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電路方案

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設(shè)計(jì)資料

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  • LTspice中的 .tf 仿真命令
    本文介紹了LTspice仿真軟件中的.tf命令，該命令可用于計(jì)算直流小信號(hào)傳遞函數(shù)、輸入輸出阻抗等參數(shù)。通過一個(gè)單管共射放大電路的實(shí)例，展示了如何利用.tf命令分析三極管在不同偏置電壓下的放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗特性。仿真結(jié)果表明：當(dāng)基極電壓超過0.7V時(shí)輸入阻抗驟降至1kΩ；輸出阻抗在導(dǎo)通區(qū)下降，飽和區(qū)急劇降低；放大倍數(shù)在0.72V偏置時(shí)達(dá)到峰值-362。文章還演示了如何結(jié)合.step命令分析不同工作點(diǎn)下的傳遞函數(shù)特性，為電路設(shè)計(jì)提供了實(shí)用分析方法。 （全文148字，包含關(guān)鍵參數(shù)和核心結(jié)論）
    LTspice中的 .tf 仿真命令
  • 受用一生的定理：阿姆達(dá)爾定律
    阿姆達(dá)爾定律(Amdahl's Law)提供了一個(gè)最佳情況的估算，即通過優(yōu)化系統(tǒng)的特定部分可以提升多少系統(tǒng)性能，用于預(yù)測(cè)并行任務(wù)中系統(tǒng)性能提升的理論上限。該定律是由計(jì)算機(jī)科學(xué)家吉恩·阿姆達(dá)爾(Gene Amdahl, 1922-2015)于1967年提出的。
    受用一生的定理：阿姆達(dá)爾定律
  • 中微公司尹志堯：將持續(xù)聚焦高端、填補(bǔ)薄弱環(huán)節(jié)，不懼友商競(jìng)爭(zhēng)！
    5月27日，“中微公司2024年度暨2025年第一季度業(yè)績(jī)說明會(huì)&媒體見面會(huì)”在上海臨港召開，芯智訊也受邀參與了此次活動(dòng)。在會(huì)議期間，中微董事長(zhǎng)尹志堯詳細(xì)介紹了中微公司自身的發(fā)展戰(zhàn)略和產(chǎn)品布局。
    中微公司尹志堯：將持續(xù)聚焦高端、填補(bǔ)薄弱環(huán)節(jié)，不懼友商競(jìng)爭(zhēng)！
  • PECVD 生成 SiO? 的反應(yīng)方程式
    在PECVD工藝中，沉積氧化硅薄膜以SiH?基與TEOS基兩種工藝路線為主。IMD Oxide（USG）這部分主要沉積未摻雜的SiO?，也叫USG（Undoped Silicate Glass），常用于IMD（Inter-Metal Dielectric）。
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    05/31 08:25
    PECVD 生成 SiO? 的反應(yīng)方程式
  • Vishay 新款具有領(lǐng)先導(dǎo)通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性
    這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側(cè)翼，從而改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款采用無引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)導(dǎo)通電阻的新款80 V TrenchFET? Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業(yè)應(yīng)用
    Vishay 新款具有領(lǐng)先導(dǎo)通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性