納芯微

• 納芯微高壓半橋驅(qū)動NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

  納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動能力，可以顯著簡化GaN驅(qū)動電路設(shè)計(jì)，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應(yīng)用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中

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  06/03 15:17

  GaN 納芯微

  

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