閂鎖效應(yīng)

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閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是CMOS集成電路中一個(gè)重要的問(wèn)題，這種問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致芯片功能的混亂或者電路直接無(wú)法工作甚至燒毀。

閂鎖效應(yīng)（Latch-up）是CMOS集成電路中一個(gè)重要的問(wèn)題，這種問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致芯片功能的混亂或者電路直接無(wú)法工作甚至燒毀。收起

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  • latch up閂鎖效應(yīng)原理及形成的原因
    一般Fabless公司設(shè)計(jì)的芯片在工程批回來(lái)之后，都會(huì)做芯片級(jí)的ESD測(cè)試和latchup等測(cè)試，對(duì)很多客戶朋友來(lái)說(shuō)，有可能對(duì)latchup稍微陌生，本篇文章將簡(jiǎn)要介紹latchup。
  • 【技術(shù)分享】詳解 IGBT 的閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)
    閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)，一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng)，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象，當(dāng)然，閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很少聽(tīng)到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來(lái)聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)~
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    2019/05/29
  • 閂鎖效應(yīng)
    閂鎖效應(yīng)是指在某些系統(tǒng)中，由于特定條件的存在，使得系統(tǒng)進(jìn)入一種“鎖住”的狀態(tài)，無(wú)法繼續(xù)正常運(yùn)行或產(chǎn)生所期望的結(jié)果。這種效應(yīng)可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)停滯、失靈或陷入不可逆的狀態(tài)。
  • 閂鎖效應(yīng)(Latch-up)的原理及其抑制方法介紹
    閂鎖效應(yīng)是集成電路中常見(jiàn)的一種不良現(xiàn)象，它可以導(dǎo)致電路失去控制，電流異常增大，甚至燒毀芯片。閂鎖效應(yīng)通常發(fā)生在CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）集成電路中，尤其是高集成度和高速度的現(xiàn)代電子器件上。本文將探討閂鎖效應(yīng)的原理以及有效的抑制方法。
  • 一文詳解latch up閂鎖效應(yīng)原理及形成的原因
    Latch-Up（閂鎖）是集成電路中一個(gè)常見(jiàn)但嚴(yán)重的故障現(xiàn)象，會(huì)導(dǎo)致器件失效或性能下降。本文將深入介紹Latch-Up效應(yīng)的原理、形成原因以及對(duì)電子器件的影響。