dram

• 研報(bào) | 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價(jià)漲幅擴(kuò)大

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買(mǎi)方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價(jià)格上漲，預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期，分別季增18-23%和13-18%。

  TrendForce集邦咨詢(xún)

  616

  06/06 10:51

  dram DDR4

  
• 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價(jià)漲幅擴(kuò)大

  由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買(mǎi)方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價(jià)格上漲，預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期，分別季增18-23%和13-18%。 DDR4世代的生命周期已超過(guò)10年，需求逐步由DDR5取代，加上HBM、DDR5、LPDDR5(X)等產(chǎn)品的利潤(rùn)率皆明顯較高，各主要供應(yīng)商已規(guī)劃終止生產(chǎn)DDR4，最后出貨時(shí)間大約落在202

  與非網(wǎng)編輯

  375

  06/05 16:20

  dram OEM

  
• 研報(bào) | 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫(kù)存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來(lái)的跌勢(shì)。

  TrendForce集邦咨詢(xún)

  564

  06/04 09:03

  dram

  
• 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元

  2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫(kù)存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來(lái)的跌勢(shì)。 展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機(jī)業(yè)者陸續(xù)完成庫(kù)存去化，并積

  與非網(wǎng)編輯

  1033

  06/03 13:51

  dram SK海力士

  
• 《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——受益于AI推動(dòng)，HBM&LDDDR5供不應(yīng)求

  核心觀點(diǎn) 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動(dòng)，2025年5月整體存儲(chǔ)器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈，預(yù)計(jì)維持至少一整年； 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來(lái)持續(xù)的庫(kù)存消耗，存儲(chǔ)庫(kù)存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求； 受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲(chǔ)價(jià)格穩(wěn)定，但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動(dòng)，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價(jià)格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲(chǔ)器件最

  曹順程

  1417

  06/03 09:37

  人工智能 dram

  
• 三星1c DRAM大擴(kuò)產(chǎn)，加速HBM4量產(chǎn)

  據(jù)悉，三星電子繼平澤工廠之后，已制定計(jì)劃在華城工廠建設(shè)1c DRAM（第6代10nm級(jí)DRAM）量產(chǎn)線。預(yù)計(jì)該項(xiàng)投資最早將于今年年底完成，此舉被解讀為反映了公司內(nèi)部對(duì)提高收益率的信心。

  芯片說(shuō) IC TIME

  644

  05/23 09:05

  dram 三星電子

  
• DRAM芯片，“甜蜜點(diǎn)”已至

  4月，存儲(chǔ)芯片似乎迎來(lái)行業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。月初，筆者曾報(bào)道過(guò)閃迪、美光等公司開(kāi)啟漲價(jià)潮。月尾，來(lái)自市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)給這個(gè)月存儲(chǔ)芯片的價(jià)格走勢(shì)做了總結(jié)。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1337

  05/16 09:48

  dram 存儲(chǔ)芯片

  
• [存儲(chǔ)現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應(yīng)緊張；NAND緊缺推漲價(jià)格?

  DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)情況:DDR4現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)強(qiáng)勁需求，供應(yīng)緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應(yīng)緊張尤為突出。

  芯科技圈

  1305

  05/12 10:00

  dram NAND

  
• 國(guó)際形勢(shì)變化帶動(dòng)拉貨潮，預(yù)估2Q25存儲(chǔ)器合約價(jià)漲幅將擴(kuò)大

  近期國(guó)際形勢(shì)變化已實(shí)質(zhì)改變存儲(chǔ)器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由于買(mǎi)賣(mài)雙方急于完成交易、推動(dòng)生產(chǎn)出貨，以應(yīng)對(duì)未來(lái)市場(chǎng)不確定性，預(yù)期第二季存儲(chǔ)器市場(chǎng)的交易動(dòng)能將隨之增強(qiáng)。 基于對(duì)未來(lái)國(guó)際形勢(shì)走向不明的擔(dān)憂(yōu)，采購(gòu)端普遍秉持“降低不確定因素、建立安全庫(kù)存”的策略，積極提高DRAM和NAND Flash的庫(kù)存水位。 TrendForce集邦咨詢(xún)表示，受到積極備貨潮帶動(dòng)，第二季

  與非網(wǎng)編輯

  738

  04/17 09:09

  存儲(chǔ)器 dram

  
• 存儲(chǔ)芯片，正式漲價(jià)

  今日，存儲(chǔ)芯片正式開(kāi)始漲價(jià)浪潮。自此，存儲(chǔ)市場(chǎng)長(zhǎng)達(dá)多半年的低迷態(tài)勢(shì)，終于迎來(lái)轉(zhuǎn)折。存儲(chǔ)芯片的兩大主力產(chǎn)品?NAND?與?DRAM，在新一季度的市場(chǎng)表現(xiàn)也各不相同。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1075

  04/02 14:20

  dram 存儲(chǔ)芯片

  
• 研報(bào) | 下游客戶(hù)庫(kù)存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫(kù)存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。

  TrendForce集邦咨詢(xún)

  782

  03/26 09:45

  dram

  
• 下游客戶(hù)庫(kù)存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂

  2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫(kù)存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。 PC DRAM、Server DRAM價(jià)格皆持平上季 因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機(jī)組裝量，將加速去化

  與非網(wǎng)編輯

  373

  03/25 08:47

  dram OEM

  
• 芯片制造為什么需要High-K材料

  DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種常見(jiàn)的內(nèi)存芯片，就像我們家里的儲(chǔ)藏室，用來(lái)短暫存放數(shù)據(jù)（“0”或“1”）。DRAM最基本的結(jié)構(gòu)就是由一個(gè)晶體管（相當(dāng)于開(kāi)關(guān)）和一個(gè)電容（相當(dāng)于儲(chǔ)藏室）組成的“1T1C”單元。

  老虎說(shuō)芯

  2438

  03/06 11:30

  dram 芯片制造

  
• 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM份額將增至12%

  隨著市場(chǎng)份額穩(wěn)步提升的中國(guó)企業(yè)的崛起，持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。

  芯片說(shuō) IC TIME

  2957

  03/05 11:35

  dram 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
• 揭秘DRAM內(nèi)存接口：從手機(jī)到AI超算，為何它決定了計(jì)算速度的極限？

  當(dāng)我們驚嘆于手機(jī)流暢加載4K視頻，或是AI模型秒級(jí)生成圖像時(shí)，背后默默支撐的DRAM內(nèi)存技術(shù)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默革命。ISSCC 2025最新教程揭示：內(nèi)存接口（I/O）設(shè)計(jì)才是突破算力瓶頸的關(guān)鍵！本文將帶你速覽尖端內(nèi)存技術(shù)的內(nèi)核密碼。

  IC芯博士

  1891

  02/28 15:42

  dram 內(nèi)存接口芯片

  
• Server DRAM與HBM持續(xù)支撐，4Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增9.9%

  2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收突破280億美元，較前一季成長(zhǎng)9.9%；由于Server DDR5的合約價(jià)上漲，加上HBM集中出貨，前三大業(yè)者營(yíng)收皆持續(xù)季增。平均銷(xiāo)售單價(jià)方面，多數(shù)應(yīng)用產(chǎn)品的合約價(jià)皆反轉(zhuǎn)下跌，只有美系CSP增加采購(gòu)大容量Server DDR5，成為支撐Server DRAM（服務(wù)器內(nèi)存）價(jià)格續(xù)漲的主因。 展望2025年第一季，隨著進(jìn)入生產(chǎn)淡季，整體原廠出貨位元量將季減。價(jià)格部分

  與非網(wǎng)編輯

  688

  02/27 08:22

  dram HBM

  
• DeepSeek會(huì)沖擊晶圓需求嗎？

  生成式AI的影響將導(dǎo)致DRAM晶圓的需求急劇增加。2025年1月20日，世界遭受“DeepSeek沖擊”。這是因?yàn)椋袊?guó)初創(chuàng)AI公司DeepSeek發(fā)布了與OpenAI的GPT-4相當(dāng)?shù)拇笠?guī)模語(yǔ)言模型（LLM）DeepSeek-R1（以下簡(jiǎn)稱(chēng)R1）。R1的研發(fā)僅用了兩個(gè)月的時(shí)間，成本僅為560萬(wàn)美元，僅為其他公司成本的一小部分。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2737

  02/18 09:45

  dram 晶圓

  
• SK海力士DRAM銷(xiāo)額將首次超越三星

  預(yù)計(jì)今年第一季度三星電子的DRAM銷(xiāo)售額將大幅萎縮。由于整體IT需求疲軟，DRAM供給減少，HBM銷(xiāo)售比重的大幅下降，使得DRAM ASP(平均銷(xiāo)售價(jià)格)較上一季度出現(xiàn)兩位數(shù)下滑的可能性加大。

  芯片說(shuō) IC TIME

  1015

  02/06 10:10

  dram SK海力士

  
• NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價(jià)格

  NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過(guò)剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動(dòng)相關(guān)計(jì)劃，可能長(zhǎng)期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。 TrendForce集邦咨詢(xún)表示，NAND Flash廠商主要通過(guò)降低2025年稼動(dòng)率和延后制程升級(jí)等方

  與非網(wǎng)編輯

  868

  01/23 08:26

  dram NAND Flash
• 存儲(chǔ)市場(chǎng)迎三大挑戰(zhàn)！

  剛剛過(guò)去的2024年，存儲(chǔ)市場(chǎng)上演了一出“冰與火之歌”：終端市場(chǎng)消費(fèi)電子復(fù)蘇遲緩，AI應(yīng)用則繼續(xù)強(qiáng)勢(shì)突圍。存儲(chǔ)產(chǎn)品因而開(kāi)啟兩極化發(fā)展：消費(fèi)類(lèi)存儲(chǔ)需求平淡，高性能、企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)反響熱鬧。

  全球半導(dǎo)體觀察

  1173

  01/07 15:07

  dram 消費(fèi)電子

  

正在努力加載...