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3D NAND Flash,劍指1000層堆疊!
閃存進入立體堆疊時代之后,在存儲大廠推動下,閃存堆疊層數越來越高,目前已經突破200層大關。不過,大廠對于層數的追求永不止步,根據韓媒The Elec報道,三星存儲業(yè)務高管近日對外表示,2030年V-NAND可以疊加到1000多層。閃存市場層數堆疊競爭愈演愈烈,未來存儲產品容量有望持續(xù)提升。
全球半導體觀察
2074
2023/07/06
SSD
閃存
韓國Wonik IPS|供應三星西安3D Nand molding設備
根據韓媒 Etnews 報道,雖 Wonik IPS 公司的供應數量暫無具體資訊,但業(yè)界預測對公司業(yè)績貢獻巨大。
CINNO Research
134
2020/02/24
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三星電子
大陸存儲器 53 年發(fā)展史
本文中的存儲器包括DRAM、SRAM、EPROM、Flash和新型存儲器(MRAM、PRAM、RRAM)產品。
趙元闖
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2019/10/10
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flash
東芝已正式更名為“鎧俠”,公司將投資 3 億擴大生產3D NAND Flash
與非網10月2日訊,作為NAND閃存的發(fā)明人,雖然市場地位已經被三星超越,但東芝的地位仍然不容小覷。
與非網記者
56
2019/10/02
NAND
內存
長江存儲64層3D閃存芯片量產在即,國產芯片替代趨勢下還存在哪些挑戰(zhàn)?
據報道,紫光集團旗下的長江存儲計劃于今年年底前投入64層3D閃存的量產工作。其中風險試產預計三季度啟動,目前良率已經實現了顯著爬升。
李晨光
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2019/05/08
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貿澤電子
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基于Atmega328 MCU 與 Semtech SX1276 的入侵警告方案
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基于51單片機的溫控電機【直流,上下限,LCD1602,正反轉】(仿真)
基于 Microchip(Atmel) ATSAM4S16-AU 的四軸飛行器解決方案
DER-121:13.1 W AC-DC反激轉換器
基于炬芯(Actions) ATB1103的藍牙語音遙控器方案
高度集成的 100W USB-PD 充電器
基于NXP S32V234 的疲勞監(jiān)測、前方碰撞、車道偏離、全景監(jiān)控 之 Panda ADAS 方案
基于Infineon IRSM506 IPM的BLDC無葉風扇方案
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基于CH32X035的Type-C PD顯示器方案簡介
與非專題
效率超98%!英諾賽科推出48V系統(tǒng)四相2kW降壓電源方案
基于Novatek NT98568 + OmniVision OS04E10實現Preroll方案
基于PI IMX2379F的62W三輸出定電壓反激電源解決方案
基于ST VB56G4的DMS方案
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