MOS開關

• 日本SiC模塊新技術：MOS開關速度提升10倍

  我們都知道碳化硅功率半導體有很多的優(yōu)勢，而且已經在汽車、光儲充等眾多的市場大放異彩，但是，碳化硅潛力還未充分被挖掘和利用，例如受限于現(xiàn)有的驅動器設計，SiC功率器件的開關操作速度極其慢，這導致它固有的節(jié)能優(yōu)勢尚未得到充分發(fā)揮。最近，日本方面宣布他們已經解決了這個問題，并且展現(xiàn)出很好的效果。

  行家說三代半

  986

  03/17 12:05

  SiC 碳化硅功率器件

  

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