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EOS備注：
? 一般EOS定義：“由應用于半導體元件的電氣條件超過限值而導致的損壞”。
? 破壞性水平取決于在一定時間內(nèi)施加的能量量。
? EOS的損壞本身不是根本原因！
? EOS的損壞可能是連續(xù)故障機制的結(jié)果。
? 極端的損壞可能掩蓋了根本原因的證據(jù)。
? 任何設(shè)備在某個時候都可能受到損壞。
? 不可行的是能夠承受所有EOS威脅的設(shè)備（由于成本和物理限制/最大額定值）。
? 要確定根本原因，需要盡可能了解設(shè)備失敗的條件。
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