HBM3

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  • HBM3E時代到來,三星電子依然焦慮
    進(jìn)入8月,有傳聞稱,韓國存儲芯片巨頭三星電子(以下簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(高帶寬內(nèi)存新一代產(chǎn)品)已通過英偉達(dá)測試。對此,三星回應(yīng):與事實相距甚遠(yuǎn)。其相關(guān)人員表示:“我們不能證實與我們客戶相關(guān)的傳聞,但這個報道不是真的。正如我們上個月電話會議上所說的,質(zhì)量測試還在進(jìn)行中,在那之后還沒有取得更多進(jìn)展?!边@番解釋中,依然能看到HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品是三星打入英偉達(dá)產(chǎn)品鏈的“敲門磚”。
    HBM3E時代到來,三星電子依然焦慮
  • HBM新戰(zhàn)局,半導(dǎo)體存儲廠商們準(zhǔn)備好了嗎?
    在半導(dǎo)體存儲領(lǐng)域,參與HBM市場競爭的存儲廠商主要為SK海力士、三星和美光,三者的競爭已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日,行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注,這似乎也預(yù)示著HBM領(lǐng)域新的戰(zhàn)場已經(jīng)開啟...
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