SOT115J封裝中的混合放大器模塊,工作電壓為24 V (DC)。
特性
- 良好的線性度
- 極低的噪音
- 卓越的回波損耗性能
- 氮化硅鈍化
- 堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)
- 黃金金屬化確保卓越的可靠性
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加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:
860mhz, 21.5 dB增益倍頻放大器
SOT115J封裝中的混合放大器模塊,工作電壓為24 V (DC)。
特性
器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
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CRCW0603100KFKEA | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 100000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.01 | 查看 | |
SZBZX84C12LT1G | 1 | onsemi | 250 mW; Zener?Diode?Voltage Regulator 12 V (Automotive), SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL |
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$0.18 | 查看 | |
CL10A105KB8NNNC | 1 | Samsung Electro-Mechanics | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 1uF, 50V, ±10%, X5R, 0603 (1608 mm), 0.031"T, -55o ~ +85oC, 7" Reel |
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$0.14 | 查看 |
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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