功率元器件

• ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低導通電阻的小型MOSFET，助力快速充電應用

  全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業(yè)界先進水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導通電阻。另外，通過在一個器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保

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  05/15 16:22

  MOSFET ROHM

  

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