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動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō),周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱(chēng)為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō),靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō),周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性,因此被稱(chēng)為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō),靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。收起

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  • 研報(bào) | 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價(jià)漲幅擴(kuò)大
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出,以及買(mǎi)方積極提前備貨等因素,支撐第二季Server與PC DDR4模組價(jià)格上漲,預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期,分別季增18-23%和13-18%。
    研報(bào) | 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價(jià)漲幅擴(kuò)大
  • 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價(jià)漲幅擴(kuò)大
    由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出,以及買(mǎi)方積極提前備貨等因素,支撐第二季Server與PC DDR4模組價(jià)格上漲,預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期,分別季增18-23%和13-18%。 DDR4世代的生命周期已超過(guò)10年,需求逐步由DDR5取代,加上HBM、DDR5、LPDDR5(X)等產(chǎn)品的利潤(rùn)率皆明顯較高,各主要供應(yīng)商已規(guī)劃終止生產(chǎn)DDR4,最后出貨時(shí)間大約落在202
    需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價(jià)漲幅擴(kuò)大
  • 研報(bào) | 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌,加上HBM出貨規(guī)模收斂,DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元,季減5.5%。在平均銷(xiāo)售單價(jià)方面,由于Samsung(三星)更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì),HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱,促使下游業(yè)者去化庫(kù)存,導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來(lái)的跌勢(shì)。
    研報(bào) | 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元
  • 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元
    2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌,加上HBM出貨規(guī)模收斂,DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元,季減5.5%。在平均銷(xiāo)售單價(jià)方面,由于Samsung(三星)更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì),HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱,促使下游業(yè)者去化庫(kù)存,導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來(lái)的跌勢(shì)。 展望2025年第二季,隨著PC OEM和智能手機(jī)業(yè)者陸續(xù)完成庫(kù)存去化,并積
    2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元
  • 《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——受益于AI推動(dòng),HBM&LDDDR5供不應(yīng)求
    核心觀點(diǎn) 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動(dòng),2025年5月整體存儲(chǔ)器件的需求在向好,HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈,預(yù)計(jì)維持至少一整年; 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來(lái)持續(xù)的庫(kù)存消耗,存儲(chǔ)庫(kù)存逐步維持平衡,但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求; 受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響,低端存儲(chǔ)價(jià)格穩(wěn)定,但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動(dòng),HBM、LDDDR5以及LPDDR4價(jià)格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲(chǔ)器件最
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    06/03 09:37
    《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——受益于AI推動(dòng),HBM&LDDDR5供不應(yīng)求
  • 三星1c DRAM大擴(kuò)產(chǎn),加速HBM4量產(chǎn)
    據(jù)悉,三星電子繼平澤工廠之后,已制定計(jì)劃在華城工廠建設(shè)1c DRAM(第6代10nm級(jí)DRAM)量產(chǎn)線。預(yù)計(jì)該項(xiàng)投資最早將于今年年底完成,此舉被解讀為反映了公司內(nèi)部對(duì)提高收益率的信心。
    三星1c DRAM大擴(kuò)產(chǎn),加速HBM4量產(chǎn)
  • DRAM芯片,“甜蜜點(diǎn)”已至
    4月,存儲(chǔ)芯片似乎迎來(lái)行業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。月初,筆者曾報(bào)道過(guò)閃迪、美光等公司開(kāi)啟漲價(jià)潮。月尾,來(lái)自市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)給這個(gè)月存儲(chǔ)芯片的價(jià)格走勢(shì)做了總結(jié)。
    DRAM芯片,“甜蜜點(diǎn)”已至
  • [存儲(chǔ)現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應(yīng)緊張;NAND緊缺推漲價(jià)格?
    DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)情況:DDR4現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)強(qiáng)勁需求,供應(yīng)緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應(yīng)緊張尤為突出。
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    05/12 10:00
    [存儲(chǔ)現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應(yīng)緊張;NAND緊缺推漲價(jià)格?
  • 國(guó)際形勢(shì)變化帶動(dòng)拉貨潮,預(yù)估2Q25存儲(chǔ)器合約價(jià)漲幅將擴(kuò)大
    近期國(guó)際形勢(shì)變化已實(shí)質(zhì)改變存儲(chǔ)器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示,由于買(mǎi)賣(mài)雙方急于完成交易、推動(dòng)生產(chǎn)出貨,以應(yīng)對(duì)未來(lái)市場(chǎng)不確定性,預(yù)期第二季存儲(chǔ)器市場(chǎng)的交易動(dòng)能將隨之增強(qiáng)。 基于對(duì)未來(lái)國(guó)際形勢(shì)走向不明的擔(dān)憂(yōu),采購(gòu)端普遍秉持“降低不確定因素、建立安全庫(kù)存”的策略,積極提高DRAM和NAND Flash的庫(kù)存水位。 TrendForce集邦咨詢(xún)表示,受到積極備貨潮帶動(dòng),第二季
    國(guó)際形勢(shì)變化帶動(dòng)拉貨潮,預(yù)估2Q25存儲(chǔ)器合約價(jià)漲幅將擴(kuò)大
  • 存儲(chǔ)芯片,正式漲價(jià)
    今日,存儲(chǔ)芯片正式開(kāi)始漲價(jià)浪潮。自此,存儲(chǔ)市場(chǎng)長(zhǎng)達(dá)多半年的低迷態(tài)勢(shì),終于迎來(lái)轉(zhuǎn)折。存儲(chǔ)芯片的兩大主力產(chǎn)品?NAND?與?DRAM,在新一季度的市場(chǎng)表現(xiàn)也各不相同。
    存儲(chǔ)芯片,正式漲價(jià)
  • 研報(bào) | 下游客戶(hù)庫(kù)存去化順利,預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化,此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫(kù)存去化。展望第二季,預(yù)估Conventional DRAM(一般型DRAM)價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%,若納入HBM計(jì)算,受惠于HBM3e 12hi逐漸放量,預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。
    研報(bào) | 下游客戶(hù)庫(kù)存去化順利,預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂
  • 下游客戶(hù)庫(kù)存去化順利,預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂
    2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化,此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫(kù)存去化。展望第二季,預(yù)估Conventional DRAM(一般型DRAM)價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%,若納入HBM計(jì)算,受惠于HBM3e 12hi逐漸放量,預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。 PC DRAM、Server DRAM價(jià)格皆持平上季 因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化,各主要PC OEM要求ODM提高整機(jī)組裝量,將加速去化
    下游客戶(hù)庫(kù)存去化順利,預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂
  • 芯片制造為什么需要High-K材料
    DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種常見(jiàn)的內(nèi)存芯片,就像我們家里的儲(chǔ)藏室,用來(lái)短暫存放數(shù)據(jù)(“0”或“1”)。DRAM最基本的結(jié)構(gòu)就是由一個(gè)晶體管(相當(dāng)于開(kāi)關(guān))和一個(gè)電容(相當(dāng)于儲(chǔ)藏室)組成的“1T1C”單元。
    芯片制造為什么需要High-K材料
  • 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM份額將增至12%
    隨著市場(chǎng)份額穩(wěn)步提升的中國(guó)企業(yè)的崛起,持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。
  • 揭秘DRAM內(nèi)存接口:從手機(jī)到AI超算,為何它決定了計(jì)算速度的極限?
    當(dāng)我們驚嘆于手機(jī)流暢加載4K視頻,或是AI模型秒級(jí)生成圖像時(shí),背后默默支撐的DRAM內(nèi)存技術(shù)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默革命。ISSCC 2025最新教程揭示:內(nèi)存接口(I/O)設(shè)計(jì)才是突破算力瓶頸的關(guān)鍵!本文將帶你速覽尖端內(nèi)存技術(shù)的內(nèi)核密碼。
    揭秘DRAM內(nèi)存接口:從手機(jī)到AI超算,為何它決定了計(jì)算速度的極限?
  • Server DRAM與HBM持續(xù)支撐,4Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增9.9%
    2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收突破280億美元,較前一季成長(zhǎng)9.9%;由于Server DDR5的合約價(jià)上漲,加上HBM集中出貨,前三大業(yè)者營(yíng)收皆持續(xù)季增。平均銷(xiāo)售單價(jià)方面,多數(shù)應(yīng)用產(chǎn)品的合約價(jià)皆反轉(zhuǎn)下跌,只有美系CSP增加采購(gòu)大容量Server DDR5,成為支撐Server DRAM(服務(wù)器內(nèi)存)價(jià)格續(xù)漲的主因。 展望2025年第一季,隨著進(jìn)入生產(chǎn)淡季,整體原廠出貨位元量將季減。價(jià)格部分
    Server DRAM與HBM持續(xù)支撐,4Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增9.9%
  • DeepSeek會(huì)沖擊晶圓需求嗎?
    生成式AI的影響將導(dǎo)致DRAM晶圓的需求急劇增加。2025年1月20日,世界遭受“DeepSeek沖擊”。這是因?yàn)椋袊?guó)初創(chuàng)AI公司DeepSeek發(fā)布了與OpenAI的GPT-4相當(dāng)?shù)拇笠?guī)模語(yǔ)言模型(LLM)DeepSeek-R1(以下簡(jiǎn)稱(chēng)R1)。R1的研發(fā)僅用了兩個(gè)月的時(shí)間,成本僅為560萬(wàn)美元,僅為其他公司成本的一小部分。
    DeepSeek會(huì)沖擊晶圓需求嗎?
  • SK海力士DRAM銷(xiāo)額將首次超越三星
    預(yù)計(jì)今年第一季度三星電子的DRAM銷(xiāo)售額將大幅萎縮。由于整體IT需求疲軟,DRAM供給減少,HBM銷(xiāo)售比重的大幅下降,使得DRAM ASP(平均銷(xiāo)售價(jià)格)較上一季度出現(xiàn)兩位數(shù)下滑的可能性加大。
    SK海力士DRAM銷(xiāo)額將首次超越三星
  • NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略,以緩解供需失衡和穩(wěn)定價(jià)格
    NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過(guò)剩的雙重壓力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布減產(chǎn),Kioxia/ SanDisk(鎧俠/閃迪)、Samsung(三星)和SK hynix/ Solidigm(SK海力士/思得)也啟動(dòng)相關(guān)計(jì)劃,可能長(zhǎng)期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。 TrendForce集邦咨詢(xún)表示,NAND Flash廠商主要通過(guò)降低2025年稼動(dòng)率和延后制程升級(jí)等方
  • 存儲(chǔ)市場(chǎng)迎三大挑戰(zhàn)!
    剛剛過(guò)去的2024年,存儲(chǔ)市場(chǎng)上演了一出“冰與火之歌”:終端市場(chǎng)消費(fèi)電子復(fù)蘇遲緩,AI應(yīng)用則繼續(xù)強(qiáng)勢(shì)突圍。存儲(chǔ)產(chǎn)品因而開(kāi)啟兩極化發(fā)展:消費(fèi)類(lèi)存儲(chǔ)需求平淡,高性能、企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)反響熱鬧。
    存儲(chǔ)市場(chǎng)迎三大挑戰(zhàn)!

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