AFT09MS031NR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT09MS031NR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

AFT09MS031N和AFT09MS031GN是專為頻率從764到941 MHz的移動雙向無線電應(yīng)用設(shè)計的。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能，非常適合在移動無線電設(shè)備中作為大信號、共源放大器應(yīng)用的理想選擇。

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器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價格	更多信息
SI2319DDS-T1-GE3	1	Vishay Intertechnologies	Small Signal Field-Effect Transistor,	ECAD模型下載ECAD模型	$0.52	查看
0805YD106KAT2A	1	Kyocera AVX Components	Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 10uF, 16V, ±10%, X5R, 0805 (2012 mm), Sn/NiBar, -55o ~ +85oC, 7" Reel	ECAD模型下載ECAD模型	$0.31	查看
GRM155R71C104KA88J	1	Murata Manufacturing Co Ltd	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Surface Mount, 0402, CHIP, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$0.02	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。