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動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。收起

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  • 研報 | 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價漲幅擴大
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價格上漲，預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期，分別季增18-23%和13-18%。
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  • 需求升溫促使2Q25 Server與PC DDR4模組合約價漲幅擴大
    由于受到DRAM主要供應(yīng)商將逐漸收斂Server和PC DDR4產(chǎn)出，以及買方積極提前備貨等因素，支撐第二季Server與PC DDR4模組價格上漲，預(yù)估漲幅將優(yōu)于先前預(yù)期，分別季增18-23%和13-18%。 DDR4世代的生命周期已超過10年，需求逐步由DDR5取代，加上HBM、DDR5、LPDDR5(X)等產(chǎn)品的利潤率皆明顯較高，各主要供應(yīng)商已規(guī)劃終止生產(chǎn)DDR4，最后出貨時間大約落在202
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  • 研報 | 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導致多數(shù)產(chǎn)品合約價延續(xù)2024年第四季以來的跌勢。
    研報 | 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
  • 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
    2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導致多數(shù)產(chǎn)品合約價延續(xù)2024年第四季以來的跌勢。 展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機業(yè)者陸續(xù)完成庫存去化，并積
    2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
  • 《元器件動態(tài)周報》——受益于AI推動，HBM&LDDDR5供不應(yīng)求
    核心觀點 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動，2025年5月整體存儲器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強烈，預(yù)計維持至少一整年； 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來持續(xù)的庫存消耗，存儲庫存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求； 受傳統(tǒng)消費終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲價格穩(wěn)定，但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲器件最
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    06/03 09:37
    《元器件動態(tài)周報》——受益于AI推動，HBM&LDDDR5供不應(yīng)求
  • 三星1c DRAM大擴產(chǎn)，加速HBM4量產(chǎn)
    據(jù)悉，三星電子繼平澤工廠之后，已制定計劃在華城工廠建設(shè)1c DRAM（第6代10nm級DRAM）量產(chǎn)線。預(yù)計該項投資最早將于今年年底完成，此舉被解讀為反映了公司內(nèi)部對提高收益率的信心。
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  • DRAM芯片，“甜蜜點”已至
    4月，存儲芯片似乎迎來行業(yè)的轉(zhuǎn)折點。月初，筆者曾報道過閃迪、美光等公司開啟漲價潮。月尾，來自市場研究機構(gòu)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)給這個月存儲芯片的價格走勢做了總結(jié)。
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  • [存儲現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應(yīng)緊張；NAND緊缺推漲價格?
    DRAM現(xiàn)貨市場情況:DDR4現(xiàn)貨市場持續(xù)呈現(xiàn)強勁需求，供應(yīng)緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應(yīng)緊張尤為突出。
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    05/12 10:00
    [存儲現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應(yīng)緊張；NAND緊缺推漲價格?
  • 國際形勢變化帶動拉貨潮，預(yù)估2Q25存儲器合約價漲幅將擴大
    近期國際形勢變化已實質(zhì)改變存儲器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由于買賣雙方急于完成交易、推動生產(chǎn)出貨，以應(yīng)對未來市場不確定性，預(yù)期第二季存儲器市場的交易動能將隨之增強。 基于對未來國際形勢走向不明的擔憂，采購端普遍秉持“降低不確定因素、建立安全庫存”的策略，積極提高DRAM和NAND Flash的庫存水位。 TrendForce集邦咨詢表示，受到積極備貨潮帶動，第二季
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  • 存儲芯片，正式漲價
    今日，存儲芯片正式開始漲價浪潮。自此，存儲市場長達多半年的低迷態(tài)勢，終于迎來轉(zhuǎn)折。存儲芯片的兩大主力產(chǎn)品?NAND?與?DRAM，在新一季度的市場表現(xiàn)也各不相同。
    存儲芯片，正式漲價
  • 研報 | 下游客戶庫存去化順利，預(yù)計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國際形勢變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計均價為季增3%至8%。
    研報 | 下游客戶庫存去化順利，預(yù)計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂
  • 下游客戶庫存去化順利，預(yù)計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂
    2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國際形勢變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計均價為季增3%至8%。 PC DRAM、Server DRAM價格皆持平上季 因應(yīng)國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化
    下游客戶庫存去化順利，預(yù)計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂
  • 芯片制造為什么需要High-K材料
    DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）是一種常見的內(nèi)存芯片，就像我們家里的儲藏室，用來短暫存放數(shù)據(jù)（“0”或“1”）。DRAM最基本的結(jié)構(gòu)就是由一個晶體管（相當于開關(guān)）和一個電容（相當于儲藏室）組成的“1T1C”單元。
    芯片制造為什么需要High-K材料
  • 長鑫存儲DRAM份額將增至12%
    隨著市場份額穩(wěn)步提升的中國企業(yè)的崛起，持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。
  • 揭秘DRAM內(nèi)存接口：從手機到AI超算，為何它決定了計算速度的極限？
    當我們驚嘆于手機流暢加載4K視頻，或是AI模型秒級生成圖像時，背后默默支撐的DRAM內(nèi)存技術(shù)正經(jīng)歷一場靜默革命。ISSCC 2025最新教程揭示：內(nèi)存接口（I/O）設(shè)計才是突破算力瓶頸的關(guān)鍵！本文將帶你速覽尖端內(nèi)存技術(shù)的內(nèi)核密碼。
    揭秘DRAM內(nèi)存接口：從手機到AI超算，為何它決定了計算速度的極限？
  • Server DRAM與HBM持續(xù)支撐，4Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增9.9%
    2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收突破280億美元，較前一季成長9.9%；由于Server DDR5的合約價上漲，加上HBM集中出貨，前三大業(yè)者營收皆持續(xù)季增。平均銷售單價方面，多數(shù)應(yīng)用產(chǎn)品的合約價皆反轉(zhuǎn)下跌，只有美系CSP增加采購大容量Server DDR5，成為支撐Server DRAM（服務(wù)器內(nèi)存）價格續(xù)漲的主因。 展望2025年第一季，隨著進入生產(chǎn)淡季，整體原廠出貨位元量將季減。價格部分
    Server DRAM與HBM持續(xù)支撐，4Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增9.9%
  • DeepSeek會沖擊晶圓需求嗎？
    生成式AI的影響將導致DRAM晶圓的需求急劇增加。2025年1月20日，世界遭受“DeepSeek沖擊”。這是因為，中國初創(chuàng)AI公司DeepSeek發(fā)布了與OpenAI的GPT-4相當?shù)拇笠?guī)模語言模型（LLM）DeepSeek-R1（以下簡稱R1）。R1的研發(fā)僅用了兩個月的時間，成本僅為560萬美元，僅為其他公司成本的一小部分。
    DeepSeek會沖擊晶圓需求嗎？
  • SK海力士DRAM銷額將首次超越三星
    預(yù)計今年第一季度三星電子的DRAM銷售額將大幅萎縮。由于整體IT需求疲軟，DRAM供給減少，HBM銷售比重的大幅下降，使得DRAM ASP(平均銷售價格)較上一季度出現(xiàn)兩位數(shù)下滑的可能性加大。
    SK海力士DRAM銷額將首次超越三星
  • NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格
    NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動相關(guān)計劃，可能長期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。 TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方
  • 存儲市場迎三大挑戰(zhàn)！
    剛剛過去的2024年，存儲市場上演了一出“冰與火之歌”：終端市場消費電子復蘇遲緩，AI應(yīng)用則繼續(xù)強勢突圍。存儲產(chǎn)品因而開啟兩極化發(fā)展：消費類存儲需求平淡，高性能、企業(yè)級存儲產(chǎn)品市場反響熱鬧。
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