• 正文
    • 一、SPM清洗液配方
    • 二、配制步驟
    • 三、關(guān)鍵工藝參數(shù)
    • 四、安全與環(huán)保措施
    • 五、應(yīng)用場(chǎng)景
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知識(shí)分享 spm清洗液配制方法 芯矽科技

11小時(shí)前
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SPM清洗液(硫酸-過(guò)氧化氫混合物,H?SO?/H?O?)是半導(dǎo)體制造中常用的強(qiáng)氧化性清洗液,主要用于去除晶圓表面的有機(jī)物、金屬污染和氧化物。以下是其配制方法及關(guān)鍵注意事項(xiàng):

一、SPM清洗液配方

基礎(chǔ)成分

濃硫酸(H?SO?):98%濃度,提供強(qiáng)酸性和脫水性,促進(jìn)氧化反應(yīng)。

過(guò)氧化氫(H?O?):30%濃度,作為氧化劑,分解有機(jī)物并氧化金屬雜質(zhì)。

去離子水(DI Water):用于稀釋,調(diào)節(jié)溶液濃度和反應(yīng)活性。

典型配比

體積比:H?SO? : H?O? : DI Water = 1 : 0.5 : 5(可根據(jù)工藝需求微調(diào))

示例:

100 mL濃硫酸 + 50 mL過(guò)氧化氫 + 500 mL去離子水(總體積約650 mL)。

二、配制步驟

準(zhǔn)備工作

穿戴防護(hù)裝備(耐酸手套、護(hù)目鏡、防護(hù)服),確保通風(fēng)柜開(kāi)啟。

使用耐腐蝕容器(如聚四氟乙烯或聚丙烯材質(zhì))。

混合順序

第一步:將去離子水加入容器中(先加水可緩沖后續(xù)放熱反應(yīng))。

第二步:緩慢加入濃硫酸,邊攪拌邊降溫(濃硫酸稀釋會(huì)釋放大量熱量,需控制溫度<40℃)。

第三步:最后加入過(guò)氧化氫,輕輕攪拌均勻(避免劇烈反應(yīng)導(dǎo)致泡沫溢出)。

注意事項(xiàng)

不可反向操作:嚴(yán)禁將水直接倒入濃硫酸中,否則可能引起飛濺!

溫度控制:混合過(guò)程中需持續(xù)冷卻(如冰水?。乐垢邷貙?dǎo)致H?O?分解。

現(xiàn)配現(xiàn)用:SPM清洗液易失效,建議配制后2小時(shí)內(nèi)使用。

三、關(guān)鍵工藝參數(shù)

溫度:

清洗溫度通常為80~120℃,通過(guò)加熱盤(pán)或恒溫水浴維持。

高溫可加速氧化反應(yīng),但需避免過(guò)燙導(dǎo)致晶圓損傷。

時(shí)間:

清洗時(shí)間一般為5~30分鐘,具體取決于污染物類型和晶圓表面狀況。

攪拌方式:

采用超聲波清洗或機(jī)械攪拌(如磁力攪拌),增強(qiáng)清洗均勻性。

四、安全與環(huán)保措施

廢液處理

SPM廢液需分類收集,通過(guò)中和反應(yīng)(如加入NaOH調(diào)節(jié)pH至中性)后排放。

避免直接接觸皮膚或吸入揮發(fā)氣體(硫酸霧和氧氣氣泡)。

存儲(chǔ)要求

未混合的濃硫酸和過(guò)氧化氫需分開(kāi)存放,避免陽(yáng)光直射和高溫環(huán)境。

五、應(yīng)用場(chǎng)景

清洗對(duì)象:

去除光刻膠殘留、有機(jī)污染物(如油污)、金屬離子(如Cu、Fe)及原生氧化物(如SiO?)。

適用于硅片、玻璃基板、半導(dǎo)體器件等清洗。

工藝位置:

通常在RCA清洗流程中作為第一步(SC-1清洗),后續(xù)可能搭配SC-2(NH?OH/H?O?)或DHF(稀氫氟酸)清洗。

六、替代方案

若需降低腐蝕性或環(huán)保壓力,可考慮以下替代方案:

稀釋型SPM:增加去離子水比例(如H?SO?:H?O?:DI Water=1:0.5:10),但清洗效率下降。

臭氧水(O?)清洗:利用臭氧的強(qiáng)氧化性替代H?O?,更環(huán)保但設(shè)備成本較高。

SPM清洗液的配制需嚴(yán)格遵循“酸→水→氧化劑”的順序,控制溫度和配比以平衡清洗效率與安全性。在半導(dǎo)體制造中,其強(qiáng)氧化性可有效清除頑固污染物,但需配套完善的廢液處理和安全防護(hù)措施。

蘇州芯矽電子科技有限公司

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蘇州芯矽電子科技有限公司是一家高新技術(shù)企業(yè)、專業(yè)半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造公司,主要提供實(shí)驗(yàn)室研發(fā)級(jí)到全自動(dòng)量產(chǎn)級(jí)槽式清洗機(jī),單片清洗機(jī),高純化學(xué)品/研磨液供應(yīng)回收系統(tǒng)及工程

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