2nm工藝

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  • 先進制程巨頭“聯(lián)姻”，一場怎樣的陽謀？
    全球半導體先進制程正陷入一種前所未有的“膠著態(tài)”。在2nm工藝的全球競賽進入倒計時之際，英特爾代工仍在虧損，急于找到有效的“輸血”途徑；臺積電則在關稅等陰云籠罩下,為求得一條平衡全球業(yè)務布局的道路而不停奔波。
    先進制程巨頭“聯(lián)姻”，一場怎樣的陽謀？
  • 2nm戰(zhàn)場，好戲來了
    本周，2nm在各大網站強勢刷屏。臺積電此前表示，2nm芯片將于4月1日起接受訂單預訂。隨著時間逐漸來到4月，它終于猶抱琵琶半遮面，緩緩露出真容。臺積電、Intel、Rapidus等芯片巨頭均在本周再度更新了2nm芯片的量產進展。
    2nm戰(zhàn)場，好戲來了
  • 2nm工藝大考倒計時
    臺積電近期表示，2nm工藝技術進展良好，將如期在今年下半年量產，產能在今年年底前有望達到5萬片，甚至有機會邁上8萬片臺階。
    2nm工藝大考倒計時
  • 2025年2納米晶圓廠全力加速建設
    ChatGPT之后，DeepSeek橫空出世，助力AI大模型持續(xù)升溫。AI驅動之下，先進制程芯片需求持續(xù)高漲。當前3納米芯片已經實現(xiàn)量產，為滿足未來市場對更先進制程芯片的需求，多家廠商積極布局2納米晶圓廠，且目標2025年量產/試產。隨著目標時間臨近，2納米晶圓廠建設進入全力加速階段。
    2025年2納米晶圓廠全力加速建設
  • 2nm，要來了
    在半導體制造中，2nm工藝是繼3nm工藝節(jié)點之后的下一個MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）芯片微縮技術?！?nm”或“20埃”（英特爾使用的術語）與晶體管的任何實際物理特征（例如柵極長度、金屬間距或柵極間距）無關。根據(jù)電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)發(fā)布的2021 年更新的《國際設備和系統(tǒng)路線圖》中的預測，“2.1 nm節(jié)點范圍標簽”預計接觸柵極間距為 45 nm，最緊密金屬間距為 20 nm。
    2nm，要來了