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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)上包括NMOS、PMOS等。

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)上包括NMOS、PMOS等。收起

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    這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側(cè)翼，從而改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款采用無(wú)引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)導(dǎo)通電阻的新款80 V TrenchFET? Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業(yè)應(yīng)用
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  • 利用理想二極管，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的電源
    作者：Frederik Dostal，電源管理專(zhuān)家 摘要 穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個(gè)電源。使用多個(gè)不同電源為器件供電時(shí)，需要部署若干開(kāi)關(guān)以將電源相互分隔開(kāi)，以防損壞。對(duì)此，固然可在電源路徑中使用多個(gè)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類(lèi)理想二極管的優(yōu)勢(shì)。文中將展示兩個(gè)版本的理想二極管：一個(gè)是無(wú)需根據(jù)電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個(gè)版本則更加簡(jiǎn)單，始終由更高的
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  • AMEYA360 ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET 助力快速充電應(yīng)用
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另外，通過(guò)在一個(gè)器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿(mǎn)足雙向供電電路所需的雙向保
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    05/20 16:23
  • MDDG03R04Q,低內(nèi)阻大電流 服務(wù)器和新能源的好幫手
    在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿(mǎn)足高密度、高效率需求，MDD半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N溝道增強(qiáng)型MOS）憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。 一、產(chǎn)品概述：PowerTrench工藝與屏蔽柵技術(shù)的融合 ? MDDG03R04Q采用MDD的Trenc
  • 元器件交易動(dòng)態(tài)周報(bào)-本土汽車(chē)、消費(fèi)電子的強(qiáng)勁表現(xiàn)帶動(dòng)功率器件需求上升
    核心觀點(diǎn)： 2025年4月，中國(guó)汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)增長(zhǎng)強(qiáng)勁，推動(dòng)功率器件需求提升，尤其車(chē)規(guī)級(jí)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化空間大。二季度消費(fèi)電子旺季，且國(guó)補(bǔ)政策影響下，需求穩(wěn)定。交貨周期方面，主流廠商的低壓與高壓Mosfets、IGBTs交貨周期多呈上升態(tài)勢(shì)，行業(yè)供應(yīng)偏緊。價(jià)格上，二極管價(jià)格微增，Mosfets價(jià)格下降，但整體行業(yè)呈現(xiàn)量增價(jià)穩(wěn)趨勢(shì)。 三大維度解讀功率器件最新供需動(dòng)態(tài)： 市場(chǎng)需求分析 圖 | 二極管四方維商品動(dòng)
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    05/19 10:00
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  • 確保可靠性： 碳化硅產(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
    作者：Catherine De Keukeleire，安森美寬禁帶可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān) 從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē) (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。 第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。 與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC
    確?？煽啃裕?碳化硅產(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
  • ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET，助力快速充電應(yīng)用
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  • MOSFET關(guān)斷過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗如何計(jì)算？800字手把手教你搞定這個(gè)電路知識(shí)點(diǎn)
    上一篇文章我們介紹了MOSFET導(dǎo)通過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗的計(jì)算方法，接下來(lái)就講一下MOSFET在關(guān)斷過(guò)程中的交叉損耗計(jì)算，主要是要估算關(guān)斷時(shí)的交叉時(shí)間，然后算出功耗。
    MOSFET關(guān)斷過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗如何計(jì)算？800字手把手教你搞定這個(gè)電路知識(shí)點(diǎn)
  • 優(yōu)化效率：探索有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器的二次整流電路設(shè)計(jì)和占空比的作用
    作者：GuangQi Hou，應(yīng)用工程師 摘要 有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器利用P通道MOS進(jìn)行鉗位，是公認(rèn)的高效率電源拓?fù)?。該設(shè)計(jì)支持將儲(chǔ)存的電感能量反饋到電網(wǎng)，從而提高整體轉(zhuǎn)換器效率。為了進(jìn)一步提高效率，該設(shè)計(jì)還集成了基于MOSFET的二次自整流電路。本文探討了二次整流電路面臨的設(shè)計(jì)難題，強(qiáng)調(diào)了優(yōu)化占空比的重要性。值得注意的是，有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中采用了廣泛的電源技術(shù)，本文僅介紹了其中一種。 簡(jiǎn)介 對(duì)于
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  • MOSFET導(dǎo)通過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗如何計(jì)算？1200字手把手教你搞定這個(gè)電路知識(shí)點(diǎn)
    MOSFET導(dǎo)通過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗這部分內(nèi)容是關(guān)于MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的交叉損耗Cross Loss計(jì)算，主要涉及導(dǎo)通時(shí)間的估算和功耗分析。公式是什么？如何計(jì)算呢？設(shè)計(jì)中又有哪些需要注意的地方？接下來(lái)就把它通俗易懂地講一下。以下分析基于MOSFET驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載哦，如果是驅(qū)動(dòng)阻性負(fù)載，算法是不一樣的，大家注意！
    MOSFET導(dǎo)通過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗如何計(jì)算？1200字手把手教你搞定這個(gè)電路知識(shí)點(diǎn)
  • Vishay 新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能
    日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的Gen 4.5 650?V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導(dǎo)通電阻降低了48.2 %，而電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中650V MO
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  • 在EMC中 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路常見(jiàn)類(lèi)型
    在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，電磁兼容（EMC）是確保設(shè)備穩(wěn)定可靠運(yùn)行的關(guān)鍵因素。功率 MOSFET 作為電子電路中的重要元件，其柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與電磁兼容密切相關(guān)。由于 MOS 管的應(yīng)用場(chǎng)景多樣，因此產(chǎn)生了多種類(lèi)型的驅(qū)動(dòng)電路，這些電路在電磁兼容性方面各有優(yōu)劣。下面我們就來(lái)詳細(xì)了解一下幾種常見(jiàn)的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路。 1.IC 直接驅(qū)動(dòng)型 電源控制 IC 直接驅(qū)動(dòng)是最為常見(jiàn)且簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式。在電磁
  • 高性能三通道雙向電源：實(shí)現(xiàn)更多測(cè)試與更高吞吐量
    隨著科技的飛速發(fā)展，測(cè)試工程師們常常面臨這樣的挑戰(zhàn)：生產(chǎn)需求超出了現(xiàn)有測(cè)試系統(tǒng)的能力，或者需要同時(shí)測(cè)試多個(gè)參數(shù)。在這種情況下，傳統(tǒng)的解決方案通常是構(gòu)建更多的測(cè)試系統(tǒng)并配備更多的測(cè)試設(shè)備，尤其是在需要多臺(tái)直流電源的大功率應(yīng)用中。然而，這種方法不僅成本高昂，還增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性和維護(hù)難度。 典型應(yīng)用場(chǎng)景包括： 測(cè)試帶有多個(gè)逆變器和電池備份的太陽(yáng)能電池組，確保其在復(fù)雜工況下的性能和可靠性； 同時(shí)為電動(dòng)汽
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  • MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí)，為什么可以“慢”開(kāi)，但是要“快”關(guān)呢？
    MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件，在驅(qū)動(dòng)電路中主要用于控制電流的通斷，比如在DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)或者功率放大電路中。它的開(kāi)關(guān)過(guò)程（開(kāi)和關(guān)）會(huì)直接影響電路的效率、發(fā)熱和可靠性?！奥_(kāi)快關(guān)”的這個(gè)設(shè)計(jì)原則，背后有什么電路設(shè)計(jì)原理呢？咱們從MOSFET的工作原理和實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)分析分析一下。MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程中開(kāi)和關(guān)的本質(zhì)是什么呢？
    MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)時(shí)，為什么可以“慢”開(kāi)，但是要“快”關(guān)呢？
  • 英飛凌與科士達(dá)深入合作，全棧方案樹(shù)立UPS高效可靠新標(biāo)桿
    在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉(zhuǎn)型的背景下，高頻中大功率UPS（不間斷電源）市場(chǎng)需求持續(xù)攀升，對(duì)能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴(yán)苛。 近日，英飛凌宣布與深圳科士達(dá)科技股份有限公司深化合作，通過(guò)提供英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET和CoolSiC?二極管、650V CoolSiC? MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，助力
    英飛凌與科士達(dá)深入合作，全棧方案樹(shù)立UPS高效可靠新標(biāo)桿
  • SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
    作者：安森美產(chǎn)品線經(jīng)理 Wonhwa Lee 如今所有東西都存儲(chǔ)在云端，但云究竟在哪里？ 答案是數(shù)據(jù)中心。我們對(duì)圖片、視頻和其他內(nèi)容的無(wú)盡需求，正推動(dòng)著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。 國(guó)際能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計(jì)在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運(yùn)營(yíng)成本，還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)
    SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
  • 無(wú)人機(jī)電調(diào)系統(tǒng)技術(shù)架構(gòu)與電路設(shè)計(jì)解析
    一、無(wú)人機(jī)電調(diào)（ESC）核心原理與技術(shù)架構(gòu) 1.1 電調(diào)的本質(zhì)功能 電調(diào)作為無(wú)人機(jī)動(dòng)力系統(tǒng)的核心控制器件，承擔(dān)以下關(guān)鍵任務(wù)： 能量轉(zhuǎn)換：將電池直流電（DC）轉(zhuǎn)換為電機(jī)所需的三相交流電（AC），通過(guò) PWM 信號(hào)控制占空比實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)。 安全防護(hù)：集成過(guò)流、過(guò)熱、欠壓等多重保護(hù)機(jī)制，確保極端工況下的系統(tǒng)穩(wěn)定性。 智能交互：通過(guò)通信協(xié)議（如 DShot、CAN 總線）與飛控實(shí)時(shí)聯(lián)動(dòng)，支持動(dòng)態(tài)參數(shù)調(diào)整。
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  • 英飛凌攜手Enphase通過(guò)600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相關(guān)成本
    Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽(yáng)能和電池系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。通過(guò)使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enpha
    英飛凌攜手Enphase通過(guò)600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相關(guān)成本
  • 納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011，PIN TO PIN AP20G02BDF
    納祥科技NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個(gè)獨(dú)立的 MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低，可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型產(chǎn)品的應(yīng)用。
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    03/27 07:29
    納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011，PIN TO PIN AP20G02BDF
  • 這些硬件工程師技術(shù)面試題目你會(huì)嗎？
    在W35周報(bào)中分享了本科大三那會(huì)實(shí)習(xí)面試的題目，文章發(fā)布之后，很多人在大話(huà)硬件群里讓我寫(xiě)一下問(wèn)題的答案?？紤]到是面試的題目，用文章寫(xiě)出來(lái)可能會(huì)有一些相關(guān)信息的丟失，下面就針對(duì)面試官的提問(wèn)，說(shuō)一下當(dāng)時(shí)是怎樣回答的，并在其中加入現(xiàn)在我對(duì)這些問(wèn)題的理解。
    這些硬件工程師技術(shù)面試題目你會(huì)嗎？

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