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    • 01、2023年?duì)I收增長(zhǎng)335.2%
    • 02、中國(guó)企業(yè)狂奔
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英諾賽科港股IPO正式啟動(dòng)!

2024/06/14
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6月12日晚間,英諾賽科向港交所遞交上市申請(qǐng),聯(lián)席保薦人為中金公司、招銀國(guó)際。

01、2023年?duì)I收增長(zhǎng)335.2%

自2019年10月,OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術(shù)應(yīng)用于充電器以來(lái),基于氮化鎵材料而研制的功率器件,憑借更高的電流密度、遷移率以及優(yōu)秀的耐熱性、導(dǎo)電性和散熱性,在諸多應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)開(kāi)疆拓土。2023年,氮化鎵的發(fā)展逐漸進(jìn)入繁榮期。雖受限于技術(shù)水平,應(yīng)用領(lǐng)域仍以消費(fèi)電子為主,但其在電動(dòng)車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等更高功率市場(chǎng)的應(yīng)用也正穩(wěn)定發(fā)展,未來(lái)前景十分值得期待。

source:英諾賽科招股說(shuō)明書(shū)

目前,氮化鎵正在從6英寸轉(zhuǎn)向8英寸,而英諾賽科作為氮化鎵領(lǐng)域的“實(shí)力派”選手,一直備受矚目。據(jù)悉,英諾賽科是國(guó)內(nèi)第一家氮化鎵IDM企業(yè)。招股說(shuō)明書(shū)中,英諾賽科表示,公司是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司,亦是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。

英諾賽科的產(chǎn)品包括分立器件(覆蓋15V至1,200V)、集成電路、晶圓及模塊,應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等。產(chǎn)能方面,截至2023年底,公司的產(chǎn)能達(dá)10,000片/月,同時(shí)良率高于95%,位居行業(yè)前列。高產(chǎn)能、高良率的產(chǎn)品線是英諾賽科業(yè)績(jī)的基石。截至2023年12月31日,以折算氮化鎵分立器件計(jì),英諾賽科累計(jì)出貨量超過(guò)5億顆,營(yíng)業(yè)收入則從2021年的0.68億元增加99.7%至2022年的1.36億元,并進(jìn)一步增加335.2%至2023年的5.93億元。

英諾賽科還指出,2023年來(lái)自氮化鎵功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的營(yíng)收為人民幣5.93億元,在全球所有氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中,公司排名首位,市場(chǎng)份額為33.7%。

本次申請(qǐng)港股上市,英諾賽科計(jì)劃將IPO募集所得資金凈額用于以下項(xiàng)目:

一、50.0%用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能(從截至2023年12月31日的每月10,000片晶圓擴(kuò)大至未來(lái)五年每月70,000片晶圓)、購(gòu)買及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器及招聘生產(chǎn)人員。

二、17.0%用于償還銀行貸款;

三、15.0%用于研發(fā)及擴(kuò)大產(chǎn)品組合,以提高終端市場(chǎng)(如消費(fèi)電子、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心)中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率;

四、8.0%用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò);

五、10.0%用于營(yíng)運(yùn)資金及其他一般公司用途。

02、中國(guó)企業(yè)狂奔

目前,氮化鎵的主要?jiǎng)?chuàng)新主體仍以國(guó)際企業(yè)為主,并主要集中在歐美日,但中國(guó)的氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈也在持續(xù)完善。技術(shù)方面,北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)了增強(qiáng)型p型柵氮化鎵(GaN晶體管,并首次在高達(dá)4500V工作電壓下實(shí)現(xiàn)低動(dòng)態(tài)電阻工作能力;西安電子科技大學(xué)聯(lián)合致能科技于4月份展示了全球首片8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMTs)晶圓器件,通過(guò)調(diào)控外延工藝,其氮化鎵外延片不均勻性控制在4%以內(nèi),所制備的HEMTs器件的cp測(cè)試良率超過(guò)95%,擊穿電壓突破了2000V。

項(xiàng)目方面,2024年1月份,晶湛半導(dǎo)體氮化鎵外延片生產(chǎn)擴(kuò)建項(xiàng)目正式竣工。項(xiàng)目預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸氮化鎵外延片12萬(wàn)片,8英寸氮化鎵外延片12萬(wàn)片;中瓷電子子公司博威第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目已建成并投入使用,項(xiàng)目主要產(chǎn)品為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品,產(chǎn)能規(guī)劃為600萬(wàn)只/年;能華半導(dǎo)體張家港制造中心(二期)項(xiàng)目于4月18日開(kāi)工建設(shè)。

項(xiàng)目投產(chǎn)后,將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。從外延到功率器件的設(shè)計(jì)及制造,國(guó)內(nèi)企業(yè)持續(xù)提升研發(fā)及生產(chǎn)、制造能力。TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示,全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金,復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。而在這個(gè)市場(chǎng),中國(guó)企業(yè)將不會(huì)缺席。

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