外接電容越大晶振起振越慢?

首先說明的是:但凡需要外接電容的晶振均為無源晶振。另外，注意區(qū)分外接電容C1和C2（接地電容，對地電容）并不等同于晶振負(fù)載電容（CL）。C1和C2是電路板和包括IC和晶振在內(nèi)的組件的總電容值。

一般情況下，增大無源晶振的外接電容將會使晶振振蕩頻率下降，即偏負(fù)向。舉例，若無源晶振12MHz的外接電容為18PF，實(shí)際輸出頻率為12.002876MHz。更改外接電容為27PF之后，該晶振的實(shí)際輸出頻率會有所降低，如：11.9998923 MHz。

晶振的外接電容越大，晶振的振蕩越穩(wěn)定，但是會增加起振時間，即晶振起振慢，其原理是外接電容會存儲更多電荷，即降低電流強(qiáng)度，從而降低電路提供給晶振起振的激勵功率。

當(dāng)無源晶振的輸出波形出現(xiàn)削峰、畸變時，這一般是由于電流過驅(qū)動（over drive）導(dǎo)致，可以嘗試通過串聯(lián)一顆電阻解決，電阻值一般在幾十kΩ~幾百kΩ。如果要穩(wěn)定波形，則可嘗試并聯(lián)一顆1M反饋電阻。