GaN

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氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學和名城大學教授赤崎勇、名古屋大學教授天野浩和美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍光LED而獲得當年的諾貝爾物理獎。

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學和名城大學教授赤崎勇、名古屋大學教授天野浩和美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍光LED而獲得當年的諾貝爾物理獎。收起

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    當今的電源設計要求高效率和高功率密度。因此，設計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓撲。 GaN 可實現(xiàn)高頻開關，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術相比，GaN 還可降低開關、柵極驅(qū)動和反向恢復損耗，從而提高電源設計效率。 您可以使用 650V GaN FET 進行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換，或使用 100V 或 200V GaN FE
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  • 意法半導體推出針對消費類和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器和電機控制器
    意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器，為開發(fā)者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產(chǎn)品為電源轉(zhuǎn)換和電機控制設計人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇，可以提高消費電子和工業(yè)應用的能效、功率密度和魯棒性。 STDRIVEG610主打那些要求啟動時間300ns級別的柵極驅(qū)動應用，啟動時間是LLC或ACF電源轉(zhuǎn)換拓撲的
  • ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC開始量產(chǎn)
    全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動器IC。在電壓反復急劇升降的開關工作
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  • 大聯(lián)大詮鼎集團推出基于立锜科技產(chǎn)品的140W電源適配器方案
    致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E芯片的140W電源適配器方案。 圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的140W電源適配器方案的展示板圖 隨著游戲本、高性能創(chuàng)作本等高配電腦設備市場的蓬勃發(fā)展，電源適配器的需求也在不斷升級。一方面，消費者希望充電器能夠快速為設備補充電量，減少等待時間
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