電源設(shè)計(jì)

• 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動(dòng)電源設(shè)計(jì)創(chuàng)新

  當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?GaN 可實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)，這樣可減小無(wú)源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術(shù)相比，GaN 還可降低開(kāi)關(guān)、柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗，從而提高電源設(shè)計(jì)效率。 您可以使用 650V GaN FET 進(jìn)行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換，或使用 100V 或 200V GaN FE

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  22小時(shí)前

  SiC GaN

  

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