X-FAB

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  • X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案
    全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù):基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺,X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP,并配備額外的4Kbit EEPROM。此外,從2
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  • X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度
    全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,在其現(xiàn)有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺——XS018上,現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇,強化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。 2×2光電二極管排列布局示例圖 此次推出的四款新產(chǎn)品中,兩款為響應(yīng)增強型光電二極管doafe和dobfpe,
    X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

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