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化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術?；瘜W氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。

化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制?；瘜W氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。收起

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  • 七家布局CVD金剛石上市企業(yè)Q1業(yè)績盤點
    2024年，CVD金剛石行業(yè)在復雜多變的市場環(huán)境中負重前行。 盡管技術迭代持續(xù)推動產能擴張，但金剛石功能化產品在半導體、熱管理等高端應用領域的市場放量節(jié)奏顯著慢于預期。產能的快速提升與終端需求的階段性疲軟，導致行業(yè)整體面臨一定程度的供需錯配壓力。
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    05/30 09:40
    七家布局CVD金剛石上市企業(yè)Q1業(yè)績盤點
  • ATL聯手上海洗霸加碼多孔碳，硅碳負極商業(yè)化“快進”
    百公斤級流化床設備開啟交付。近期，寧德新能源（ATL）對上海洗霸子公司山東復元的戰(zhàn)略投資，以及百公斤級流化床設備的交付，標志著新型硅碳負極所需的關鍵原料和設備供應正加速成型。
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  • 人造金剛石產業(yè)新機遇：HTHP與CVD如何實現1+1＞2的協(xié)同效應？
    當前，人造金剛石產業(yè)正站在時代的風口，HTHP（高溫高壓法）和CVD（化學氣相沉積法）作為兩大核心生產技術，如何實現兩個行業(yè)的協(xié)同發(fā)展？
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    01/12 08:25
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  • 集成電路薄膜工藝解析：CVD的原理、分類、應用、挑戰(zhàn)與解決方案
    化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一種通過化學反應在晶圓表面沉積固體薄膜的工藝，是半導體制造中最為廣泛應用的薄膜工藝之一。
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  • 先進邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴大， 芯片內部立體結構日趨復雜，所需要的薄膜層數越來越多，對絕緣介質薄膜、導電金屬薄膜的材料種類和性能參數不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納
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    2024/12/10
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  • 5nm已量產，3nm還會遠嗎？重要性比肩光刻機的刻蝕設備——中微公司
    晶圓制造設備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設備、光刻設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中最重要的三類設備。 根據Gartner統(tǒng)計的數據，2013年至2023年，半導體前道設備中，干法刻蝕設備市場年均增速超過15%，化學薄膜設備市場年均增速超過14%，這兩類設備增速遠高于其他種類的設備。 圖|20
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    2024/11/12
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  • 走過路過不要錯過，進來看看全球半導體CVD/ALD設備商統(tǒng)計數據吧
    昨天發(fā)布了設備電源、離子源的供應商數據，我正考慮接下來發(fā)布什么數據時，就有我知識星球的會員私信向我要CVD設備的供應商數據。好吧，那我就整理發(fā)布一下吧，順便把ALD的也一并發(fā)布了
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  • 晶圓制造之化學氣相沉積CVD工藝
    在制造集成電路時，有時候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學氣相沉積（CVD）這種方法。
    晶圓制造之化學氣相沉積CVD工藝
  • HDPCVD的原理
    知識星球里的學員問：麻煩介紹下HDPCVD的具體用途，原理。 什么是HDPCVD? HDPCVD，全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，即高密度等離子體化學氣相沉積。它產生的等離子體密度非常高，通常在1011至1012 ions/cm3的量級。相比之下，PECVD的等離子體密度就很低了，在間隔寬度小于0.5μm的情況下，用PECVD填充高的
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  • 什么是FCVD？
    學員問：昨天在直播的時候有你說FCVD，我之前是沒有聽過這類的CVD，可以詳細介紹一下嗎？FCVD，全稱是Flowable Chemical Vapor Deposition，即流動化學氣相沉積。結合了旋涂電介質 (SOD) 優(yōu)異的間隙填充性能和 CVD 的工藝穩(wěn)定性，用來制造線寬在20 納米以下的ILD（層間介電質）。
    1.6萬
    2024/08/15
    CVD
  • 晶圓制造CVD工藝面試知識點小結
    無錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問題及知識點如下，僅供參考：
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  • 晶圓制造CVD工藝常見面試問題
    在無錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問題：這些問題覆蓋了CVD工藝的各個方面，包括基礎知識、工藝優(yōu)化、設備管理以及實際應用。
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  • 用鉆石代替 GPS 來導航？
    許多應用，包括手機和汽車傳感器，都廣泛使用磁力測量技術。傳感器通常很大、很貴，而且需要低溫冷卻，這對可用性有不利影響。為了獲得最高的靈敏度，金剛石驅動設備成為一種緊湊、便攜的選擇。近日，Element Six與其合作者SBQuantum 、英國華威大學分別發(fā)布了基于量子金剛石的應用拓展方面的合作進展。
    1644
    2024/08/02
    用鉆石代替 GPS 來導航？
  • 晶圓？還是晶方？CVD金剛石晶圓尺寸怎么計算？
    在以往的印象里，晶圓是圓的，芯片是方的。為什么叫晶圓？不叫晶方？為什么晶圓是圓的，芯片是方的？晶圓的尺寸怎么計算？……昨天，寧波晶鉆60 mm × 60 mm的單晶金剛石片在行業(yè)內引起熱度與討論，這是3.35英寸？還是2.36英寸？業(yè)內究竟以什么為標準？
    2791
    2024/08/02
    晶圓？還是晶方？CVD金剛石晶圓尺寸怎么計算？
  • 3.35英寸！寧波晶鉆同質外延單晶金剛石再次突破
    近日，在寧波晶鉆科技股份有限公司的金剛石產業(yè)園內，一顆顆CVD大單晶金剛石如期上線。其中，一顆60 mm?×?60 mm的單晶金剛石片映入眼簾。據了解，該金剛石片采用的是同質外延生長技術，這不是晶鉆科技的首次突破！
    2703
    2024/07/31
    3.35英寸！寧波晶鉆同質外延單晶金剛石再次突破
  • 特瑞堡完成半導體收購，擴大在亞洲的產能
    Trelleborg完成了對韓國領先制造商MNE Group的收購，大大增強了其在半導體密封市場的能力。 MNE集團由材料納米工程和材料納米解決方案公司組成，主要為售后市場和原始設備制造商生產高性能特種密封件。此次收購為特瑞堡密封解決方案公司提供了新的產品和能力，并與全球最大的半導體本土市場之一的一些最重要的制造商建立了客戶聯系。 Trelleborg Sealing Solutions業(yè)務區(qū)總裁
    特瑞堡完成半導體收購，擴大在亞洲的產能
  • 流量控制器在半導體加工工藝化學氣相沉積（CVD）的應用
    薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個設備就叫薄膜沉積設備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積（CVD），其中CVD工藝設備占比更高。
  • 功率SiC前景可期，現實是地主家也缺錢
    8月22日，SiC（碳化硅）頭部玩家Wolfspeed將氮化鎵（GaN-on-SiC）射頻業(yè)務出售給MACOM，出售金額為1.25億美元。該業(yè)務最近的年收入約為1.5億美元，是Wolfspeed（前Cree）五年前用3.45億歐元從英飛凌收購的?？磥?，“地主家”也不富裕，這項預計在今年年底完成的交易資金將用于Wolfspeed碳化硅業(yè)務的擴產。值得一提的是，這并不是Wolfspeed第一次剝離業(yè)務
    2062
    2023/10/16
    功率SiC前景可期，現實是地主家也缺錢
  • 全球半導體物理氣相淀積設備供應商列表：國產廠商真心不多
    在半導體制造、封裝領域會用到大量的成膜設備，技術路徑多樣、不一而足。我個人一般把半導體成膜設備分為三大類：1）化學氣相淀積（CVD：Chemical Vapor Deposition）-?包含ALD；2）物理氣相淀積（PVD：Physical Vapour Deposition）；3）其它成膜設備。
    3387
    2023/10/01
    全球半導體物理氣相淀積設備供應商列表：國產廠商真心不多
  • 又一公司CVD設備發(fā)貨，國產化到哪步了？
    7月16日，微導納米發(fā)布官方消息，公司的首臺半導體CVD薄膜沉積設備順利發(fā)貨。微導納米的iTronix?系列CVD薄膜沉積設備，主要用于制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等不同種類薄膜，可應用于邏輯、存儲、先進封裝、顯示器件以及化合物半導體等領域芯片制造。
    又一公司CVD設備發(fā)貨，國產化到哪步了？

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