芯耀
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近期，有消息稱美國(guó)芯片制造商Wolfspeed公司正準(zhǔn)備在數(shù)周內(nèi)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，該公司正艱難應(yīng)對(duì)其債務(wù)危機(jī)。
雖是昔日全球碳化硅行業(yè)的頭部企業(yè)，但這些年Wolfspeed公司已逐漸掉隊(duì)，跟不上英飛凌、安森美以及國(guó)內(nèi)諸多友商的腳步。其在本月早些時(shí)候已表達(dá)了對(duì)自身持續(xù)經(jīng)營(yíng)能力的擔(dān)憂，并預(yù)測(cè)其年收入將低于預(yù)期。
Wolfspeed公司走向破產(chǎn)邊緣的原因有很多，包括高額的債務(wù)和財(cái)務(wù)成本不斷消耗其現(xiàn)金流，導(dǎo)致研發(fā)與市場(chǎng)開(kāi)拓舉步維艱；也有碳化硅行業(yè)整體面臨技術(shù)瓶頸難以進(jìn)步，較低的良率導(dǎo)致生產(chǎn)成本過(guò)高，下游客戶不買單；還有中國(guó)碳化硅選手看到細(xì)分賽道的發(fā)展前景，前赴后繼進(jìn)入這個(gè)行業(yè)，不斷堆產(chǎn)能，通過(guò)各種方式搶占市場(chǎng)份額；以及公司管理層在資本配置、執(zhí)行和戰(zhàn)略方面存在各種失誤，沒(méi)能較好地應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化和挑戰(zhàn)。
值得一提的是，近半年內(nèi)，碳化硅行業(yè)內(nèi)不僅有Wolfspeed公司這樣的昔日巨頭陷入破產(chǎn)危機(jī)，我國(guó)曾經(jīng)的碳化硅明星企業(yè)——世紀(jì)金光也在去年末因?yàn)橘Y不抵債，進(jìn)入破產(chǎn)清算程序。世紀(jì)金光的沒(méi)落也有著諸多內(nèi)在原因，盲目擴(kuò)張、技術(shù)實(shí)力不足、資金鏈斷裂、市場(chǎng)需求疲軟等不一而足。
兩家昔日明星企業(yè)不復(fù)昔日光景背后有個(gè)共性原因，那便是經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展，碳化硅行業(yè)從一個(gè)充滿想象空間的新興賽道，逐漸轉(zhuǎn)變成一個(gè)有著光明前景但已出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)剩的行業(yè)。數(shù)據(jù)顯示，2024年，國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)注銷超過(guò)5千家。
此前，有碳化硅行業(yè)資深人士向芯師爺稱，根據(jù)其近兩年的觀察，國(guó)內(nèi)的碳化硅行業(yè)早已進(jìn)入淘汰賽，前兩年在競(jìng)標(biāo)項(xiàng)目中比較常見(jiàn)的許多同行，已經(jīng)逐漸不見(jiàn)身影。另有多位碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從業(yè)者向芯師爺透露，現(xiàn)在碳化硅行業(yè)太卷了，價(jià)格方面沒(méi)有最低只有更低，很多項(xiàng)目其實(shí)根本不賺錢，但是為了保證出貨沒(méi)有辦法，只能硬著頭皮去做。
根據(jù)報(bào)道，由于前期過(guò)度投資，近期國(guó)內(nèi)碳化硅材料供過(guò)于求，且下游電動(dòng)汽車率先進(jìn)入競(jìng)爭(zhēng)性降價(jià)，引起2023年末開(kāi)始大幅降價(jià)，6英寸碳化硅以6000元/片降至去年底1500元/片左右，單賣碳化硅的企業(yè)，已處于虧損狀態(tài)。
就這樣，碳化硅還是一門好生意嗎？
從當(dāng)下看，目前碳化硅行業(yè)似乎還處于賠本賺吆喝的階段，真正賺錢的企業(yè)并不多。著眼于未來(lái)，碳化硅的前景十分光明，其作為新一代半導(dǎo)體材料的杰出代表，碳化硅以其卓越的物理和化學(xué)屬性，正在引領(lǐng)半導(dǎo)體器件性能的革命，相比傳統(tǒng)的硅基IGBT，碳化硅更加耐高溫、耐高壓，還擁有更高的熱導(dǎo)率。
目前我國(guó)大熱的新能源汽車、風(fēng)電、光伏、5G通信、軍工等場(chǎng)景都有碳化硅的用武之地，碳化硅行業(yè)必然有著非常不錯(cuò)的未來(lái)。以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件，因其優(yōu)秀的耐高溫、耐高壓、抗輻射等特性，正在逐步替代硅基半導(dǎo)體功率器件的市場(chǎng)空間，越來(lái)越多的企業(yè)加入了第三代半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)行列。
數(shù)據(jù)顯示，2021-2027年，全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模將由10.9億美元增長(zhǎng)到62.97億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)34%。國(guó)家對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面也有一定力度的支持。《“十四五”規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》中提出，我國(guó)將加速推動(dòng)以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，催生一批高速成長(zhǎng)的新材料企業(yè)。
不過(guò)，隨著時(shí)間的推移，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)格局將會(huì)發(fā)生變化，在當(dāng)下的行情之下，不具備規(guī)模優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)的中小型碳化硅企業(yè)的生存難度將越來(lái)越大，市場(chǎng)的投資與行業(yè)資源將會(huì)向頭部企業(yè)集中，一方面頭部企業(yè)的抗風(fēng)險(xiǎn)能力更強(qiáng)，在供貨穩(wěn)定性方面更有保障，往往技術(shù)方面也相對(duì)更先進(jìn)，另一方面在規(guī)模效應(yīng)之下，頭部企業(yè)可以提供相對(duì)低產(chǎn)品價(jià)格時(shí)保障質(zhì)量。
CIC灼識(shí)咨詢執(zhí)行董事余怡然此前接受21世紀(jì)財(cái)經(jīng)報(bào)道采訪時(shí)曾表示，“隨著碳化硅降價(jià)趨勢(shì)，預(yù)計(jì)2025年行業(yè)兼并整合可能會(huì)加劇。原因包括成本壓力的增加、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的提升需求以及技術(shù)發(fā)展的需求。價(jià)格下降導(dǎo)致利潤(rùn)空間壓縮，企業(yè)可能通過(guò)兼并整合降低成本、提高效率。同時(shí)，為了保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力和適應(yīng)技術(shù)發(fā)展，企業(yè)可能會(huì)尋求通過(guò)收購(gòu)獲取關(guān)鍵技術(shù)和客戶資源，以保持在市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力?！?/p>
哪些碳化硅領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)玩家，能在這場(chǎng)行業(yè)淘汰賽中沖出重圍？
1碳化硅器件
芯聯(lián)集成
2021年，察覺(jué)到市場(chǎng)的變化，在功率半導(dǎo)體和晶圓代工方面有著深厚技術(shù)積累的芯聯(lián)集成切入碳化硅市場(chǎng)。
經(jīng)過(guò)三年多的發(fā)展，其碳化硅業(yè)務(wù)已經(jīng)有了不小的規(guī)模。根據(jù)公司2024年年報(bào)數(shù)據(jù)，芯聯(lián)集成實(shí)現(xiàn)碳化硅業(yè)務(wù)收入10.16億元，同比增長(zhǎng)超100%。
目前，芯聯(lián)集成已在多家國(guó)內(nèi)外OEM和Tier1客戶進(jìn)行量產(chǎn)，更多客戶處于定點(diǎn)+產(chǎn)品導(dǎo)入階段。在車規(guī)級(jí)產(chǎn)品工藝方面，SiC工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局，部分工藝平臺(tái)已完成了全系列產(chǎn)品參數(shù)及可靠性驗(yàn)證，進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)階段。在技術(shù)迭代方面，公司已實(shí)現(xiàn)了平面型SiCMOSFET產(chǎn)品兩年迭3代，產(chǎn)品已順利投入量產(chǎn)。在產(chǎn)線建設(shè)方面，公司8英寸SiCMOSFET已實(shí)現(xiàn)工程批下線及通線，預(yù)計(jì)2025年下半年量產(chǎn)。
今年4月份，芯聯(lián)集成發(fā)布公告稱，將收購(gòu)芯聯(lián)越州72.33%股權(quán)，實(shí)現(xiàn)完全控股。收購(gòu)?fù)瓿珊?，芯?lián)集成計(jì)劃加快8英寸布局，將芯聯(lián)越州現(xiàn)有?1?萬(wàn)片/月?8?英寸硅基產(chǎn)線及?8?千片/月?6?英寸碳化硅產(chǎn)線逐步改造為?8?英寸碳化硅產(chǎn)線。
士蘭微
士蘭微成立于1997年，至今接近30年時(shí)間，是國(guó)內(nèi)收入及產(chǎn)能規(guī)模最大的純半導(dǎo)體 IDM 公司。根據(jù)英飛凌發(fā)布的2025財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)，2024年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)總規(guī)模為323億美元。士蘭微電子以3.3%的市場(chǎng)占有率躍升至全球第六。
在碳化硅領(lǐng)域，士蘭微也早有布局。根據(jù)士蘭微4月份發(fā)布的相關(guān)公告，截至4月初，“公司已完成第Ⅳ代平面柵?SiC-MOSFET?技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標(biāo)接近溝槽柵SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評(píng)測(cè)，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計(jì)將于2025年上量?！?/p>
目前，士蘭明鎵（士蘭微子公司）已形成月產(chǎn)9,000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能 力?；谧灾餮邪l(fā)的Ⅱ代?SiC-MOSFET?芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模 塊在4家國(guó)內(nèi)汽車廠家累計(jì)出貨量5萬(wàn)只，客戶端反映良好。截至2024年底，士蘭集宏（士蘭微子公司）8英寸SiC mini line已實(shí)現(xiàn)通線，公司Ⅱ代SiC芯片已在8英寸mini line上試流片成功，其參數(shù)與公司6英寸產(chǎn)品匹配，良品率明顯高于6英寸。士蘭集宏主廠房及其他建筑物已全面封頂，正在進(jìn)行凈化裝修，預(yù)計(jì)將在2025年4季度實(shí)現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)，以趕上2026年車用SiC市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)。
比亞迪半導(dǎo)體
借助新能源浪潮，比亞迪一躍成為國(guó)內(nèi)汽車銷冠，其在碳化硅領(lǐng)域的實(shí)力也相當(dāng)不俗。
早在2020年，其便在碳化硅方面取得重大技術(shù)突破。當(dāng)年12月，比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀表示，“車規(guī)級(jí)的IGBT已經(jīng)走到5代，碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代，第4代正在開(kāi)發(fā)當(dāng)中。正在規(guī)劃自建產(chǎn)線?！?/p>
比亞迪是全球最早布局碳化硅的汽車企業(yè)之一。在SiC器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品主要包括主要包括SiC單管和SiC模塊，采取IDM經(jīng)營(yíng)模式，已形成包含芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝與測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用測(cè)試的完整產(chǎn)業(yè)鏈。值得一提的是，比亞迪半導(dǎo)體是全球首家實(shí)現(xiàn)SiC三相全橋模塊在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中大批量裝車的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商。
今年三月份，比亞迪首次展示了其自主研發(fā)的1500V車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊，命名為"SiC 3.0"。該芯片采用了8英寸晶圓工藝，導(dǎo)通電阻降至1.2mΩ·cm2，開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100kHz，能夠在極端條件下保持高效穩(wěn)定的運(yùn)行。
三安光電
三安光電成立于2000年，是目前國(guó)內(nèi)LED芯片龍頭，有著相當(dāng)大的市場(chǎng)份額。不過(guò)，三安光電的業(yè)績(jī)也隨著LED市場(chǎng)而波動(dòng)。2018-2019年，LED行業(yè)經(jīng)歷著去產(chǎn)能、去庫(kù)存，而彼時(shí)的碳化硅市場(chǎng)相對(duì)火熱。
2020年6月，三安光電決定斥資160億元，建設(shè)碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。同年七月，湖南三安半導(dǎo)體在長(zhǎng)沙成立，主要提供SiC MOSFET/SBD、SiC襯底/外延、車規(guī)級(jí)SiC功率模塊代工等。根據(jù)三安光電2024年年報(bào)信息，湖南三安半導(dǎo)體擁有碳化硅配套產(chǎn)能超?16,000片/月和硅基氮化鎵2,000片/月，產(chǎn)能正逐步釋放。報(bào)告期內(nèi)，湖南三安實(shí)現(xiàn)銷售收入13.54?億元，凈利潤(rùn)-0.95億元。
2023年6月，三安光電與意法半導(dǎo)體擬出資32億美元合資建造一座8英寸碳化硅外延、芯片代工廠。同時(shí)，三安光電將在當(dāng)?shù)鬲?dú)資建立一個(gè)8英寸碳化硅襯底工廠作為配套，預(yù)計(jì)投資總額70億元，這便是重慶三安半導(dǎo)體。三安光電年報(bào)數(shù)據(jù)顯示，重慶三安主要從事碳化硅長(zhǎng)晶、襯底制造業(yè)務(wù)，計(jì)劃總投資金額約70億元（含土地使用權(quán)和流動(dòng)資金），?項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能約48萬(wàn)片/年，其襯底項(xiàng)目于2024年8月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線點(diǎn)亮通線。
揚(yáng)杰科技
根據(jù)年報(bào)信息，揚(yáng)杰科技在是碳化硅尤其是SiC MOS市場(chǎng)份額持續(xù)增加，當(dāng)前各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器電源、新能源汽車、光伏、充電樁、儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。計(jì)劃于2025年Q4開(kāi)展全國(guó)產(chǎn)主驅(qū)碳化硅模塊的工藝、可靠性驗(yàn)證。在碳化硅的研發(fā)方面，揚(yáng)杰科技主要針對(duì)1200V 80mΩ平面柵碳化硅MOSFET開(kāi)發(fā)，該項(xiàng)目產(chǎn)品的研究目的是設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)1200V 80mΩ系列碳化硅?MOSFET，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，并應(yīng)用于 新能源汽車和充電樁領(lǐng)域。
5月10日，揚(yáng)杰科技方面官宣，其?SiC?車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目正式破土動(dòng)工。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資規(guī)模達(dá)?10?億元，項(xiàng)目將聚焦車規(guī)級(jí)框架式、塑封式?IGBT?模塊及?SiC MOSFET?模塊等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)，旨在實(shí)現(xiàn)高端功率半導(dǎo)體模塊的國(guó)產(chǎn)化替代。項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年開(kāi)票銷售額?10?億元。
泰科天潤(rùn)
泰科天潤(rùn)成立于2011年，是中國(guó)碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)化領(lǐng)軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅器件研發(fā)與制造，并提供應(yīng)用解決方案。公司有13年碳化硅器件量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，涵蓋研發(fā)、制造、工藝、品控、應(yīng)用方案和銷售六個(gè)方向。總部坐落于北京，是一家IDM企業(yè)，擁有兩條碳化硅芯片晶圓生產(chǎn)線。其中泰科天潤(rùn)湖南6寸晶圓線已累計(jì)完成超３萬(wàn)片流片和銷售，此外北京8寸晶圓線已開(kāi)工建設(shè)，2025年可實(shí)現(xiàn)通線投產(chǎn)。
同時(shí)，公司建有可靠性實(shí)驗(yàn)室、器件評(píng)估實(shí)驗(yàn)室、失效分析實(shí)驗(yàn)室、系統(tǒng)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室，為向客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品提供有力保障。泰科天潤(rùn)的碳化硅產(chǎn)品范圍覆蓋650V-3300V（0.5A-100A）等多種規(guī)格，已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等多個(gè)領(lǐng)域，并屢次獲得行業(yè)優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)。
真茂佳
真茂佳成立于2016年，是一家專注于車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。目前客戶群體已覆蓋24+OEM汽車品牌，累計(jì)出貨量達(dá)數(shù)10億顆級(jí)別，產(chǎn)品種類包括260+車規(guī)MOSFET，為全球Top級(jí)的車規(guī)MOSFET方案提供商，也是國(guó)內(nèi)量產(chǎn)車規(guī)MOSFET種類最多且連續(xù)出貨時(shí)間最長(zhǎng)的民族品牌！
在碳化硅領(lǐng)域，真茂佳也有所積累，其擁有10+年SiC產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，掌握先進(jìn)的碳化硅（SiC）MOSFET設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝，并擁有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)。在此前的慕尼黑上海電子展上，真茂佳展示了650V-3300V全系列的SiC產(chǎn)品，其中650V-1200V車規(guī)級(jí)/非車規(guī)產(chǎn)品主要可應(yīng)用于新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、OBC（車載充電機(jī)）及DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供超低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和快速開(kāi)關(guān)特性，顯著提升整車能效比，助力800V高壓平臺(tái)車型實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)續(xù)航與更短充電時(shí)間，其1700V-3300V工業(yè)及光伏產(chǎn)品則面向光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器、柔性直流輸電等領(lǐng)域，以高耐壓、高可靠性和抗浪涌能力，保障兆瓦級(jí)系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行，降低全生命周期度電成本！
2碳化硅襯底
碳化硅襯底是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體最重要的材料之一。作為制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料，碳化硅襯底分為半絕緣型碳化硅襯底和導(dǎo)電型碳化硅襯底，主要應(yīng)用于以?5G?通信、國(guó)防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域。
在天岳先進(jìn)與天科合達(dá)之前，碳化硅襯底長(zhǎng)期以來(lái)由美國(guó)、歐洲、日本三方壟斷，其中，美國(guó)全球獨(dú)大，擁有全球最大的碳化硅企業(yè)美國(guó)科銳公司，占?85%?以上的全球市場(chǎng)份額。
天科合達(dá)
北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司于2006年9月由新疆天富集團(tuán)、中國(guó)科學(xué)院物理研究所共同設(shè)立，是國(guó)內(nèi)首家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。天科合達(dá)目前擁有北京總部基地、北京研發(fā)中心和三家全資子公司。
經(jīng)過(guò)多年的努力，天科合達(dá)成功實(shí)現(xiàn)了2、4、6英寸碳化硅襯底的研發(fā)和量產(chǎn)，并在2021年成功實(shí)現(xiàn)了8英寸襯底的研發(fā)和量產(chǎn)。2024年，天科合達(dá)深圳生產(chǎn)基地還實(shí)現(xiàn)了6英寸和8英寸外延產(chǎn)品的成功量產(chǎn)。在8英寸碳化硅外延材料方面，天科合達(dá)也取得了重要突破。公司成功解決了摻雜濃度和厚度均勻性的控制問(wèn)題，以及低缺陷密度的控制問(wèn)題。目前，天科合達(dá)的8英寸外延產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了摻雜濃度、摻雜厚度均勻性的高質(zhì)量目標(biāo)，可用面積也達(dá)到了99%以上。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的2024年全球碳化硅襯底市場(chǎng)報(bào)告，天科合達(dá)市場(chǎng)份額達(dá)17.3%，僅次于市場(chǎng)份額為33.7%的Wolfspeed。
天岳先進(jìn)
值得一提的是，當(dāng)天科合達(dá)位居碳化硅襯底市場(chǎng)第二的時(shí)候，另一家山東企業(yè)——天岳先進(jìn)以17.1%的市占率位居行業(yè)第三。截至2024年末，公司及下屬子公司累計(jì)獲得發(fā)明專利授權(quán)194項(xiàng)，實(shí)用新型專利授權(quán)308項(xiàng)，其中境外發(fā)明專利授權(quán)14項(xiàng)。根據(jù)Yole旗下的知識(shí)產(chǎn)權(quán)調(diào)查公司數(shù)據(jù)，公司在碳化硅襯底專利領(lǐng)域，位列全球前五。
天岳先進(jìn)成立于2010年11月，是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。經(jīng)過(guò)多年的積累與技術(shù)攻關(guān)，最終相繼研發(fā)出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅單晶生長(zhǎng)爐，攻克了碳化硅晶體切割、研磨、拋光等系列加工技術(shù)難題，摸索出一條成熟穩(wěn)定的碳化硅襯底材料生產(chǎn)、加工工藝路線。根據(jù)Yole?研究報(bào)告，自2019年以來(lái)，天岳先進(jìn)在半絕緣型碳化硅襯底全球市占率連續(xù)數(shù)年穩(wěn)居世界前三。
根據(jù)天岳先進(jìn)2024年年報(bào)信息，其是全球少數(shù)能夠批量出貨8英寸碳化硅襯底的市場(chǎng)參與者之一。2024?年?11月，公司向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底；2024?年?11月，推出業(yè)內(nèi)首款12英寸碳化硅襯底。
3碳化硅外延
碳化硅外延是指在碳化硅襯底的表面生長(zhǎng)出的一層質(zhì)量更高的單晶材料。碳化硅外延可用于制造各類功率器件，如新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、航空航天等領(lǐng)域。數(shù)據(jù)顯示，襯底和外延作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié)，分別占碳化硅功率器件成本結(jié)構(gòu)的47%和23%。
優(yōu)質(zhì)的碳化硅外延生長(zhǎng)工藝不僅可以改進(jìn)碳化硅襯底缺陷，還可以減少外延自身生長(zhǎng)缺陷，大幅提升下游器件的良率和性能。不過(guò)，高質(zhì)量碳化硅外延的技術(shù)及生產(chǎn)壁壘比較高，因此供應(yīng)相對(duì)緊俏。
天域半導(dǎo)體
天域半導(dǎo)體成立于2009年，是我國(guó)首家技術(shù)領(lǐng)先的專業(yè)碳化硅外延片供應(yīng)商。資料顯示，其是我國(guó)首批實(shí)現(xiàn)4英寸及6英寸碳化硅外延片量產(chǎn)的公司之一，及首批擁有量產(chǎn)8英寸碳化硅外延片能力的公司之一。截至2024年10月31日，公司6英寸及8英寸外延片的年度產(chǎn)能約為420,000片，成為我國(guó)具備6英寸及8英寸外延片產(chǎn)能的最大公司之一。
根據(jù)天域半導(dǎo)體招股書(shū)數(shù)據(jù)，在過(guò)去的2021年、2022年、2023年和2024年上半年，天域半導(dǎo)體的營(yíng)業(yè)收入分別為人民幣1.55億、4.37億、11.71億和3.61億元，相應(yīng)的凈利潤(rùn)分別為人民幣-1.80億、281.4萬(wàn)、9588.2萬(wàn)和-1.41億元。
瀚天天成
瀚天天成成立于2011年，專注于碳化硅外延晶片的研發(fā)、量產(chǎn)及銷售。
據(jù)公開(kāi)報(bào)道，瀚天天成牽頭主導(dǎo)編寫了全球首個(gè)及目前唯一的碳化硅外延國(guó)際SEMI標(biāo)準(zhǔn)。公司在全球率先實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延晶片大批量外供，也是國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)商業(yè)化3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片批量供應(yīng)的生產(chǎn)商。早在2023年，該公司便宣布所生產(chǎn)的8英寸碳化硅外延晶片的質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，即厚度不均勻性小于3%，濃度不均勻性小于6%，2mm*2mm管芯良率達(dá)到98%以上。
根據(jù)灼識(shí)咨詢的報(bào)告，自2023年來(lái)，按年銷售片數(shù)計(jì)，瀚天天成是全球最大的碳化硅外延供貨商，2024年的市場(chǎng)份額超過(guò)30%。全球前5大碳化硅功率器件巨頭中有4家以及全球前10大功率器件巨頭中有7家是該公司的客戶。
近期，瀚天天成碳化硅產(chǎn)業(yè)園二期項(xiàng)目主體封頂。項(xiàng)目總投資6.3億元，占地面積29002.015平方米，其中一期項(xiàng)目已建成投產(chǎn)。 項(xiàng)目擬建設(shè)6英寸SiC外延晶片生產(chǎn)線項(xiàng)目，建成投產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)值30億元。
