NAND

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。收起

查看更多
  • 《元器件動態(tài)周報》——受益于AI推動,HBM&LDDDR5供不應(yīng)求
    核心觀點(diǎn) 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動,2025年5月整體存儲器件的需求在向好,HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈,預(yù)計維持至少一整年; 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來持續(xù)的庫存消耗,存儲庫存逐步維持平衡,但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求; 受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響,低端存儲價格穩(wěn)定,但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動,HBM、LDDDR5以及LPDDR4價格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲器件最
    1038
    06/03 09:37
    《元器件動態(tài)周報》——受益于AI推動,HBM&LDDDR5供不應(yīng)求

正在努力加載...