二極管

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二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。二極管有兩個(gè)電極，正極，又叫陽(yáng)極；負(fù)極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通， 加上反向電壓時(shí)，二極管截止。 二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開。

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。二極管有兩個(gè)電極，正極，又叫陽(yáng)極；負(fù)極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通， 加上反向電壓時(shí)，二極管截止。 二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開。收起

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    在高頻高壓應(yīng)用中，比如高壓開關(guān)電源、脈沖驅(qū)動(dòng)、激光電源、工業(yè)高壓變換器等，整流管是電路中承接高壓、高頻能量的關(guān)鍵元件。工程師們?cè)谶x型時(shí)，往往面臨一個(gè)核心問(wèn)題：我到底應(yīng)該用普通高壓整流二極管，還是升級(jí)到高壓快恢復(fù)二極管？?jī)烧叩男阅懿罹嘣谀模克鼈冊(cè)谙到y(tǒng)中的表現(xiàn)有什么不同？今天，作為一名MDDFAE，我就來(lái)幫大家梳理這場(chǎng)“高頻高壓場(chǎng)景下的取舍之戰(zhàn)”。 1、核心差異：快恢復(fù)vs普通整流 普通高壓整流管（如
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    在高壓應(yīng)用場(chǎng)景中，例如脈沖電源、X射線設(shè)備、工業(yè)高壓模塊、激光驅(qū)動(dòng)、高壓電源等，MDD高壓整流二極管是系統(tǒng)中至關(guān)重要的元件。相比低壓二極管，高壓整流二極管不僅要承受更高的工作電壓，還要在長(zhǎng)期高壓下保持低漏電、低功耗和高可靠性。然而，市場(chǎng)上高壓二極管種類繁多，選型時(shí)如果只盯著耐壓指標(biāo)，很容易忽視其他關(guān)鍵參數(shù)，導(dǎo)致設(shè)計(jì)后期出現(xiàn)散熱、效率、失效等問(wèn)題。作為一名經(jīng)驗(yàn)豐富的FAE，我想和大家深入探討：從耐壓
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    在高壓系統(tǒng)中，高壓二極管作為整流、續(xù)流、箝位或保護(hù)元件，起著至關(guān)重要的作用。然而，許多工程師在PCB設(shè)計(jì)階段，往往只關(guān)注器件的電氣參數(shù)，卻忽視了布線設(shè)計(jì)對(duì)系統(tǒng)安全、防護(hù)性能以及長(zhǎng)期可靠性的影響。實(shí)際上，MDD高壓二極管的PCB布線，涉及電氣間距、爬電距離、電場(chǎng)分布、散熱、寄生效應(yīng)等多個(gè)層面。如果處理不當(dāng)，輕則引入干擾、降低效率，重則引發(fā)高壓擊穿、絕緣失效甚至火災(zāi)。本文將圍繞MDD高壓二極管的PCB
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  • 如何為特定應(yīng)用選擇溫度傳感器
    作者：Mehrdad Peyvan，應(yīng)用經(jīng)理 摘要 本文討論如何為特定應(yīng)用選擇合適的溫度傳感器。我們將介紹不同類型的溫度傳感器及其優(yōu)缺點(diǎn)。最后，我們將探討遠(yuǎn)程和本地檢測(cè)技術(shù)的最新進(jìn)展如何推動(dòng)科技進(jìn)步，從而創(chuàng)造出更多更先進(jìn)的溫度傳感器。 簡(jiǎn)介 溫度傳感器在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中扮演著重要角色，包括消費(fèi)電子產(chǎn)品、環(huán)境監(jiān)測(cè)和工業(yè)加工。為確保溫度讀數(shù)準(zhǔn)確，選擇合適的溫度傳感器至關(guān)重要。市場(chǎng)上有各種各樣的溫度傳感器
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  • 利用理想二極管，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的電源
    作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個(gè)電源。使用多個(gè)不同電源為器件供電時(shí)，需要部署若干開關(guān)以將電源相互分隔開，以防損壞。對(duì)此，固然可在電源路徑中使用多個(gè)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類理想二極管的優(yōu)勢(shì)。文中將展示兩個(gè)版本的理想二極管：一個(gè)是無(wú)需根據(jù)電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個(gè)版本則更加簡(jiǎn)單，始終由更高的
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  • ??如何選擇合適的MDD開關(guān)二極管 封裝 頻率與電流能力的權(quán)衡??
    在電子電路設(shè)計(jì)中，MDD開關(guān)二極管的選擇直接影響系統(tǒng)的效率、可靠性和成本。作為現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師（FAE），我們需要綜合考慮封裝、開關(guān)頻率和電流能力三個(gè)關(guān)鍵因素，以找到最優(yōu)的解決方案。 ??1.封裝選擇：散熱、尺寸與安裝方式的平衡?? 封裝不僅決定了二極管的物理尺寸，還直接影響其散熱能力和電流承載能力。常見的封裝類型包括： ??TO-220/TO-247??（大功率）：適用于高電流（10A+）應(yīng)用，散
  • SMT封裝下的開關(guān)二極管選型指南 微型化設(shè)備中的可靠性挑戰(zhàn)
    隨著消費(fèi)電子、穿戴式設(shè)備、IoT終端以及醫(yī)療微型儀器的發(fā)展，電子產(chǎn)品正朝著更輕薄、更緊湊、更集成的方向演進(jìn)。在這種趨勢(shì)下，開關(guān)二極管作為信號(hào)控制、電平轉(zhuǎn)換、鉗位保護(hù)等基礎(chǔ)功能器件，正面臨新的選型挑戰(zhàn)。尤其是在SMT封裝下，工程師不但要考慮其電氣性能，更需關(guān)注封裝熱管理、焊接可靠性、寄生參數(shù)控制等因素。 一、SMT封裝趨勢(shì)下的新挑戰(zhàn) 傳統(tǒng)的DO-35、DO-41等軸向封裝二極管因體積大、占板空間多，
  • 東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
    東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。 四款新器件是首批采用小型表貼DFN
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  • 如何利用MDD開關(guān)二極管構(gòu)建快速開關(guān)保護(hù)電路 實(shí)用設(shè)計(jì)技巧分享
    在高速開關(guān)控制電路或數(shù)字邏輯電路中，瞬態(tài)電壓、負(fù)載感應(yīng)反沖、反向電流等因素常常對(duì)核心元件造成威脅，特別是在繼電器、MOSFET、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電感負(fù)載等場(chǎng)合，保護(hù)電路設(shè)計(jì)不當(dāng)可能導(dǎo)致元器件損壞、系統(tǒng)失效甚至引發(fā)安全隱患。本文將從FAE的實(shí)用經(jīng)驗(yàn)出發(fā)，介紹如何巧妙利用MDD開關(guān)二極管（如1N4148、BAS16等）構(gòu)建快速開關(guān)保護(hù)電路，并給出幾個(gè)典型設(shè)計(jì)技巧，幫助工程師在實(shí)際項(xiàng)目中提升系統(tǒng)可靠性。
  • 從MDD1N4148談起 小信號(hào)開關(guān)二極管的經(jīng)典應(yīng)用場(chǎng)景
    在電子工程界，若說(shuō)有哪一顆二極管堪稱“經(jīng)典之最”，MDD1N4148小信號(hào)開關(guān)二極管當(dāng)之無(wú)愧。自20世紀(jì)六十年代問(wèn)世以來(lái)，1N4148因其快速恢復(fù)時(shí)間、穩(wěn)定可靠、價(jià)格低廉等特性，在無(wú)數(shù)電路中扮演著不可替代的角色。 一、1N4148的基本特性 1N4148是一種通用型小信號(hào)硅二極管，具有如下關(guān)鍵參數(shù)： 反向耐壓（VR）：100V 正向電流（IF）：300mA（連續(xù)），瞬間最大可達(dá)1A 反向恢復(fù)時(shí)間（
  • 元器件交易動(dòng)態(tài)周報(bào)-本土汽車、消費(fèi)電子的強(qiáng)勁表現(xiàn)帶動(dòng)功率器件需求上升
    核心觀點(diǎn)： 2025年4月，中國(guó)汽車產(chǎn)銷增長(zhǎng)強(qiáng)勁，推動(dòng)功率器件需求提升，尤其車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化空間大。二季度消費(fèi)電子旺季，且國(guó)補(bǔ)政策影響下，需求穩(wěn)定。交貨周期方面，主流廠商的低壓與高壓Mosfets、IGBTs交貨周期多呈上升態(tài)勢(shì)，行業(yè)供應(yīng)偏緊。價(jià)格上，二極管價(jià)格微增，Mosfets價(jià)格下降，但整體行業(yè)呈現(xiàn)量增價(jià)穩(wěn)趨勢(shì)。 三大維度解讀功率器件最新供需動(dòng)態(tài)： 市場(chǎng)需求分析 圖 | 二極管四方維商品動(dòng)
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    05/19 10:00
    元器件交易動(dòng)態(tài)周報(bào)-本土汽車、消費(fèi)電子的強(qiáng)勁表現(xiàn)帶動(dòng)功率器件需求上升
  • 如何設(shè)計(jì)高可靠性的穩(wěn)壓電路 MDD穩(wěn)壓二極管的典型應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)
    在電子產(chǎn)品的小型化、高效率、長(zhǎng)壽命趨勢(shì)日益明顯的今天，穩(wěn)壓電路的可靠性直接關(guān)系到整機(jī)性能和產(chǎn)品穩(wěn)定性。作為現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師（FAE），我們常常會(huì)遇到客戶在電路設(shè)計(jì)中對(duì)穩(wěn)壓方案既要求簡(jiǎn)單，又要求高可靠性。在這類需求中，MDD穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、響應(yīng)快速等優(yōu)點(diǎn)，成為構(gòu)建高可靠性穩(wěn)壓電路的理想選擇。 一、穩(wěn)壓二極管原理概述 穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿區(qū)，其特性是電壓基
  • 并聯(lián)還是串聯(lián) MDD穩(wěn)壓二極管多顆配置的使用技巧與注意事項(xiàng)
    在電子系統(tǒng)中，當(dāng)單顆MDD穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）無(wú)法滿足電壓、電流或功率要求時(shí)，多顆二極管并聯(lián)或串聯(lián)使用便成為一種常見解決方案。然而，多顆配置雖然看似簡(jiǎn)單，實(shí)則隱藏著諸多設(shè)計(jì)陷阱。如果未加以合理匹配或保護(hù)，反而可能引起電壓不穩(wěn)、熱失控、器件損壞等問(wèn)題。作為現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師（FAE），我們必須深刻理解其工作機(jī)制，指導(dǎo)客戶合理使用多顆Zener配置，提升電路可靠性。 一、串聯(lián)使用：提升穩(wěn)壓
  • MDD穩(wěn)壓二極管的極限參數(shù)詳解 功耗 電流與擊穿電壓如何權(quán)衡
    在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，MDD穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）作為經(jīng)典的電壓鉗位和穩(wěn)壓元件，廣泛應(yīng)用于電源電路、電壓參考、過(guò)壓保護(hù)等場(chǎng)景。為了確保其在電路中的穩(wěn)定運(yùn)行與長(zhǎng)壽命，深入理解其關(guān)鍵極限參數(shù)——擊穿電壓（Vz）、穩(wěn)壓電流（Iz）與功耗能力（Pz）——顯得尤為重要。本文將從這三個(gè)核心參數(shù)出發(fā)，解析它們之間的相互關(guān)系及如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中進(jìn)行合理權(quán)衡與選型。 一、擊穿電壓Vz：決定穩(wěn)壓基準(zhǔn)的核心指標(biāo)
  • 瞬態(tài)響應(yīng)與動(dòng)態(tài)阻抗 穩(wěn)壓二極管在干擾敏感電路中的表現(xiàn)
    在電源干擾、瞬態(tài)沖擊頻繁的電子系統(tǒng)中，穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）不僅承擔(dān)著穩(wěn)壓功能，更是關(guān)鍵的鉗位防護(hù)器件。尤其在模擬前端、電源參考、ADC/DAC供電、通信接口等對(duì)電壓擾動(dòng)敏感的電路中，其瞬態(tài)響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)阻抗特性將直接影響系統(tǒng)抗擾能力和精度表現(xiàn)。作為FAE，我們需要幫助客戶深入理解這兩個(gè)核心特性，以便在設(shè)計(jì)中正確選型與布局。 一、瞬態(tài)響應(yīng)能力：關(guān)鍵時(shí)刻的保護(hù)表現(xiàn) 1.什么是瞬態(tài)響應(yīng)？
  • MDD穩(wěn)壓二極管失效模式分析 開路 熱擊穿與漏電問(wèn)題排查
    在電子系統(tǒng)中，MDD穩(wěn)壓二極管（Zener Diode）憑借其在反向擊穿區(qū)域的穩(wěn)定電壓特性，被廣泛應(yīng)用于電壓參考、過(guò)壓保護(hù)和穩(wěn)壓電路中。然而在實(shí)際應(yīng)用中，穩(wěn)壓管并非“永不失手”。其失效往往會(huì)直接影響電路的供電穩(wěn)定性甚至導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。因此，深入了解其典型失效模式，如開路、熱擊穿和漏電流異常，是每位工程師必須掌握的故障排查技能。 一、開路失效：電路中的“隱形人” 開路是穩(wěn)壓二極管最常見的失效模式之一。
  • MDD肖特基二極管并聯(lián)與串聯(lián)設(shè)計(jì) 如何提高電流承載能力
    在電源設(shè)計(jì)、DC-DC轉(zhuǎn)換、逆變器等高功率應(yīng)用中，單顆肖特基二極管（Schottky Diode）往往無(wú)法滿足電流或電壓的需求，此時(shí)就需要通過(guò)并聯(lián)或串聯(lián)的方式來(lái)提升器件的承載能力。但由于肖特基二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和溫度特性，其并聯(lián)與串聯(lián)設(shè)計(jì)面臨諸多挑戰(zhàn)。合理的匹配與電路設(shè)計(jì)，是確保系統(tǒng)可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。 一、并聯(lián)設(shè)計(jì)：提高電流承載能力 并聯(lián)是提升總電流能力的常用方法，理論上，N個(gè)肖特基管并聯(lián)后，總電流能
  • 高溫環(huán)境下的MDD肖特基二極管設(shè)計(jì) 如何避免熱失效
    在高溫環(huán)境下，肖特基二極管（Schottky Diode）以其低正向壓降和快速開關(guān)特性被廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源系統(tǒng)中。然而，由于其PN結(jié)被金屬-半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)取代，其溫度特性與普通PN結(jié)二極管存在顯著不同，特別是在高溫下，肖特基管的反向漏電流急劇上升，成為熱失效的主要隱患。因此，設(shè)計(jì)人員在高溫環(huán)境下使用肖特基二極管時(shí)，必須充分考慮其熱穩(wěn)定性與散熱策略。 首先，識(shí)別失效風(fēng)險(xiǎn)是設(shè)計(jì)的前提
  • 新能源汽車充電系統(tǒng)中的肖特基二極管應(yīng)用 如何優(yōu)化能效 MDD
    隨著新能源汽車市場(chǎng)的迅猛發(fā)展，充電系統(tǒng)作為其關(guān)鍵組成部分，對(duì)效率、體積和可靠性提出了更高要求。肖特基二極管（Schottky Diode）因其低正向壓降、快恢復(fù)特性、開關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì)，成為新能源汽車充電模塊中不可或缺的重要元器件。 一、肖特基二極管在充電系統(tǒng)中的作用 在新能源汽車的車載充電器（OBC）、DC/DC轉(zhuǎn)換器及整流模塊中，肖特基二極管主要承擔(dān)以下功能： 整流功能：在AC-DC整流階段，肖
    新能源汽車充電系統(tǒng)中的肖特基二極管應(yīng)用 如何優(yōu)化能效 MDD

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