閂鎖效應(yīng)

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閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是CMOS集成電路中一個重要的問題，這種問題會導(dǎo)致芯片功能的混亂或者電路直接無法工作甚至燒毀。

閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是CMOS集成電路中一個重要的問題，這種問題會導(dǎo)致芯片功能的混亂或者電路直接無法工作甚至燒毀。收起

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  • 閂鎖效應(yīng)(Latch-up)的原理及其抑制方法介紹
    閂鎖效應(yīng)是集成電路中常見的一種不良現(xiàn)象，它可以導(dǎo)致電路失去控制，電流異常增大，甚至燒毀芯片。閂鎖效應(yīng)通常發(fā)生在CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）集成電路中，尤其是高集成度和高速度的現(xiàn)代電子器件上。本文將探討閂鎖效應(yīng)的原理以及有效的抑制方法。

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