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GIDL（Gate-Induced Drain Leakage）柵感應(yīng)漏極漏電

GIDL（Gate-Induced Drain Leakage）柵感應(yīng)漏極漏電收起

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  • 在MOS晶體管中，什么是GIDL效應(yīng)？
    柵感應(yīng)漏極漏電（GIDL，Gate-Induced Drain Leakage），MOS管的GIDL效應(yīng)是指在柵極電壓較高的情況下，絕緣層下的溝道區(qū)域會(huì)發(fā)生漏電現(xiàn)象的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象是由于高電場(chǎng)導(dǎo)致絕緣層中的電子發(fā)生穿隧效應(yīng)，從而形成漏電流。
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    18小時(shí)前
    在MOS晶體管中，什么是GIDL效應(yīng)？