；合盛硅業(yè)：8 英寸碳化硅襯底已開(kāi)始小批量生產(chǎn)，將加速量產(chǎn)進(jìn)程；超芯星：開(kāi)啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)，將推動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn)。

  行家說(shuō)三代半

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  05/08 09:18

  SiC 碳化硅

  
• 硅不夠用了，接下來(lái)靠什么？

  不久前，武漢光谷迎來(lái)了一場(chǎng)重磅活動(dòng)——2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)。這場(chǎng)會(huì)議的意義遠(yuǎn)不止于展示與交流。在展會(huì)的背后，一個(gè)更為深遠(yuǎn)的趨勢(shì)正在浮現(xiàn)：化合物半導(dǎo)體正從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)，成為推動(dòng)新一輪技術(shù)革命的核心力量。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  05/07 09:30

  碳化硅 晶圓

  
• 英飛凌推出新型CoolSiC JFET技術(shù)

  為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強(qiáng)大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過(guò)壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可

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  05/06 20:15

  英飛凌 碳化硅

  
• 碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相

  全社會(huì)都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型，而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu)中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的，但是這種多層級(jí)的能源轉(zhuǎn)換，每一步都會(huì)帶來(lái)一定的能耗損失，因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。

  英飛凌

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  04/24 10:05

  SiC 碳化硅

  
• 3家SiC企業(yè)透露進(jìn)展：芯片工廠投產(chǎn)、8英寸出貨量增加

  近日，“行家說(shuō)三代半”發(fā)現(xiàn)，士蘭微、揚(yáng)杰科技、晶盛機(jī)電皆公布了2024年財(cái)務(wù)報(bào)告，在碳化硅業(yè)務(wù)方面透露了諸多信息：4月19日，士蘭微公布了2024年年度報(bào)告，其中透露：報(bào)告期內(nèi)，士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入112.21億元，同比增長(zhǎng)20.14%；歸母凈利潤(rùn)2.2億元，比 2023 年增加2.56億元。

  行家說(shuō)三代半

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  04/22 10:50

  SiC 碳化硅

  
• 從本土突圍到全球布局，瑞能半導(dǎo)體攜創(chuàng)新方案亮相2025慕尼黑上海電子展

  日前，瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展（Electronica China 2025），全方位展示了其在碳化硅、IGBT、MOSFET等領(lǐng)域的最新突破成果。本次展會(huì)，瑞能半導(dǎo)體延續(xù)“高效、可靠、創(chuàng)新”的核心品牌理念，助力消費(fèi)電子、工業(yè)和大數(shù)據(jù)、可再生能源、汽車電子這四大核心應(yīng)用領(lǐng)域的高效發(fā)展。在全球能源轉(zhuǎn)型與智能化浪潮加速的背景下，瑞能半導(dǎo)體正成為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核

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  04/21 08:54

  碳化硅 功率半導(dǎo)體

  
• 這家IGBT企業(yè)營(yíng)收達(dá)22億，增長(zhǎng)120%

  據(jù)“揚(yáng)州日?qǐng)?bào)”4月16日?qǐng)?bào)道，過(guò)去幾年揚(yáng)州市簽約落戶、開(kāi)工建設(shè)的一批制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目，已經(jīng)或即將成長(zhǎng)為工業(yè)經(jīng)濟(jì)的壓艙石，其中，比亞迪半導(dǎo)體在揚(yáng)州建設(shè)的功率半導(dǎo)體模組及晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目碩果累累。

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/17 14:31

  碳化硅 IGBT
• 直擊慕展Day2｜“平臺(tái)化、智能化”雙驅(qū)動(dòng)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈迎接全球新機(jī)遇

  在科技浪潮中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為核心支柱，正經(jīng)歷著深刻變革。一方面，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈，且國(guó)際政策環(huán)境復(fù)雜多變，供應(yīng)鏈穩(wěn)定性頻頻受擾，讓產(chǎn)業(yè)前行之路布滿荊棘。但另一方面，人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，又為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)辟了廣闊的市場(chǎng)空間。在此挑戰(zhàn)與機(jī)遇交織之際，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)走向備受矚目。 4月15日-17日舉行的慕尼黑上海電子展，Supplyframe四方維以“芯耀計(jì)劃”（Atlas

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  04/17 08:51

  MCU 碳化硅
• 近20家SiC企業(yè)齊聚，誰(shuí)將引領(lǐng)行業(yè)新風(fēng)向？

  4月15日至17日，慕尼黑上海電子展盛大舉行。本屆展會(huì)規(guī)?？涨埃藖?lái)自全球的1800家展商參展。在本屆展會(huì)中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)成為亮點(diǎn)，多家廠商集中展示了其在高效能、新能源領(lǐng)域的突破性產(chǎn)品與技術(shù)，包括SiC功率模塊、GaN快充芯片以及相關(guān)應(yīng)用解決方案。這些技術(shù)憑借其高效率、低損耗的特性，正在推動(dòng)電動(dòng)汽車、工業(yè)電源等行業(yè)的快速發(fā)展。

  行家說(shuō)三代半

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  04/16 13:07

  半導(dǎo)體 SiC

  
• 意法半導(dǎo)體監(jiān)事會(huì)聲明

  意法半導(dǎo)體有限公司 (STMicroelectronics N.V.) 監(jiān)事會(huì)對(duì) 4 月 9 日意大利媒體的報(bào)道作出三點(diǎn)評(píng)論： 關(guān)于公司管理委員會(huì)兩名成員在財(cái)報(bào)發(fā)布前夕進(jìn)行個(gè)人交易的指控不實(shí)。在公司股票封鎖期內(nèi)出售股票活動(dòng)是由公司股票計(jì)劃專員通過(guò)自動(dòng)程序完成的，遵守了瑞士企業(yè)管理委員會(huì)稅法規(guī)定，且合法合規(guī)，符合公司政策。在目前正在進(jìn)行的集體訴訟中，監(jiān)事會(huì)已審查相關(guān)流程，并認(rèn)為公司能夠?qū)@些指控進(jìn)行

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  04/15 08:51

  碳化硅 意法半導(dǎo)體

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