芯耀
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核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)/方案詳細(xì)規(guī)格/產(chǎn)品實(shí)體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測(cè)試報(bào)告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取
上回書(shū)(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說(shuō)到，IGBT自面世以來(lái)，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門(mén)”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)化的開(kāi)關(guān)性能。
IGBT7從2019年問(wèn)世至今，從首發(fā)的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何區(qū)別？它們各自的適用領(lǐng)域又都在哪里？今天這篇文章就帶大家一起來(lái)解析一下。
首先，在英飛凌已經(jīng)商業(yè)化的IGBT7產(chǎn)品中，不同的IGBT7系列分布在不同的電壓等級(jí)中：
■??650V:T7,H7
■??1200V:S7,H7,T7,E7,P7
■??1700V:E7,P7
■??2300V:E7
在同一電壓級(jí)中，以1200V為例，我們可以按開(kāi)關(guān)速度來(lái)進(jìn)行排序，H7>S7>T7>E7>P7
■??H7是高速芯片，面向開(kāi)關(guān)頻率較高的光伏、充電樁等應(yīng)用，Vcesat?1.7V；
■??S7是快速芯片，能夠?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)速度的最佳平衡，Vcesat?1.65V；
■??T7芯片小功率單管和模塊，主要面向電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，用在Easy,Econo等封裝，Vcesat?1.55V；
■??E7是芯片是為中功率模塊產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，導(dǎo)通壓降1.5V，用于EconoDUAL?,62mm等封裝中；
■??P7是芯片是為大功率模塊產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，導(dǎo)通壓降 1.27V，用于PrimPACK?模塊中；
下面，我們按單管和模塊兩個(gè)系列，從實(shí)用的角度闡述一下各類產(chǎn)品的特性。
單管系列T7，PR7，S7，H7解析 ?
按短路能力，IGBT7分為具有短路能力的650V T7和1200V S7，這兩者適用于開(kāi)關(guān)頻率要求不太高，但可能有短路工況的應(yīng)用，比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)。沒(méi)有短路能力的IGBT7有650V H7和1200V H7，進(jìn)一步降低了飽和壓降和開(kāi)關(guān)損耗，適用于光伏，ESS，EVC等對(duì)開(kāi)關(guān)頻率和效率要求比較高的場(chǎng)合。
650V T7單管和1200V S7單管產(chǎn)品目錄如下，主要面向電機(jī)驅(qū)動(dòng)類應(yīng)用，導(dǎo)通損耗較低的同時(shí)，也能保持較快的開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)具有短路能力，是各方面性能非常均衡的芯片系列。
650V T7單管和1200V S7單管產(chǎn)品目錄如下，主要面向電機(jī)驅(qū)動(dòng)類應(yīng)用，導(dǎo)通損耗較低的同時(shí)，也能保持較快的開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)具有短路能力，是各方面性能非常均衡的芯片系列。
單管H7系列產(chǎn)品目錄：
H7芯片雖然不具備短路時(shí)間，但它可以說(shuō)是把開(kāi)關(guān)性能做到了極致。與廣受好評(píng)的TRENCHSTOP?5芯片相比，H7的電壓范圍拓展到了1200V，而TRENCHSTOP?5只有650V的產(chǎn)品。H7的飽和導(dǎo)通電壓Vcesat比H5降低達(dá)25%，比S5也低了3%。開(kāi)關(guān)損耗方面，H7的Eon相對(duì)于H5降低了77%，相對(duì)于S5降低了54%；而H7的Eoff相對(duì)于H5降低了20%，相對(duì)于S5降低了27%。所以總體來(lái)說(shuō)，H7整體的開(kāi)關(guān)損耗（Eon+Eoff），還是要比H5和S5更低。
