光刻工藝面試問題干貨

基本問題光刻的基礎概念

光刻的基本工藝流程：光刻工藝主要包括涂膠（spin coating）、軟烘（soft bake）、對準（alignment）、曝光（exposure）、顯影（developing）和硬烘（hard bake）。在這些步驟中，光刻膠被涂覆在晶圓表面，通過曝光和顯影形成特定的圖案。

關鍵尺寸（CD）：關鍵尺寸是指在半導體制造中，器件或線條的最小可控制尺寸。CD直接影響到芯片的性能和產(chǎn)量。

光譜范圍：光刻中使用的光源的波長范圍。常見的光譜范圍包括紫外光（如G線、i線）和深紫外光（如KrF和ArF）。

分辨率：光刻工藝中能夠分辨的最小特征尺寸。分辨率受光源波長和數(shù)值孔徑（NA）的影響。根據(jù)瑞利準則，分辨率公式為R= kl * λ/NA，λ代表光源波長，NA代表物鏡的數(shù)值孔徑，kl代表光刻工藝因子。