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本周新聞內(nèi)容如下：
1、 多個三代半導(dǎo)體技術(shù)入選2020年先導(dǎo)技術(shù)榜單！
2、 SK集團加大對功率半導(dǎo)體的投入
3、 碳化硅在列！內(nèi)蒙古單晶硅、多晶硅等新材料用電列入優(yōu)先交易范圍
4、 砷化鎵三強1月營收出爐！年增大漲，持續(xù)擴產(chǎn)
5、 安徽微芯嘉定中試基地啟動
6、 湖南兩會：抓好第三代半導(dǎo)體等十大技術(shù)攻關(guān)項目
7、 浙江十四五：突破第三代半導(dǎo)體芯片等技術(shù)，打造國內(nèi)重要的集成電路產(chǎn)業(yè)基地
8、 銅陵兩會：加快第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化步伐
9、 中國國際新一代車規(guī)級公路半導(dǎo)體技術(shù)高峰論壇4月開幕
10、2021年第三代半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀與展望
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產(chǎn)業(yè)動態(tài)
行業(yè)新聞
1、多個三代半導(dǎo)體技術(shù)入選2020年先導(dǎo)技術(shù)榜單！
1月19日，中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會發(fā)布50項先導(dǎo)技術(shù)榜單等榜單，先導(dǎo)技術(shù)榜單聚焦電子信息、生物醫(yī)藥、先進材料、裝備制造、資源環(huán)境五個領(lǐng)域。
高光效黃光LED材料與芯片制造技術(shù)、中科三安植物工廠、全光譜高顯色LED熒光粉技術(shù)、第三代半導(dǎo)體碳化硅外延設(shè)備等入選先導(dǎo)技術(shù)榜單。
高光效黃光LED材料與芯片制造技術(shù)所屬電子信息領(lǐng)域，是南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心通過裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新，創(chuàng)新發(fā)展了具有自主產(chǎn)權(quán)的大科學(xué)裝置—MOCVD高端裝備，并在硅襯底上生長第三代半導(dǎo)體InGaN黃光LED材料，取得了歷史性突破，將黃光LED的光效提升到了27.9%。這項技術(shù)結(jié)束了國際市場上長期缺乏高光效黃光LED的局面，開拓了健康照明的新方向，具有廣泛的應(yīng)用價值。
2、SK集團加大對功率半導(dǎo)體的投入
SK集團的投資控股公司SKHoldings于近日宣布，已以268億韓元的價格收購了韓國唯一的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商YesPowerTechniques的33.6％的股份。
YesPowerTechnix成立于2017年，研究和開發(fā)SiC器件，其100mm和150mm SiC晶圓年生產(chǎn)能力為14,000片/年，公司產(chǎn)品主要用途為電動汽車和氫能汽車的基本組件。此外，SKGroup的SKSiltron最近收購了杜邦的SiC晶圓業(yè)務(wù)。
3、碳化硅在列！內(nèi)蒙古單晶硅、多晶硅等新材料用電列入優(yōu)先交易范圍
2月4日，內(nèi)蒙古政府發(fā)文，對部分行業(yè)電價政策和電力市場交易政策進行調(diào)整。其中提到，符合產(chǎn)業(yè)政策的大數(shù)據(jù)中心、光伏新材料及應(yīng)用（硅材料、晶體切片、組件等）、稀土新材料及應(yīng)用、半導(dǎo)體材料（電子級晶體材料、碳化硅等）行業(yè)生產(chǎn)用電及新能源汽車充電站、5G基站等設(shè)施用電列入優(yōu)先交易范圍。
4、砷化鎵三強1月營收出爐！年增大漲，持續(xù)擴產(chǎn)
近日，中國臺灣砷化鎵三強：全新，宏捷科紛紛公布1月營收。受益于手機PA、WiFi的需求快速增溫，三大廠商1月營收年增大漲。
穩(wěn)懋1月合并營收達新臺幣21.05億元，月減8.46%、年增4.37%，連續(xù)八個月突破20億新臺幣大關(guān)；全新1月營收達新臺幣2.73億元，月減5.67%、年增25.67%，為歷史第三高；宏捷科1月合并營收達新臺幣3.6億元，月增3.81%、年增33.61%，連續(xù)五個月突破3億新臺幣，并創(chuàng)下超5年歷史記錄新高。
據(jù)報道，穩(wěn)懋穩(wěn)懋6英寸砷化鎵代工廠在2020年第三季度成功增產(chǎn)5000片/月，總產(chǎn)能已經(jīng)達到了4.1萬片/月。去年穩(wěn)懋斥資850億新臺幣，設(shè)廠于南科高雄園區(qū)，目前預(yù)計2021年下半年開始土建，該廠生產(chǎn)無線通訊、光感應(yīng)、資料傳輸?shù)犬a(chǎn)品；而宏捷科看好今年WiFi6及5G市場，規(guī)劃今年將大幅度擴產(chǎn)，月產(chǎn)能將由1.5萬片擴張至2.2萬片，增幅46.6%。
項目動態(tài)
重大項目動態(tài)
1、安徽微芯嘉定中試基地啟動
1月30日，安徽微芯長江半導(dǎo)體材料有限公司嘉定中試基地啟動儀式在中科院上海硅酸鹽研究所舉行。據(jù)悉，該基地2021年計劃目標(biāo)為生產(chǎn)4英寸2150片；6英寸240片，驗證片150片，良率達到行業(yè)內(nèi)中上水平；完成公司級研發(fā)課題6項；申請專利20項。
去年11月該項目開工，項目投資13.5億元，以4&6英寸工藝兼容的自動化產(chǎn)線為實施要點，建設(shè)工期4年，預(yù)計2021年3季度完成廠房建設(shè)和設(shè)備安裝調(diào)試，2021年12月底完成中試并開始試銷，達成后預(yù)計年產(chǎn)4英寸碳化硅晶圓片3萬片、6英寸12萬片。
2、湖南三安獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金超8107萬元
2月2日，三安光電發(fā)布公告稱子公司湖南三安獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8107萬元。
湖南三安公司業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導(dǎo)體功率芯片的研發(fā)、設(shè)計、制造、及服務(wù)。湖南長沙三安項目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。
政策動態(tài)
政策動態(tài)
1、湖南兩會：抓好第三代半導(dǎo)體等十大技術(shù)攻關(guān)項目
1月25日，湖南十三屆人大會第四次會議中政府工作報告指出，2020年，湖南加強應(yīng)對國際供應(yīng)鏈斷裂風(fēng)險項目建設(shè)，全力推進20條工業(yè)新興優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)鏈建鏈補鏈延鏈強鏈，藍思視窗面板、中車株洲所IGBT二期等項目竣工。同時，數(shù)字經(jīng)濟加快布局，5G通信、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等快速發(fā)展。
2021年，湖南重點十大技術(shù)攻關(guān)項目包括兩大集成電路項目：中電48所、楚微半導(dǎo)體8英寸集成電路成套裝備；中車時代電氣、頂立科技、大合新材料等第三代半導(dǎo)體；同時，湖南將重點抓好：推進大眾電動汽車、三安半導(dǎo)體、等十大產(chǎn)業(yè)項目建設(shè)。
2、浙江十四五：突破第三代半導(dǎo)體芯片等技術(shù)，打造國內(nèi)重要的集成電路產(chǎn)業(yè)基地
1月30日，浙江省第十三屆人民代表大會第五次會議通過《浙江省國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標(biāo)綱要》。《綱要》提出，浙江將大力提升產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈現(xiàn)代化水平，聚焦生物醫(yī)藥、集成電路等十大標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈。
其中，集成電路領(lǐng)域?qū)⑼黄频谌雽?dǎo)體芯片、專用設(shè)計軟件（電子設(shè)計自動化工具等）、專用設(shè)備與材料等技術(shù)，前瞻布局毫米波芯片、太赫茲芯片、云端一體芯片，打造國內(nèi)重要的集成電路產(chǎn)業(yè)基地；未來布局方面，超前布局發(fā)展第三代半導(dǎo)體、類腦芯片、柔性電子、量子信息、物聯(lián)網(wǎng)等未來產(chǎn)業(yè)，加快建設(shè)未來產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)區(qū)；新材料方面，將重點主攻先進半導(dǎo)體材料、新能源材料、高性能纖維及復(fù)合材料、生物醫(yī)用材料等關(guān)鍵戰(zhàn)略材料。
3、銅陵兩會：加快第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化步伐
1月19日，安徽銅陵市第十六屆人民代表大會第四次會議上提出。2020年，銅陵開展“重大項目攻堅年”活動，組織11批重大項目集中開工，長江半導(dǎo)體碳化硅晶圓片等202個重點項目開工。鎵特自支撐氮化鎵等項目竣工投產(chǎn)，微芯半導(dǎo)體15萬片單晶碳化硅等項目開工建設(shè)。
2021年，銅陵還將加快第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化步伐，建成投產(chǎn)恩微電子芯片微電園、中銳電子半導(dǎo)體封裝、富樂德陶瓷溶射及研發(fā)中心。
活動會議
論壇會議
1、中國國際新一代車規(guī)級公路半導(dǎo)體技術(shù)高峰論壇4月開幕
2021年CIAS中國國際新一代車規(guī)級公路半導(dǎo)體技術(shù)高峰論壇將于2021年4月12日-13日在上海嘉定喜來登酒店舉辦，此次高峰論壇由旺財新媒體、上海嘉定國資集團主辦，寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟作為支持單位。論壇將聚焦超結(jié)IGBT技術(shù)、硅基IGBT和碳化硅MOSFET組合、寬禁帶半導(dǎo)體材料等技術(shù)。
研究報告
行業(yè)報告
1、2021年第三代半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀與展望
報告鏈接：
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