碳化硅

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碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。收起

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    5月31日，合盛硅業(yè)在官微宣布，其下屬單位寧波合盛新材料有限公司成功研發(fā)12英寸（300mm）導電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動切、磨、拋等加工技術的研究。據(jù)了解，合盛新材料基于自主設計的SiC單晶生長爐以及多年的技術攻關，創(chuàng)新坩堝設計，使用多孔與涂層石墨技術，實現(xiàn)超大晶體所需的高通量生長。
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  • 昔日巨頭破產在即，這個半導體賽道還是一門好生意嗎？
    近期，有消息稱美國芯片制造商Wolfspeed公司正準備在數(shù)周內申請破產保護，該公司正艱難應對其債務危機。雖是昔日全球碳化硅行業(yè)的頭部企業(yè)，但這些年Wolfspeed公司已逐漸掉隊，跟不上英飛凌、安森美以及國內諸多友商的腳步。其在本月早些時候已表達了對自身持續(xù)經營能力的擔憂，并預測其年收入將低于預期。
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  • 基本半導體提交上市申請，碳化硅模塊營收年復合增長率達434.3%
    5月27日，深圳基本半導體股份有限公司正式向港交所提交了A1申請表，開啟赴港上市之路，有望成為中國碳化硅芯片上市第一股。中信證券、國金證券、中銀國際擔任聯(lián)席保薦人。
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  • 新型功率器件的老化特性：HTOL高溫工況老化測試
    隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關注的焦點。 目前，針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試方式。其中，JEDEC制定的老化測試標準（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循環(huán)測試）主要針對傳統(tǒng)的硅基功率器件
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  • 碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相
    在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術創(chuàng)新應對這些挑戰(zhàn)。
  • Wolfspeed怎樣從“碳化硅標桿”走到破產邊緣？
    據(jù)《華爾街日報》援引知情人士消息稱，半導體供應商Wolfspeed準備在未來幾周內申請破產，目前該公司正面臨巨額債務問題。報道稱，在拒絕債權人提出的多項庭外債務重組方案后，Wolfspeed正尋求依據(jù)美國《破產法》第11章申請破產，此舉將獲得多數(shù)債權人的支持。
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  • 英飛凌碳化硅產品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)
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  • 確保可靠性： 碳化硅產品上市前的開發(fā)與制造
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  • 英飛凌碳化硅SiC技術創(chuàng)新的四大支柱綜述（一）
    今天繼IGBT后，我們有了SiC MOSFET這一革命性的技術，也有了創(chuàng)新的產品，我們思考一下、預測一下碳化硅的潛力有多大，碳化硅能夠改變什么。
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    近日，國內外又新增2個碳化硅項目動態(tài)：揚杰科技：SiC車規(guī)級模塊項目總投資10億，已正式開工；EYEQ Lab：8英寸SiC晶圓廠今年9月投產，年產能為14.4萬片。
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  • 3家SiC企業(yè)推進8英寸量產進程
    近期，國內有3家碳化硅企業(yè)透露了8英寸進展，量產化進程明顯加快：重投天科：6-8英寸碳化硅襯底和外延已推向市場；合盛硅業(yè)：8 英寸碳化硅襯底已開始小批量生產，將加速量產進程；超芯星：開啟8英寸碳化硅襯底量產，將推動大規(guī)模量產。
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  • 硅不夠用了，接下來靠什么？
    不久前，武漢光谷迎來了一場重磅活動——2025九峰山論壇暨化合物半導體產業(yè)博覽會。這場會議的意義遠不止于展示與交流。在展會的背后，一個更為深遠的趨勢正在浮現(xiàn)：化合物半導體正從實驗室走向市場，成為推動新一輪技術革命的核心力量。
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  • 英飛凌推出新型CoolSiC JFET技術
    為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態(tài)保護與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應用中實現(xiàn)可
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