芯耀
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知識星球（星球名：芯片制造與封測技術社區(qū)，星球號：63559049）里的學員問：DBG是一種新穎的工藝，即先將晶圓正面半切，再將晶圓背面減薄。那么傳統(tǒng)的，普遍的減薄與劃片的工藝順序是什么樣子呢？
前幾期的文章中，對DBG工藝做了介紹，見文章：Disco公司的DBG工藝詳解
較為普遍的劃片切割方式？
如上圖，是常見的劃片切割方式，即先將晶圓背面減薄，再將硅片進行劃片。
1. Tape Laminator（貼膜）：在晶圓的正面附上保護膜（BG Tape）這層膜有助于保護晶圓表面的芯片在背面減薄與cmp工序中免受損傷。
2. Rough Grinding（粗磨）：使用粗磨設備對晶圓背面進行初步磨削，去除較大的厚度。粗磨階段的目的是快速降低晶圓厚度，通常會去除大部分的材料，但表面粗糙度相對較高。
3. Fine-or Poligrinding（精磨）：在粗磨之后，進行精磨或拋光磨削，以進一步減少晶圓厚度，并改善表面粗糙度。這一步能夠去除粗磨留下的表面缺陷，達到更平滑的表面。
4.CMP（化學機械拋光）：化學機械拋光，以去除晶圓背面剩余的應力，確保晶圓在后續(xù)工藝中不會因應力而破裂。此步驟的目的是進一步提高表面質量，確保晶圓的平整度和結構穩(wěn)定性。
5. Frame Mounting（背面貼切割膜）：將晶圓貼到到具有切割薄膜的框架上?？蚣苌系那懈畋∧⑿酒卫喂潭?，防止切割時芯片掉落。
6. BG Tape Peeling（除去晶圓正面的BG膜）：去除最初貼在晶圓正面的保護膜，露出晶圓的正面，以便于劃片工序的進行。
7. Dicing Saw（切割）：使用劃片機（Dicing Saw）對晶圓進行劃片，沿著切割道將晶圓分割成單個芯片。
該減薄劃片的方式的缺點？
當將晶圓減到較薄厚度時，在進行劃片的過程中極易出現(xiàn)芯片崩邊等問題，因此需要改用其他的劃片切割方式，如DBG工藝，Taiko工藝，激光工藝等。
