ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC開始量產(chǎn)
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用,可使GaN器件在高頻、高速開關(guān)過程中實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng),有助于電機(jī)和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。 新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開關(guān)工作