湖南三安SiC SBD累計出貨量突破2億顆

1月24-26日，湖南三安攜8英寸碳化硅（SiC）晶碇、襯底、外延，車規(guī)級SiC二極管、MOSFET產(chǎn)品，以及多場景應用解決方案亮相第38屆日本國際電子展NEPCON JAPAN 2024。

據(jù)悉，湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品，已廣泛應用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領域并形成批量出貨，累計出貨量超2億顆；SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅(qū)的1200V 16mΩ車規(guī)級產(chǎn)品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進行模塊驗證；湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點客戶批量導入。

SiC SBD累計出貨量突破2億顆，意味著湖南三安SiC SBD系列產(chǎn)品受到較多客戶青睞，對其拓展國內(nèi)、國際市場是一大利好消息，有望為該公司SiC器件業(yè)務帶來更多簽單機會。

據(jù)了解，湖南三安半導體基地項目致力于建設具有自主知識產(chǎn)權(quán)的以SiC等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，項目投產(chǎn)后可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和5G通訊等。

2022年7月，湖南三安半導體基地項目二期開建，總投資為80億元，全面達產(chǎn)后將實現(xiàn)50萬片6英寸SiC晶圓的年產(chǎn)能。

湖南三安半導體基地二期工程目前已進入廠房裝修后期階段，2024年一季度即將貫通。在緊盯SiC產(chǎn)能的同時，湖南三安也瞄準了海外市場。1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安與其簽署了一項合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道，面向功率半導體應用市場。

Luminus在美洲地區(qū)擁有銷售團隊，包括區(qū)域制造商代表、經(jīng)銷商等，并且在SiC、GaN功率半導體市場已有布局。與Luminus合作，湖南三安SiC、GaN產(chǎn)品能夠更加順利地打入美洲市場。值得一提的是，2023年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會上首發(fā)8英寸SiC襯底，正式躋身國內(nèi)8英寸SiC襯底廠商行列。

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