RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET,設(shè)計用于頻率在136至520 MHz之間的移動對講無線電應(yīng)用。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能,使其成為移動無線電設(shè)備中大信號共源放大器應(yīng)用的理想選擇。
特點(diǎn)
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AFT05MP075NR1,AFT05MP075GNR1 寬帶RF功率LDMOS晶體管 - 數(shù)據(jù)表
RF功率LDMOS晶體管、高耐用性N型增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET,設(shè)計用于頻率在136至520 MHz之間的移動對講無線電應(yīng)用。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能,使其成為移動無線電設(shè)備中大信號共源放大器應(yīng)用的理想選擇。
特點(diǎn)
器件型號 | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風(fēng)險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
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RC0603FR-1310KL | 1 | YAGEO Corporation | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 10000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP |
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$0.01 | 查看 | |
5013340100 | 1 | Molex | Connector Accessory, 0.0315in Max Cable Dia, Contact, Phosphor Bronze, |
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$0.11 | 查看 | |
LB1608T100M | 1 | TAIYO YUDEN | General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 0603, CHIP, 0603, ROHS COMPLIANT |
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$0.36 | 查看 |
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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