HBM4

• 研報 | HBM4新規(guī)格拉高制造門檻，預期溢價幅度逾30%

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，HBM技術(shù)發(fā)展受AI Server需求帶動，三大原廠積極推進HBM4產(chǎn)品進度。由于HBM4的I/O（輸入/輸出接口）數(shù)增加，復雜的芯片設(shè)計使得晶圓面積增加，且部分供應商產(chǎn)品改采邏輯芯片架構(gòu)以提高性能，皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時的溢價比例約為20%，預計制造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。

  TrendForce集邦咨詢

  923

  05/25 09:55

  HBM4

  
• 三星1c DRAM大擴產(chǎn)，加速HBM4量產(chǎn)

  據(jù)悉，三星電子繼平澤工廠之后，已制定計劃在華城工廠建設(shè)1c DRAM（第6代10nm級DRAM）量產(chǎn)線。預計該項投資最早將于今年年底完成，此舉被解讀為反映了公司內(nèi)部對提高收益率的信心。

  芯片說 IC TIME

  489

  05/23 09:05

  dram 三星電子

  

正在努力加載...