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動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來說，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。收起

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  • 研報(bào) | 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元
    根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價(jià)方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來的跌勢。
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    2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價(jià)方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計(jì)，HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導(dǎo)致多數(shù)產(chǎn)品合約價(jià)延續(xù)2024年第四季以來的跌勢。 展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機(jī)業(yè)者陸續(xù)完成庫存去化，并積
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  • 《元器件動(dòng)態(tài)周報(bào)》——受益于AI推動(dòng)，HBM&LDDDR5供不應(yīng)求
    核心觀點(diǎn) 受益于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)推動(dòng)，2025年5月整體存儲(chǔ)器件的需求在向好，HBM以及LDDDR5需求強(qiáng)烈，預(yù)計(jì)維持至少一整年； 得益原廠減產(chǎn)以及數(shù)月來持續(xù)的庫存消耗，存儲(chǔ)庫存逐步維持平衡，但HBM以及LDDDR5仍供不應(yīng)求； 受傳統(tǒng)消費(fèi)終端季節(jié)性疲軟影響，低端存儲(chǔ)價(jià)格穩(wěn)定，但受益于AI設(shè)施及AI應(yīng)用的推動(dòng)，HBM、LDDDR5以及LPDDR4價(jià)格維持高位甚至略漲。 三大維度解讀存儲(chǔ)器件最
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