半導(dǎo)體工藝

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  • 在半導(dǎo)體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
    在半導(dǎo)體制造工藝?yán)铮饘賹拥碾娀瘜W(xué)鍍（ECP）是構(gòu)建芯片內(nèi)部復(fù)雜電路互連的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而在 ECP 工藝完成后，一項(xiàng)不可或缺的后續(xù)操作便是洗邊。這一操作看似簡(jiǎn)單，實(shí)則對(duì)芯片制造的整體質(zhì)量、性能以及生產(chǎn)效率有著多方面的深刻影響。
    在半導(dǎo)體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
  • 如何看待中國(guó)的半導(dǎo)體工藝制程被卡在7nm，如何才能突破？
    突破7nm制程瓶頸，既需要短期內(nèi)的技術(shù)攻堅(jiān)，也需要長(zhǎng)期的戰(zhàn)略布局。當(dāng)前，中國(guó)的7nm制程技術(shù)尚未達(dá)到全球頂尖水平，尤其是在極紫外（EUV）光刻機(jī)等關(guān)鍵前道制造設(shè)備上，仍然依賴外部供應(yīng)。要突破這一瓶頸，必須依賴自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新。
    如何看待中國(guó)的半導(dǎo)體工藝制程被卡在7nm，如何才能突破？
  • FD-SOI，半導(dǎo)體“特色”工藝之路能否走通？
    在進(jìn)入28納米節(jié)點(diǎn)時(shí)，半導(dǎo)體邏輯制造工藝出現(xiàn)了分岔。一條路線走向了三維工藝，即大家所熟知的FinFET，代表廠商有臺(tái)積電、英特爾和中芯國(guó)際等晶圓制造廠商；另一條路線則還在堅(jiān)持平面工藝，被稱為FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡硅型絕緣體上硅），代表廠商有意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）。三星電子與格羅方德（GlobalFoundries）則兩條腿走路，對(duì)FinFET與FD-SOI都有布局，但三星的先進(jìn)邏輯制造工藝還是以FinFET為主。
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    2024/10/31
    FD-SOI，半導(dǎo)體“特色”工藝之路能否走通？
  • 為什么器件失效分析需要Nano-probe機(jī)臺(tái)？
    器件失效分析（Failure Analysis，F(xiàn)A）關(guān)系到集成電路的質(zhì)量控制、產(chǎn)品可靠性以及產(chǎn)量?jī)?yōu)化。在分析過(guò)程中，工程師必須準(zhǔn)確定位失效源頭，分析失效機(jī)理并找到解決方法。其中，Nano-probe（納米探針）作為一項(xiàng)關(guān)鍵的微納級(jí)分析工具，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)工藝制程中，如5nm、7nm、16nm等。
    為什么器件失效分析需要Nano-probe機(jī)臺(tái)？
  • 為什么器件失效分析需要AFM機(jī)臺(tái)？
    失效分析是確保集成電路和微電子器件可靠性、優(yōu)化制造工藝的重要環(huán)節(jié)。隨著技術(shù)的進(jìn)步，特別是進(jìn)入5nm、7nm等先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)后，器件失效模式變得更為復(fù)雜，要求我們使用各種高精度的分析工具進(jìn)行失效定位和機(jī)理分析。原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope，簡(jiǎn)稱AFM）就是其中一種重要的分析工具。
    為什么器件失效分析需要AFM機(jī)臺(tái)？